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公开(公告)号：CN105205211B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201510514653.6
申请日：2015-08-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种表面通道型混频肖特基二极管三维电磁仿真模型建模方法，首先建立二极管层次结构物理模型；然后根据二极管装配工艺在三维模型仿真软件中模拟安装二极管于传输线上；再然后根据传输线和二极管结构设置传输线端口和各二极管波端口，最后将设置好的模型参数与电路仿真参数结合得到三维电磁仿真模型。本发明方法中每个二极管管芯单独设置一个阳极波端口和一个阴极波端口，使实际二极管，二极管三维电磁仿真模型，二极管电路SPICE参数模型三者保持一致，相较于现有模型更接近实际工作情况；并且本发明建模方法中二极管波端口形状及尺寸能够根据二极管结构进行调整，使得本发明该建模方法适用于200GHz‑500GHz多种表面通道型混频肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN104409814B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410699245.8
申请日：2014-11-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明公开了截断金属膜片及其构成的E面波导带通滤波器，截断金属膜片，包括第一级耦合金属膜片、第二级耦合金属膜片、第三级耦合金属膜片，第一级耦合金属膜片与第二级耦合金属膜片之间连接有中间横向膜片A，第二级耦合金属膜片与第三级耦合金属膜片之间连接有中间横向膜片B；第一级耦合金属膜片远离中间横向膜片A的一侧连接有2个边缘横向膜片A，2个边缘横向膜片A远离第一级耦合金属膜片的一侧各自都连接有前截断金属膜片，第三级耦合金属膜片远离中间横向膜片B的一侧连接有2个边缘横向膜片B，2个边缘横向膜片B远离第三级耦合金属膜片的一侧各自连接有后截断金属膜片。用E面截断金属膜片单元代替比较短的第一级金属膜片。
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公开(公告)号：CN105141260A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510514513.9
申请日：2015-08-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种420GHz十次谐波混频器，包括依次连接的射频输入波导、射频波导-悬置微带过渡结构、二极管、射频抑制低通滤波器、本振波导-悬置微带过渡结构、本振输入波导、中频滤波器，射频信号由射频输入波导输入，经过射频波导-悬置微带过渡结构耦合馈入二极管；所述中频滤波器、本振波导-微带过渡结构、本振输入波导共同构成本振-中频双工器，本振信号由本振输入波导输入，依次经过双工器、射频抑制低通滤波器后馈入二极管，所述二极管内对射频信号与本振信号进行混频并输出混频信号；所述射频抑制低通滤波器为宽阻带的9阶CMRC低通滤波器。本发明采用十次谐波混频形式，大大降低了本振频率，同时采用9阶CMRC低通滤波器有效减短电路尺寸。
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公开(公告)号：CN104579176A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510006331.0
申请日：2015-01-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/02
Abstract: 本发明公开了基于共面波导传输线的分谐波混频器，主空气腔的内底面设置有介质基板，介质基板上设置有耦合探针、共面波导传输线、本振匹配线、微带传输线，共面波导传输线包括从左到右依次连接的匹配线、第一横向传输线、本振低通滤波匹配线，耦合探针与匹配线的左端连接，微带传输线包括从左到右依次连接的第二横向传输线、中频低通滤波匹配线，共面波导传输线还包括2个分别位于匹配线两侧的接地线，2个接地线都与主空气腔的内壁连接；还包括平面肖特基反向并联混频二极管，其中一个混频二极管的欧姆接触层与匹配线远离介质基板的正面连接，另外一个混频二极管的欧姆接触层与接地线远离介质基板的正面连接。
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公开(公告)号：CN104377418A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410618631.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于集成技术的太赫兹多功能器件包括太赫兹二倍频器、太赫兹谐波混频器。其结构从左到右依次为：输入基波波导微带过渡、微带线短路面、四管芯倍频二极管、本振匹配电路、混频二极管、射频匹配电路、输入射频波导微带过渡、中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上，这样还减少了腔体的加工数目，使加工装配简单，另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工，减小了腔体尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104362421A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410618596.1
