公开(公告)号：CN101859927B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201019087048.X

申请日：2010-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苏桦 ,  张怀武 ,  成军平 ,  唐晓莉 ,  钟智勇 ,  荆玉兰

IPC: H01Q13/08 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q3/34

Abstract: 一种LTCC叠层双馈圆极化微带贴片天线，属于天线技术领域，具体涉及一种低剖面微带贴片天线。包括两层辐射金属贴片、一层接地金属层和馈电层，该四层功能层由三层介质LTCC陶瓷介质基板相间隔，馈电层由Wilkins功分器和90度相移微带线构成。两层辐射金属贴片和接地金属层的几何中心采用金属接地针互连，馈电层上90度相差的双馈点通过金属馈电针与上层辐射金属贴片相连。两层辐射金属贴片各自的两条边上分别具有两个矩形调频电极。本发明不仅能够更好地兼顾了微带贴片天线低剖面、宽频带以及圆极化的性能要求，同时还能方便地对天线频带进行适量的调节。

公开(公告)号：CN101909419A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010218948.6

申请日：2010-07-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟智勇 ,  刘爽 ,  张怀武 ,  唐晓莉 ,  苏桦 ,  白明飞 ,  金立川

IPC: H05K9/00 ,  H05K3/00

Abstract: 一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法，属于电子技术领域。产品包括介质基片，往上依次是微带传输线或共面波导传输线、绝缘层、过渡层和磁性薄膜，所述磁性薄膜具有非均匀的厚度。制备方法是首先在介质基片上制备传输线，然后沉积绝缘层，再利用胶体球掩模方法和薄膜沉积工艺制备过渡层和磁性薄膜。本发明依据铁磁共振理论和双磁子自旋散射模型，将常规传输线电磁噪声抑制器中均匀厚度的磁性薄膜变成非均匀厚度的磁性薄膜，从而大幅提高了传输线电磁噪声抑制器的工作带宽。本发明提供的传输线电磁噪声抑制器，具有更宽的工作带宽，能够满足宽频带范围内对电磁噪声进行抑制的需求；其制备方法工艺简单、能够与微波集成电路工艺兼容。

公开(公告)号：CN101546864A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910059215.X

申请日：2009-05-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苏桦 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  任赞 ,  荆玉兰 ,  钟智勇

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q13/08 ,  H01Q19/10 ,  H01Q1/40

Abstract: 具有背腔电极的微带贴片陶瓷天线，属于天线技术领域，涉及微带贴片陶瓷天线。包括陶瓷基板(2)、辐射贴片(1)、反射底板(4)，以及同轴连接器；还包括一个背腔电极，所述背腔电极由附着在陶瓷基板(2)四周侧壁表面的电极和附着在陶瓷基板(2)上表面四周边缘的电极构成；整个背腔电极与反射底板(4)相连通，但与辐射贴片(1)之间绝缘间隔。本发明通过增加与天反射底板相连的背腔电极，间接地增大了反射底板的面积，使更多的电磁能量向上辐射，从而在不增大天线体积和剖面厚度的前提下，较显著的提升陶瓷贴片天线的增益。本发明可克服常规微带贴片陶瓷天线在兼顾高增益和小型化、低剖面方面的不足，从而兼具高增益和小型化、低剖面的优点。

公开(公告)号：CN100519824C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200710050348.1

申请日：2007-10-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 钟智勇 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  刘爽 ,  唐晓莉 ,  苏桦 ,  贾利军 ,  金沈贤

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/58 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法，属于信息材料技术领域。本发明在基片上制备尖晶石结构铁氧体薄膜之前，先在基片上制备一层Fe3O4缓冲层薄膜，在对尖晶石结构铁氧体薄膜进行退火晶化处理时，利用Fe3O4缓冲层发生从Fe3O4到Fe2O3活性相变所释放的热量促进尖晶石结构铁氧体薄膜的结晶，从而降低尖晶石结构铁氧体薄膜的退火晶化处理温度，使之与现代微电子工艺相兼容；同时，Fe3O4缓冲层属尖晶石结构氧化物薄膜，与尖晶石结构铁氧体薄膜晶格匹配，从而使得Fe3O4缓冲层的引入不影响尖晶石结构铁氧体薄膜良好的电磁特性。本发明可用于制备集成磁性器件。

公开(公告)号：CN101471420A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810045689.4

申请日：2008-07-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐晓莉 ,  张怀武 ,  苏桦 ,  钟智勇 ,  荆玉兰

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  G11B5/39 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明属于磁性材料与元器件技术领域，涉及磁记录技术，具体涉及一种交换偏置场型自旋阀。本发明提供的一种双交换偏置场型自旋阀，其中双交换偏置场型自旋阀结构由基片/缓冲层/反铁磁层AFM1/铁磁层F1/隔离层/铁磁层F2/反铁磁层AFM2/覆盖层构成；反铁磁AFM1/铁磁层F1之间产生一沿膜面的交换偏置场Hex1；反铁磁AFM2/铁磁层F2之间也产生一沿膜面的交换偏置场Hex2；但交换偏置场Hex1、Hex2的方向正好相反。本发明利用双交换偏置场，可在室温下扩展自旋阀的交换偏置场区域，拓宽自旋阀的高电阻区域，从而有利于提高交换偏置场型自旋阀在信息存储或其他应用中的稳定性。且本发明提供的双交换偏置场型自旋阀，可在室温下制备，无需高温退伙处理，具有良好的膜层稳定性和巨磁电阻性能。

