公开(公告)号：CN119023114A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410648757.5

申请日：2024-05-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·哈默施密特 ,  C·米切萨勒

IPC: G01L3/10

Abstract: 本公开涉及使用以低摩擦结构对齐的超材料轨道的扭矩测量。其包括机械耦合到轴的第一可旋转载体结构和第二可旋转载体结构；耦合到第一可旋转载体结构并且被配置为与第一可旋转载体结构共同旋转的第一超材料轨道；耦合到第二可旋转载体结构并且被配置为与第二可旋转载体结构共同旋转的第二超材料轨道；以及被布置在第一可旋转载体结构与第二可旋转载体结构之间的低摩擦材料。第一、第二超材料轨道间隔开预定距离，并且通过扭矩相关耦合而相互耦合。响应于施加到轴的扭矩，第一超材料轨道被配置为经历相对于第二超材料轨道的旋转偏移。低摩擦材料在第一与第二可旋转载体结构之间提供低摩擦旋转偏移，使得预定距离在旋转偏移期间是恒定的。

公开(公告)号：CN116205165A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211499872.8

申请日：2022-11-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B·格斯托滕鲍尔 ,  G·乔治亚科斯 ,  D·哈默施密特 ,  V·克利伯格 ,  L·罗斯迈尔 ,  R·扎尔曼 ,  T·泽特勒

IPC: G06F30/30 ,  G06F18/00 ,  G06F119/04

Abstract: 本公开涉及用于评估半导体电路的老化效应的电路和技术。在一些示例中，一种操作电路的方法可以包括在正常条件下执行电路功能，在恶化条件下执行电路功能，基于电路功能在恶化条件下的输出来预测电路功能在正常条件下的潜在未来问题，以及基于预测潜在未来问题来输出预测性警报。

公开(公告)号：CN116068551A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211221544.1

申请日：2022-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·肖斯曼 ,  A·伯格曼 ,  D·哈默施密特 ,  C·米切萨勒

IPC: G01S13/88 ,  G01D21/02 ,  G01D5/12 ,  B61K9/08

Abstract: 本申请涉及基于超材料的传感器中的旋转和线性参数测量。一种传感器系统包括机械耦合到旋转轴的第一超材料轨道，旋转轴被配置为围绕旋转轴线旋转，其中第一超材料轨道至少部分地围绕旋转轴线布置，并且其中第一超材料轨道包括第一基本结构阵列；被配置为向第一超材料轨道发射第一连续波的至少一个发射器，其中第一超材料轨道被配置为基于旋转轴的旋转参数将第一连续波转换为第一接收信号；以及至少一个正交连续波接收器，该至少一个正交连续波接收器被配置为接收第一接收信号，获取第一接收信号的第一性质的第一测量，并且基于第一测量确定旋转轴的旋转参数的测量值。

公开(公告)号：CN109004087B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201810579903.8

申请日：2018-06-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·哈默施密特 ,  A·萨茨 ,  J·齐默

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09

Abstract: 本申请涉及用于生成闭合通量磁化图案的磁阻传感器和方法。磁阻传感器包括磁性参考层。磁性参考层包括预定旋转方向的永久闭合通量磁化图案。此外，磁阻传感器包括磁性自由层。磁性自由层的总横向面积小于磁性参考层的总横向面积。磁性自由层的质心相对于磁性参考层的中心体被横向移位。

公开(公告)号：CN109283355B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201810797366.4

申请日：2018-07-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·斯皮特泽 ,  H·科克 ,  L·艾克雷德勒 ,  D·哈默施密特 ,  A·蒙特拉斯特利 ,  F·拉斯博尼格 ,  P·斯拉玛 ,  T·沃斯 ,  H·威特施尼格

IPC: G01P3/487

Abstract: 一种传感器设备设置有磁场敏感元件，磁场敏感元件被定位在磁体的磁场中。磁场敏感元件被配置为感测磁场的在0°到360°之间的范围内的定向角，并且生成感测信号。电子电路被配置为接收并且处理来自磁场敏感元件的感测信号，以生成指示磁场的定向角的角度信号。

公开(公告)号：CN109951407B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201811574167.3

申请日：2018-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·Q·T·阮 ,  D·哈默施密特

IPC: H04L25/49 ,  H04L12/40 ,  G05B23/02

Abstract: 公开了用于基于双向的基于边沿的脉冲宽度调制协议的通信的从设备、主设备、系统和方法。在实施方式中，接收主触发信号启动从设备中的具有关联时间段的计时器，并且在计时器消逝之后，从设备传送响应。

公开(公告)号：CN114124051A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110980285.X

申请日：2021-08-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·哈默施密特

IPC: H03K7/08

Abstract: 本公开的各实施例涉及由Σ‑Δ环路产生的脉宽调制。一种Σ‑Δ(SD)脉宽调制(PWM)环路包括环路滤波器，该环路滤波器实现线性传递函数以产生环路滤波器信号，其中环路滤波器被配置为接收输入信号以及第一反馈信号，并且基于输入信号、第一反馈信号以及线性传递函数来产生环路滤波器信号；以及迟滞比较器，被耦合到环路滤波器的输出，该迟滞比较器被配置为接收环路滤波器信号，并且基于环路滤波器信号产生Σ‑ΔPWM信号，其中第一反馈信号从Σ‑ΔPWM信号导出。

公开(公告)号：CN110324112B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN201910251071.1

申请日：2019-03-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·哈默施密特

IPC: H04L1/00 ,  H04L25/49

公开(公告)号：CN108363380B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201810074624.6

申请日：2018-01-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·哈默施密特

IPC: G05B23/02 ,  G05B19/048 ,  G01P3/481

Abstract: 示例涉及传感器控制器和传感器信号接收器及其方法。用于传感器模块的传感器控制器包括用于从传感器模块获取传感器信息并且与传感器信号接收器通信的至少一个接口。传感器控制器还包括用于控制至少一个接口的控制模块。控制模块被配置为从传感器模块获取传感器信息。控制模块被配置为基于传感器信息生成传感器信号。控制模块被配置为传输传感器信号。控制模块被配置为检测传感器模块的故障状态。控制模块被配置为在故障状态指示传感器模块的至少一部分的故障的情况下传输故障指示符。控制模块被配置为响应于故障指示符来从传感器信号接收器接收控制信号。控制信号包括至少一个故障处理指令。控制模块被配置为执行至少一个故障处理指令。

公开(公告)号：CN112113495A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010561460.7

申请日：2020-06-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·哈默施密特 ,  R·赫尔曼

IPC: G01B7/00 ,  G01R33/02

Abstract: 通过由至少三个磁场传感器构成的装置与磁场发射器之间的相对运动可以产生不同离散位置关系。至少三个磁场传感器响应于磁场发射器产生的磁场而产生至少三个传感器信号。使用至少三个传感器信号中的至少两个传感器信号来计算第一信号作为第一线性组合。检查第一信号是否明确表示不同离散位置关系中的一种离散位置关系。如果是，则确定装置与磁场发射器处于该一种离散位置关系。如果否，则使用至少三个传感器信号中的至少两个传感器信号来计算第二信号作为第二线性组合，其中用于计算第二信号的至少一个传感器信号不同于用于计算第一信号的传感器信号，并且至少使用第二个信号来确定装置相对于磁场发射器处于不同离散位置关系中的何种离散位置关系。