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公开(公告)号：CN114400210B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210039284.X
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种双面散热芯片倒装的气密性耐高温封装结构，包括上陶瓷基板、下陶瓷基板及金属密封带；上陶瓷基板的内部设置有第一金属化区域、第二金属化区域、第三金属化区域、第四金属化区域、第五金属化区域、第六金属化区域、第七金属化区域、第八金属化区域、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC MOSFET、第一垫片、第二垫片、第三垫片及第四垫片；上陶瓷基板的背面设置有第一背部金属化区域、第二背部金属化区域、第三背部金属化区域、第四背部金属化区域、第五背部金属化区域、第六背部金属化区域及第七背部金属化区域，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
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公开(公告)号：CN112630544B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011534487.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R27/26 , G01R31/26 , G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法，包括以下步骤：1)进行米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征；2)进行开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征；3)根据米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征及开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征进行SiC MOSFET漏源极间电容Cds的建模，该方法能够实现高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容的精确测量及建模，且适应范围较广。
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公开(公告)号：CN114400223A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210039293.9
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种高集成的单陶瓷基板双面散热封装结构，包括陶瓷基板、上桥臂的SiC肖特基二极管、上桥臂的SiC MOSFET、下桥臂的SiC肖特基二极管、下桥臂的SiC MOSFET、第一金属端子盖板、第二金属端子盖板、第三金属端子盖板、第四金属端子盖板、第五金属端子盖板、第六金属端子盖板及第七金属端子盖板，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度及便于级联的特点。
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公开(公告)号：CN114384298A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210039296.2
申请日：2022-01-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于双面冷却模块的电流检测和垫块一体式电流传感器，包括以AlN陶瓷为骨架的罗氏线圈，所述罗氏线圈包括顶层、中层、底层，及中间垫块，中间垫块为Cu‑Mo‑Cu合金结构，该传感器能够有效解决安装过程中测量位置和测量角度不固定的问题，同时能够满足高温环境中应用。
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公开(公告)号：CN113746331A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111006090.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种使用寄生电感的谐振开关电容变换器，电源的正极经第一有源开关与第一电容的一端及第二有源开关的一端相连接，第二有源开关的另一端与第三有源开关的一端及第二电容的一端相连接，第三有源开关的另一端与第三电容的一端及第四有源开关的一端相连接，第四有源开关的另一端与第五有源开关的一端、第七有源开关的一端及负载的一端相连接，第五有源开关的另一端、第三电容的另一端及第一电容的另一端与第六有源开关的一端相连接，第七有源开关的另一端及第二电容的另一端与第八有源开关的一端相连接，该变换器能够有效利用寄生电感，以取代离散电感及平面电感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111682757B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010437292.0
申请日：2020-05-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种用于数据中心电源调压模块的非隔离高降压增益的DC‑DC变换器，输入电源的正极经第一开关管与第一电容的正极及第二开关管的一端相连接，第一电容的负极与第三开关管的一端、第一电感的一端、第二电感的一端及第五开关管的一端相连接，第二开关管的另一端及第三开关管的另一端与第二电容的正极相连接，第二电容的负极与第四开关管的一端及第一电感的另一端相连接，第二电感的另一端与负载的一端相连接，负载的另一端、第五开关管的另一端及第四开关管的另一端均与输入电源的负极相连接；第一开关管、第二开关管、第三开关管、第五开关管及第四开关管均为有源开关管，该变换器具有体积小、功率密度高及效率高的特点。
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公开(公告)号：CN110212764B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910481842.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了一种适用于数据中心电压调节模块的非隔离直流斩波电路，电源的负极接地，电源的正极经第一开关管与第一电容的一端及第二开关管的一端相连接，第二开关管的另一端与第三开关管的一端及第二电容的一端相连接，第三开关管的另一端与第三电容的一端及第四开关管的一端相连接，第四开关管的另一端与第五开关管的一端、第一电感的一端及第二电容的另一端相连接，第五开关管的另一端接地，第一电感的另一端与负载的一端及第二电感的一端相连接，第一电容的另一端与第三电容的另一端、第二电感的另一端及第六开关管的一端相连接，第六开关管的另一端接地，负载的另一端接地，该电路的体积小，且电容及开关管的数量较少。
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公开(公告)号：CN111899962A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010652611.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN的DC-DC转换器的磁集成系统，第一平面电感线圈及第二平面电感线圈均为己字形结构，且第一平面电感线圈的中部穿过第一平面磁柱与第四平面磁柱之间以及第二平面磁柱与第三平面磁柱之间，且第二平面磁柱位于第一平面电感线圈一侧的开口位置处，第四平面磁柱位于第二平面电感线圈另一侧的开口位置处，第二平面电感线圈的中部穿过第一平面磁柱与第二平面磁柱之间以及第三平面磁柱与第四平面磁柱之间，且第三平面磁柱位于第二平面电感线圈一侧的开口位置处，第一平面磁柱位于第二平面电感线圈另一侧的开口位置处，该系统能够通过分立电感进行解耦集成，以增大变换器的功率密度。
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公开(公告)号：CN111693755A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010437301.6
申请日：2020-05-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压SiC MOSFET的电压检测电路，包括串联支路及并联支路，其中，串联支路由N个第一电压检测电阻串联而成，并联支路由M个第二电压检测电阻并联而成，并联支路的一端与串联支路相连接，并联支路的另一端接地，该电路满足SiC MOSFET的电压测量，且成本较低。
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公开(公告)号：CN111682752A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010437291.6
申请日：2020-05-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明公开了一种非变压器的隔离型大降压比DC-DC转换器，输入电源的正极与第一电容的正极及第一开关管的一端相连接，第一开关管的另一端与第二开关管的一端及第三电容的正极相连接，第三电容的负极与第一电感的一端及第四开关管的一端相连接，第一电感的另一端与负载电阻的一端及第二电感的一端相连接，第一电容的负极与第二电容的正极、第二开关管的另一端、第二电感的另一端及第五开关管的一端相连接，第二电容的负极、输入电源的负极及第三开关管的一端均接地，第三开关管的另一端与第五开关管的另一端、第四开关管的另一端及负载电阻的另一端相连接，该转换器损耗较低，同时高效率、体积小、重量轻、电压变比较大的特点。
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