公开(公告)号：CN101462872A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200910058207.3

申请日：2009-01-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苏桦 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  钟智勇 ,  荆玉兰

IPC: C04B35/30 ,  C04B35/622 ,  H01Q1/00

Abstract: 一种低频微带天线基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述基板材料的主晶相为铁氧体，其配方分子式为NixCu0.1ZnyCo0.05FezO4－δ，其中x的取值范围为0.78～0.82，y的取值范围为0.07～0.03，z的取值范围为1.90～1.94，δ的取值以保证正负离子价态的平衡；辅助相为钛酸锶铋，其配方分子式为BiaSr1－aTiO3，其中a的取值范围为0.20～0.24；主晶相与辅助相的质量百分比在95∶5至97∶3之间。所述制备方法包括分别制备铁氧体预烧料和钛酸锶铋预烧料；然后将两种预烧料按比例二次球磨后造粒、成型和烧结步骤。本发明提供的低频段微带天线基板材料在1MHz～100MHz的范围内，磁导率和介电常数在18至25之间，且频段内比介电损耗系数低于0.03，可显著缩小低频段微带天线的尺寸和体积，并显著提升天线的辐射效率。

公开(公告)号：CN1542875A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN03117774.3

申请日：2003-04-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张怀武 ,  周海涛 ,  石玉 ,  贾利军 ,  苏桦

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/00 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种宽频磁电双性复合材料及其制备方法，它是由主相铁氧体相为磁导率为500－1000的NiCuZn铁氧体软磁材料(例如Ni0.24Cu0.07Zn0.5Fe1.92O4)和陶瓷介质相选用钙钛矿BaTiO3组成；Ni0.24Cu0.07Zn0.5Fe1.92O4与钙钛矿BaTiO3的混合比例为1∶x，根据复合材料性能的优化方向，选用Co3+、Mn2+、Bi3+等离子进行掺杂来改善提高本发明材料的磁电性能。由本发明的宽频磁电双性复合材料制成的抗电磁干扰滤波器、片式或筒状器件，可广泛应用于家电、通信、计算机接插件等领域。

公开(公告)号：CN118724589B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411216285.2

申请日：2024-09-02

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 苏桦 ,  侯靖润 ,  简贤 ,  王俊伟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于电子功能陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种高介复合LTCC材料的制备方法及系统。本发明提供的高介低损耗LTCC材料，采用适量的LiNb0.6Ti0.34(Cu1/3Nb2/3)0.16O3和LiBa3Nb3Ti5O21进行复合，并借助少量的同样含Li离子的LiF来进行掺杂助熔。由于LiNb0.6Ti0.34(Cu1/3Nb2/3)0.16O3和LiBa3Nb3Ti5O21材料都具有高介和低损耗的特性，前者具有负的谐振频率温度系数，后者具有正的谐振频率温度系数，将两种预烧料按适当比例复合，如果复合过程中不产生其他另相，完全可以将谐振频率温度系数进行调零，并且仍然能维持高的介电常数和Qf值。同时采用少量也包含Li离子的LiF来进行助熔，研究发现这种助熔剂对于本发明中的这种复合材料体系有很好的包容性，可以有效将材料体系的烧结温度降低至900℃而对其电性能几乎无明显影响。

公开(公告)号：CN118851759A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410842580.2

申请日：2024-06-27

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 苏桦 ,  刘艺维 ,  简贤 ,  王俊伟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种超低损耗低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法，本发明提供的LTCC材料，采用适量的Li3Mg2NbO6、Li2WO4和(Li0.5Y0.5)MoO4按一定比例进行三相复合得到。Li3Mg2NbO6材料的优点是具有很低的介电损耗，同时复合加入适量的Li2WO4则有助于改善材料体系的微观形貌，提升致密化程度，在维持很低介电损耗的同时，将材料体系的烧结温度降低至925～950℃。而适量(Li0.5Y0.5)MoO4的复合一方面可以进一步将材料体系烧结温度进一步降低至890～900℃，从而能更好的与LTCC工艺兼容，同时还能调控材料的谐振频率温度系数。

公开(公告)号：CN110723965B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201911139445.7

申请日：2019-11-20

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞成启瓷创新材料有限公司

Inventor： 苏桦 ,  黄芳仪 ,  唐晓莉 ,  李元勋 ,  陶志华 ,  陈加旺 ,  陈振威

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，涉及一种无助熔剂的LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的LTCC微波陶瓷材料，低介低损耗，以CaMg1‑x‑yLi2xZnySi2O6为主晶相，0.1≤x≤0.3，0.1≤y≤0.3，于850℃～950℃烧结，介电常数εr6.9～7.8，品质因数Q×f值25000GHz～45800GHz，谐振频率温度系数τf为‑30～‑40ppm/℃，通过固相法制备。有效降低信号传输过程中的损耗和信号串扰风险，可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中；材料体系中未加入任何玻璃助熔剂，不仅降低了材料制备工艺和成本，而且更有利于提升材料的品质因数并减少因玻璃掺杂引起的LTCC工艺兼容性问题；生产原料便宜，工艺工程简单，方便操作并利于降低成本。