公开(公告)号：CN114580190A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210243263.X

申请日：2022-03-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王伟 ,  赵子晨 ,  曹晨 ,  娄顺喜 ,  保宏 ,  蒋柏峰 ,  钟剑锋 ,  胡瑞贤 ,  徐文华 ,  连少凡

IPC: G06F30/20 ,  H01Q9/04

Abstract: 本发明公开了一种基于等效面磁流间距的贴片天线远场方向图分析方法，包括确定贴片天线的设计参数和材料参数，计算贴片天线的分析参数；分析参数结合贴片天线传输线分析法的理论假设，确定单个等效面磁流的辐射，确定传输线分析方法的方向图函数，得到材料的等效系数，进而得到微带线的等效相对介电常数，最终得到等效面磁流间距；根据等效面磁流间距和传输线分析方法的理论假设，得到基于等效面磁流间距的贴片天线远场方向图，分析贴片天线的辐射特性。本发明可精确分析贴片天线辐射特性，对于实际工作中的贴片天线电性能分析具有很强的工程意义。

公开(公告)号：CN107038299B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201710230215.6

申请日：2017-04-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王伟 ,  闫永清 ,  娄顺喜 ,  保宏 ,  钱思浩 ,  葛潮流 ,  胡乃岗 ,  李明荣 ,  胡祥涛 ,  王志海

IPC: G06F17/50 ,  H01Q3/30

Abstract: 本发明公开了一种考虑互耦效应的变形阵列天线远场方向图补偿方法，包括根据初始辐射单元激励信息以及理想阵元位置信息，计算理想阵列天线辐射方向图；根据阵列天线结构有限元模型确定变形后阵列天线辐射单元所在节点位移信息；根据阵元位置信息计算变形阵列天线的互耦矩阵；结合初始辐射单元激励以及理想阵元位置信息，根据阵列天线机电耦合分析模型计算变形阵列天线辐射方向图；根据获得补偿矩阵求得包括激励幅度与激励相位的变形阵列天线补偿激励值。本发明可精确分析变形阵列天线辐射特性，对于实际工作中的阵列天线电性能分析具有很强的工程意义。

公开(公告)号：CN107103124A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710229466.2

申请日：2017-04-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 娄顺喜 ,  王伟 ,  钱思浩 ,  葛潮流 ,  段宝岩 ,  周金柱 ,  唐宝富 ,  钟剑锋 ,  张轶群 ,  徐文华

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种基于机电耦合理论的变形阵列天线远场方向图分析方法，包括阵列天线结构几何模型建立；阵列天线结构有限元模型的建立；辐射单元位置坐标的提取；根据辐射单元位置坐标计算辐射单元的空间相位参数以及考虑互耦效应的等效激励参数，最后根据阵列天线远场方向图计算表达式得到变形阵列天线辐射远场方向图，据此可求解相关电磁性能参数，分析结构变形对阵列天线电性能的影响关系。本发明可精确分析变形阵列天线辐射特性，对于实际工作中的阵列天线电性能分析具有很强的工程意义。

公开(公告)号：CN107038299A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710230215.6

申请日：2017-04-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王伟 ,  闫永清 ,  娄顺喜 ,  保宏 ,  钱思浩 ,  葛潮流 ,  胡乃岗 ,  李明荣 ,  胡祥涛 ,  王志海

IPC: G06F17/50 ,  H01Q3/30

Abstract: 本发明公开了一种考虑互耦效应的变形阵列天线远场方向图补偿方法，包括阵列天线结构几何模型建立；阵列天线结构有限元模型的建立；辐射单元位置坐标的提取；根据辐射单元位置坐标计算辐射单元的空间相位参数以及考虑互耦效应的等效激励参数，最后根据阵列天线远场方向图计算表达式得到变形阵列天线辐射远场方向图，据此可求解相关电磁性能参数，分析结构变形对阵列天线电性能的影响关系。本发明可精确分析变形阵列天线辐射特性，对于实际工作中的阵列天线电性能分析具有很强的工程意义。