公开(公告)号：CN113517101B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110749199.8

申请日：2021-07-01

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 丁卫东 ,  刘雯 ,  王振宇 ,  王永生 ,  闫家启 ,  申赛康 ,  孙国祥

IPC: H01C1/02 ,  H01C1/14 ,  H01C7/12

Abstract: 本发明公开了一种避雷器，由于沿轴依次间隔设置的上空心电极、中间电极和下空心电极形成的串联伪火花间隙的隔离作用，线路正常运行时，氧化锌电阻片承受较小持续工频电压，当电阻片发生劣化时，也不会影响线路的正常运行，当线路遭受雷击时，伪火花间隙击穿，氧化锌阀片导通，将电流导入大地，限制其两端的电压，确保绝缘子及导线的正常工作，有效提高雷击灾害下的配网系统供电的稳定性，本发明将伪火花间隙和氧化锌阀片串接为一个整体内置在伞裙护套内，封闭式的伪火花间隙，放电电压稳定，可靠性高，此外相比于空气间隙，伪火花间隙灭弧能力更强、动作更迅速、通流能力更强；相比于真空间隙，伪火花间隙烧蚀更小。

公开(公告)号：CN113466649A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110732566.3

申请日：2021-06-29

Applicant: 西安交通大学 ,  浙江大学

Inventor： 王振宇 ,  李运甲 ,  孙晓华 ,  金吉振 ,  窦伟滔 ,  王毓柱 ,  朱郑允 ,  郭清 ,  刘晔

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中，SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击，需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察，缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因，提出了一种与电学性能相关的判断方法，能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因，通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因，避免了对器件进行解封观察，减少了工作量，有利于了解器件的失效过程，补充了SiC MOSFET的可靠性研究。

公开(公告)号：CN214101953U

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202120135699.8

申请日：2021-01-19

Applicant: 西安交通大学城市学院

Inventor： 程爽 ,  王国平 ,  刘吉轩 ,  张俊华 ,  王振宇

IPC: H05K5/00 ,  H05K5/02 ,  G06F16/33 ,  B25J11/00

Abstract: 本实用新型涉及机器人技术领域，且公开了一种具有编辑录入功能的知识库问答用机器人，包括移动座，所述移动座的顶部固定连接有机身，机身的两侧均固定连接有机械臂，机身的顶部固定连接有机头，机身的侧壁上固定连接有显示屏，机身的侧壁上开设有固定槽，固定槽内放置有录入操作盘，录入操作盘的顶部固定连接有USB头，显示屏的底部开设有USB口，且USB头与USB口相卡装，固定槽的一侧内壁上开设有两个安装槽，录入操作盘的一侧固定连接有两个安装块。本实用新型通过在机身上加装录入操作盘使得机器人具备编辑录入的功能，减小了其局限性，在机器人远离电脑操作的地方时也能够对其进行编辑录入，满足了使用者的需要。