公开(公告)号：CN108502887A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810396562.0

申请日：2018-04-28

Applicant: 福州大学

Inventor： 萨百晟 ,  边智云 ,  熊锐 ,  陈建辉

IPC: C01B33/06

CPC classification number: C01B33/06

Abstract: 本发明公开了一种化学法合成钙的硅化物的制备方法，在氮气气氛中，向不锈钢高压釜中加入0.005~0.04mol四氯化硅，混合均匀；在上述粉末中加入0.01~0.02mol的氯化钙，均匀混合；然后投入1.6~8g的金属钾颗粒；将高压釜密封，于炉内600~700 ℃加热10~12小时，然后冷却至室温；分别用盐酸、稀的碱溶液、蒸馏水以及无水乙醇洗涤，以去除杂质；将步骤得到的物质放在50~60 ℃的真空干燥箱内干燥10~12 小时得到粉末样品。该方法制备出来的钙的硅化物为粉末状，制备方法简单，适合大规模生产。

公开(公告)号：CN105200382B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510704624.6

申请日：2015-10-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 温翠莲 ,  陈志坚 ,  周白杨 ,  詹晓章 ,  黄小桂 ,  熊锐 ,  林逵

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法。采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射制备得具有叠层结构的薄膜，随后采用真空退火获得Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。本发明利用Ge掺杂及薄膜低维化来提高Mg2Si基材料的热电性能，方法可控性强，可通过调整溅射功率、溅射时间比等参数来调整Ge元素的掺杂量；采用热处理来改善掺杂Ge元素的均匀性。本发明具有膜层与衬底结合力强、膜层均匀致密且工艺简单、成本低等优势，具有重大的工业应用价值。