申请日：2014-11-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种单基片集成的太赫兹前端，包括介质基板、输入波导微带过渡、微带空气腔，微带空气腔就是指上述空气腔。从左到右依次是输入波导微带过渡（标准波导口WR-15）、CMRC结构微带低通滤波器、并联双倍频二极管、倍频匹配枝节、本振带通滤波器、混频匹配枝节、混频二极管、射频波导微带过渡（标准波导WR-2.2）、中频低通滤波器。减少了介质基片的个数使电路集成在一个基片上，这样还减少了腔体的加工数目，使加工装配简单，另一方面该发明减少了波导过渡的设计与加工，减小了腔体尺寸。
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公开(公告)号：CN207184463U
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201720929645.2
申请日：2017-07-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种新型的全固态太赫兹接收机前端，包括射频E面波导功分器、本振H面波导功分器、中频耦合环、直流偏置、中频信号和两个太赫兹基波混频器，其中，两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反；射频信号和本振驱动信号分别经射频波导-微带过渡、本振波导-微带过渡进入肖特基二极管进行混频处理，混频产生的各次谐波分量被相应的中频滤波器滤掉后，得到的中频信号分别经由相应的中频滤波器输出，进入中频耦合环，经180°相位变换后，输出中频信号。本实用新型太赫兹接收机前端可有效抑制全固态太赫兹接收机中本振信号引入的噪声，提高系统的噪声系数和灵敏度，进而提升系统的整体性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206163667U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621049140.9
申请日：2016-09-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本实用新型公共了一种利用开口环的低通滤波器,属于滤波器领域,特别是利用开口环的低通滤波器。本实用新型包括空气腔、设置于空气腔中的介质基板、设置于介质基板上的微带线；所述微带线包括：输入段、中间段、输出段，所述各段微带线都为对称结构，其中输入段包括：输入馈电微带线、与输入馈电微带线连接的第一“凹”形支节，该“凹”形支节开口方向为输出段方向；所述输出段微带线包括：输出馈电微带线、与输出馈电微带线连接的第二“凹”形支节，该“凹”形支节开口方向为输入段方向；所述中间段包括：连接输入段与输出段的横向支节、该横向支节上设置的两组“T”形支节，每组包括以该横向支节为对称轴的两个“T”形支节。解决了现有技术中低通滤波器结构复杂、加工困难、尺寸偏大的问题。
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公开(公告)号：CN206076464U
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201621049329.8
申请日：2016-09-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 该发明公开了一种小型化太赫兹低通滤波器，属于一种滤波器，特别是太赫兹低通滤波器。本实用新型将开口环(SRR)结构引入到低通滤波器设计中，并对其改进实现SRR结构的串并联最终实现宽的高频抑制阻带，用SRR结构实现的低通滤波器展示了良好的低通滤波特性。由于SRR结构通过调节很少的变量即可控制滤波器的通带，且所使用的线宽一致且可以调控，这样降低了设计和加工的难度。与阶跃型结构和带隙能结构构成的低通滤波器相比，在相同的阻带抑制特性下，开口环低通滤波器有更小尺寸和更宽的阻带。
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公开(公告)号：CN207010630U
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201720929644.8
申请日：2017-07-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 一种基于单片集成技术的太赫兹混频电路，包括射频3dB分支波导定向耦合器、本振135度相移3dB分支波导定向耦合器、同轴探针、中频耦合环、中频信号和两个太赫兹分谐波混频器，所述太赫兹分谐波混频器包括射频波导-微带过渡、单片集成肖特基二极管对、本振波导-微带过渡、中频滤波器和本振低通滤波器；其中，所述单片集成肖特基二极管对为反向并联的二极管对。本实用新型太赫兹混频电路中的谐波混频器采用半导体技术得到，可精确控制二极管位置以及微带电路的尺寸，误差远小于人工装配，极大地减小了装配误差对混频电路性能的影响；同时，该混频电路可有效消除本振噪声，提高了系统的噪声性能和效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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