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公开(公告)号：CN103664235B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310603630.3
申请日：2013-11-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 多孔氮化物陶瓷基体表面制备致密O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层的方法，步骤如下：1、基体处理，2、钇铝硅陶瓷粉末的制备，3、料浆制备，4、料浆喷涂，5、试样干燥、6、试样烧结；所制备的O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层厚度均匀可控，结构致密，无微观裂纹，该方法可以在高气孔率的复杂形状的氮化物陶瓷基体表面制备O’-sialon/α-Si3N4复相陶瓷涂层，并且通过控制喷涂次数和烧结温度来控制涂层中O’-sialon相含量；该方法具有简单、灵活、高效且易于工业化应用的特点。
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公开(公告)号：CN115818713B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202211240289.5
申请日：2022-10-11
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有极低热导率的B位高熵烧绿石型陶瓷气凝胶及其制备方法和应用，该高熵块体陶瓷气凝胶化学分子式为Sm2(Y0.2Nb0.2Sn0.2Ti0.2Zr0.2)2O7，其晶体结构为烧绿石型结构。该系列B位高熵烧绿石型陶瓷气凝胶，具有极低的热导率和极好的高温稳定性。该高熵烧绿石型陶瓷气凝胶适合用作高温隔热涂层和抗腐蚀涂层等领域。该B位高熵烧绿石型陶瓷气凝胶填补了高熵陶瓷气凝胶的研究空白，丰富高熵材料体系，同时拓展高熵陶瓷的应用范围。该方法具有工艺简单、成本低廉、原料来源广泛、所制备的产物纯度高、产量大适合大规模生产、应用范围广等的优点。
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公开(公告)号：CN116535218A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310499409.1
申请日：2023-05-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/577 , C04B35/64 , C04B35/66
Abstract: 本发明公开了一种高纯致密碳化硅陶瓷材料及其固相烧结方法和应用，属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域。其制备过程如下：1)以碳化硅粉、烧结助剂、液态有机树脂为原料，将原料混制、干燥并压制成型，制得生坯，将生坯保温、排胶处理；2)将排胶后的生坯进行烧结，烧结过程中利用烧结温度与气压协同耦合，生坯先后经过真空烧结、常压烧结与加压烧结三级烧结处理，制得高纯致密碳化硅陶瓷材料。本发明制备的碳化硅陶瓷，致密度高，气孔率低，具有良好的力学性能，并且整体制备工艺操作简单，为工业生产制备大尺寸、高温性能优异高纯致密碳化硅陶瓷材料提供了新方法。
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公开(公告)号：CN115895601A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211506312.0
申请日：2022-11-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: C09K5/06
Abstract: 本发明公开了一种多响应碳化硅气凝胶基复合相变储热材料及其制备方法和应用，属于材料工程技术领域。该多响应碳化硅气凝胶基复合相变储热材料由质量百分比为79.4％～97.3％的相变物质、0.7％～15.6％的碳化硅和2.0％‑5.0％的碳材料制成；其中碳材料通过化学气相沉积包覆在碳化硅纳米线上，相变物质在加热条件下通过真空浸渍进入碳化硅纳米线气凝胶孔隙。制得的多响应碳化硅气凝胶基复合相变储热材料对热、光、电、电磁波均具有响应特性，可储存热能，或将光能、电能、电磁能转化为热能储存；其储热容量为所填充相变物质理论潜热的78.5％～97.1％，其光能储热过程能量转化效率不低于82.0％，电能储热过程能量转化效率不低于90.0％，电磁储热过程能量转化效率不低于71.0％。
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公开(公告)号：CN115851226A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211506307.X
