公开(公告)号：CN100580980C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200810008295.1

申请日：2008-02-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 川濑贤一 ,  松元浩一 ,  中井秀树 ,  岩间正之 ,  北昭宪 ,  仓泽俊佑 ,  小西池勇 ,  广濑贵一

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/04 ,  H01M10/40

Abstract: 本发明提供了负极、其制造方法以及一种具有高充放电效率的电池。所述电池具有负极，所述负极在负极集电体上具有负极活性材料层，其中所述负极活性材料层包含硅作为负极活性材料，并且在所述负极活性材料层的表面的至少一部分上包括具有Si-O键和Si-N键的化合物膜。

公开(公告)号：CN100539260C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200710087388.3

申请日：2007-04-03

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 广濑贵一 ,  川濑贤一 ,  小西池勇 ,  岩间正之 ,  松元浩一

IPC: H01M4/02 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/04 ,  H01M4/0419 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/0452 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/661 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明提供了一种能够缓和由于膨胀和收缩而产生的应力的负极以及一种使用该负极的电池。在该负极中，包含硅和锡中的至少一种作为元素的负极活性物质层设置在带状负极集电体的两个面上。在负极集电体和负极活性物质层中，形成有至少一个穿透部，该穿透部贯穿负极集电体和负极活性物质层而被切掉或切开，并且以包括所述负极集电体的纵向分量而延伸。

公开(公告)号：CN100524904C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710103594.9

申请日：2007-03-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 广瀬贵一 ,  岩间正之 ,  松元浩一 ,  小西池勇 ,  川瀬贤一

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M10/36 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/38 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 提供一种能够缓和应力集中和改善特性的负极和使用它的电池。该负极包括负极集电体和含有硅(Si)作为构成元素的负极活性材料层，其中该负极活性材料层具有其中含有金属元素作为构成元素的金属元素增加和减少区域，并且该金属元素的浓度在厚度方向上增加然后减少。

公开(公告)号：CN101364645A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810214769.8

申请日：2008-05-23

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 广濑贵一 ,  岩间正之 ,  川濑贤一

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/64 ,  H01M4/02 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/661 ,  H01M2/0257 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/34 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/70 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/124

Abstract: 提供一种能提高循环特性的集电体以及包含该集电体的阳极和电池。该集电体包含铜，其中通过X－射线衍射获得的铜的(200)晶面产生的峰强度I(200)与其(111)晶面产生的峰强度I(111)之间的比值I(200)/I(111)在0.5～1.5的范围内。

公开(公告)号：CN101197437A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710194928.8

申请日：2007-12-05

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岩间正之 ,  川濑贤一 ,  加藤良和 ,  森田望

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/64 ,  H01M4/66 ,  H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/661 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0569

Abstract: 本发明提供了一种电极和电池。该电极包括：集电体，该集电体包括活性物质层形成区和平滑区，该平滑区的表面粗糙度小于该活性物质层形成区的表面粗糙度；以及活性物质层，其设置在集电体的活性物质层中。电极引线连接于该平滑区。

公开(公告)号：CN101183714A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200610144798.2

申请日：2006-11-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 小西池勇 ,  佐鸟浩太郎 ,  川瀬贤一 ,  广瀬贵一 ,  岩间正之

IPC: H01M4/64 ,  H01M4/66 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M4/04 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/661 ,  H01B1/026 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  Y10T428/12

Abstract: 提供能够使应力松弛并改善特性的集电体、使用该集电体的负极、和使用该集电体的电池。在集电体上设置包含Si的活性材料层。该集电体包含Cu。在通过X射线衍射得到的由铜的(220)晶面产生的峰面积为I220，和通过X射线衍射得到的由铜的(200)晶面产生的峰面积为I200时，作为峰面积I220对峰面积I200的比的比率I220/I200为2.5或更小。由此，即使当活性材料层由于充电和放电而膨胀和收缩时，可使应力松弛，并可防止活性材料层分离等。

公开(公告)号：CN101118961A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710143493.4

申请日：2007-08-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 广濑贵一 ,  岩间正之 ,  川濑贤一

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/64 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/70 ,  H01M2/0275 ,  H01M2/0285 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/0452 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/483 ,  H01M4/64 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/0587 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027

Abstract: 本文披露了一种负极，其中负极集流体具有包括导电衬底和设置在该衬底表面上的多个导电块状突起部的导电箔。设置该多个块状突起部以使多个所述块状突起部基本上以一个方向排列，以形成一个块状突起部列并且多个该块状突起部列在基本上垂直于所述一个方向的方向上以预定间隔并排排列。