公开(公告)号：CN100505350C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710092912.6

申请日：2007-10-30

Applicant: 重庆大学

Inventor： 方亮 ,  张淑芳 ,  彭丽萍 ,  董建新 ,  刘高斌

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其工艺步骤为：1)在P型GaN上以物理气相沉积方式，沉积第一导电层；第一导电层厚度范围2到100埃；2)在第一导电层上以物理气相沉积方式，沉积CdIn2O4透明导电薄膜；3)进行合金化热处理；在步骤1)之后，还可以再沉积一热稳定金属薄膜所构成的第二导电层。本发明的有益技术效果是：该方法解决了CdIn2O4透明导电薄膜在P型GaN上难于获得欧姆接触的问题。

公开(公告)号：CN2883920Y

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200520009905.1

申请日：2005-09-05

Applicant: 重庆大学

Inventor： 方亮 ,  张淑芳 ,  刘高斌 ,  秦友兰 ,  肖鹏 ,  廖克俊

IPC: F21V29/00

Abstract: 本实用新型涉及一种用于密闭发光二极管系统的散热结构。其特征在于：在装有发光二极管的线路板背面覆盖有既导热又绝缘的散热片。在散热片与金属外壳之间连接有支撑。本实用新型的优点是：结构简单，生产成本低，能将系统内部的热量有效传导出去，可以有效提高系统寿命。