申请日：2022-11-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅气凝胶基红外雷达双隐身材料及其制备方法和应用，属于材料工程技术领域。该材料以质量百分比计，由78.5％～98.3％的相变物质和0.9％～15.5％的碳化硅以及0.8‑6％的微波吸收材料制成，其中微波吸收材料包覆在碳化硅纳米线表面，相变物质填充在碳化硅纳米线气凝胶的孔隙中。本发明中微波吸收材料通过化学气相沉积法或水热法包覆碳化硅纳米线，相变物质通过真空浸渍进入碳化硅纳米线气凝胶孔隙，获得的碳化硅气凝胶基红外雷达双隐身材料可加工为薄片状，夹层在布料中空部位，得到相变红外隐身‑吸波雷达隐身的双隐身衣服或覆盖物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115818713A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211240289.5
申请日：2022-10-11
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有极低热导率的B位高熵烧绿石型陶瓷气凝胶及其制备方法和应用，该高熵块体陶瓷气凝胶化学分子式为Sm2(Y0.2Nb0.2Sn0.2Ti0.2Zr0.2)2O7，其晶体结构为烧绿石型结构。该系列B位高熵烧绿石型陶瓷气凝胶，具有极低的热导率和极好的高温稳定性。该高熵烧绿石型陶瓷气凝胶适合用作高温隔热涂层和抗腐蚀涂层等领域。该B位高熵烧绿石型陶瓷气凝胶填补了高熵陶瓷气凝胶的研究空白，丰富高熵材料体系，同时拓展高熵陶瓷的应用范围。该方法具有工艺简单、成本低廉、原料来源广泛、所制备的产物纯度高、产量大适合大规模生产、应用范围广等的优点。
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公开(公告)号：CN114349537B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210087367.6
申请日：2022-01-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明公开了一种超弹性气凝胶及其制备方法，属于气凝胶材料制备技术领域，所述超弹性气凝胶以SiC纳米线气凝胶或Si3N4纳米带气凝胶为原料，通过化学气相沉积(CVD)的方式，在SiC纳米线或Si3N4纳米带表面沉积一层约60～140nm厚的热解碳层，将纳米线或纳米带“焊接”起来，纳米线或纳米带之间的热解碳节点固定不可转动。所得到的超弹性气凝胶能够从高达80％的压缩应变下实现完全回复，且有着优异的压缩抗疲劳性能，在航空航天和民用高性能阻尼、传感器等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114314558A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210087327.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开的一种超弹性碳气凝胶及其制备方法，利用SiC或Si3N4氧化后得到的SiO2纳米线气凝胶为模板，通过化学气相沉积法在纳米线表面均匀裹覆上热解碳/石墨碳，再通过腐蚀的方法去除SiO2，保留中空碳结构。得益于超弹性碳气凝胶内部丰富的缠结/交联结点，能使其在具有高强度的同时，还具有优异的压缩回弹性，经试验证明本发明的超弹性碳气凝胶能够在压缩应变高达98％时实现完全回复，同时具有较高的力学强度，大大地提高了气凝胶的使用可靠性。该制备方法具有效率高、工艺简单、制备周期短等特点，适合用作工业化生产。
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公开(公告)号：CN113465363A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110661979.7
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种磁力旋转沉积装置及基于其的高温高压烧结炉，属于材料科学设备领域，包括由上至下依次设置的防爆电机、冷却装置和磁力耦合传动系统；所述磁力耦合传动系统包括减速机、外磁转子、隔离套和内磁转子，所述减速机设置在防爆电机和冷却装置之间，隔离套设置在内磁转子外侧，将内磁转子和外磁转子隔开，所述外磁转子通过联轴器与减速机磁性相连，内磁转子通过联轴器连接有旋转轴，旋转轴的另一端端部连接有旋转沉积基板。该装置通过采用磁力耦合传动系统配合旋转沉积基板，解决了现有高温高压气压炉，由于炉腔内的高压气体流动性差，对于有气体参与的化学气相沉积，难以保证其产物的均匀性的问题。
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公开(公告)号：CN108328586B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810172223.4
申请日：2018-03-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种可压缩回复的氮化硅气凝胶及其制备方法，这种气凝胶由大量的氮化硅纳米带自组装而成，具有超低密度(1.8mg/cm3)、超低介电常数、介电损耗和可压缩回复性能。其制备过程如下：先以甲基三甲氧基硅烷和二甲基二甲氧基硅烷为原料通过水解反应制备得到硅氧烷干凝胶，再以该硅氧烷干凝胶为原料，放入石墨坩埚中，并在石墨坩埚上方放置一个柱形石墨基底，然后于N2气氛下，于1450‑1650℃，保温处理1～4h并随炉冷却，即可在石墨基底上生长出Si3N4气凝胶。采用本方法可以实现氮化硅气凝胶的一步制备，工艺简单，易于实现工业化生产。
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