公开(公告)号：CN111111695A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911274094.0

申请日：2019-12-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 向全军 ,  程蕾 ,  张怀武 ,  廖宇龙 ,  张岱南 ,  金立川 ,  李颉

IPC: B01J27/04 ,  B01J35/10 ,  B01D53/86 ,  B01D53/62 ,  C01G11/00 ,  C01B32/40

Abstract: 一种三维花状体锌硫镉光催化材料及其制备方法和应用，属于半导体光催化材料技术领域。所述锌硫镉光催化材料为CdxZn1-xS，x＝0.2～0.8，形貌为三维分等级花状结构，单个花体大小为2～3μm，花瓣厚度为2.5～3.5nm。本发明锌硫镉光催化材料从三方面提高光催化活性：首先，三维分等级花状结构的锌硫镉具有较大的比表面积，能提供大量的光催化还原反应活性位点；其次，花瓣较薄的锌硫镉具有较高的捕光效率，能吸收和利用更多的可见光；最后，三维分等级花状结构的锌硫镉禁带宽度在2.4eV左右，导带位置较二氧化碳还原电位更负，有利于促进光生电子在体系中的迁移，延长光生载流子的寿命，提高体系的光催化活性。

公开(公告)号：CN107416888B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201710728146.1

申请日：2017-08-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈苑明 ,  向钦莹 ,  何为 ,  张岱南 ,  何雪梅 ,  王守绪 ,  张怀武 ,  周国云 ,  王翀

IPC: C01G3/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种纳米氧化铜的制备方法，属于无机纳米材料制备技术领域。包括以下步骤：1)在三聚磷酸盐为模板添加剂的条件下，铜盐与氢氧化物反应生成氢氧化铜沉淀；2)步骤1)得到的氢氧化铜沉淀经水热反应生成黑色沉淀；3)步骤2)得到的黑色沉淀离心分离，烘干，得到所述纳米氧化铜。本发明以三聚磷酸盐为晶核生长的模板，控制晶核的生长方向，在碱性条件下通过水热反应制得形貌新颖的纳米氧化铜，方法简便，反应时间短。

公开(公告)号：CN109320232A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811326214.2

申请日：2018-11-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 史晓磊 ,  张岱南 ,  刘成 ,  李颉 ,  张怀武

IPC: C04B35/457

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/96

Abstract: 一种微波介质用陶瓷材料及其制备方法，本发明将复合氧化物Li1.6Zn1.6Sn2.8O8作为微波介质陶瓷用材料，该种陶瓷的介电性能优异，相对介电常数为9.83～11.24，Q×f为45400～59800GHz，谐振频率温度系数为-6.87～-9.17ppm/℃。该种陶瓷作为低介微波陶瓷，其τf值近零并且Q×f较高，无需进一步调节τf值便可满足微波线路对其温度稳定性的要求。该种陶瓷经固相反应法制备，工艺简单，烧结温度低于1150℃，易于进一步降低烧结温度以用于LTCC技术。本发明微波介质陶瓷材料的原料来源丰富、成本低廉，有利于工业化生产，可作为电子线路基板、介质谐振器、滤波器、高频卫星微波器件基板与微带线的制造材料使用，在电子线路、微波移动通信、卫星通信、雷达系统领域上具有重要应用前景及经济价值。

公开(公告)号：CN107437430A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710656313.6

申请日：2017-08-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 贺雅娟 ,  张九柏 ,  张岱南 ,  史兴荣 ,  万晨雨 ,  吴晓清 ,  张波

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/417

CPC classification number: G11C11/412 ,  G11C11/417

Abstract: 一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明的电路中第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3和第三PMOS管MP3构成第一反相器，第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4和第四PMOS管MP4构成第二反相器，用于存储相反的数据，即存储点Q和存储点QB的数据；第七NMOS管MN7和第八NMOS管MN8用于控制读操作，第三NMOS管MN3、第三PMOS管MP3、第四NMOS管MN4、第四PMOS管MP4用于提高写能力。本发明改善了写数据的能力，使用新的写操作的方法，使得数据很容易写进单元中，大幅度提升了写裕度；同时本发明采用读写分离结构，使得读噪声容限达到最大化，本发明可以工作在亚阈值区，降低了功耗。

公开(公告)号：CN118155973B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202410205644.8

申请日：2024-02-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周廷川 ,  金立川 ,  张岱南 ,  李颉 ,  贾利军 ,  张怀武

IPC: H01F1/33 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明属于软磁复合材料技术领域，具体提供一种用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料及其制备方法，用以解决现有软磁复合材料在特高频频段存在磁损耗和介电损耗高、饱和磁化强度低等问题。本发明中软磁复合材料包含组分：球形铁基纳米晶磁粉：96～99.5wt％，ZnO或B2O3氧化物：0.5～4wt％；ZnO或B2O3氧化物作为绝缘包覆材料。本发明使用ZnO或B2O3对球形铁基纳米晶磁粉进行绝缘包覆，并通过冷烧结工艺及退火处理获得致密软磁复合材料，具有较高的相对密度、较高的饱和磁化强度以及低的磁电损耗，并将磁导率截止频率提高至1.5～5GHz频段，满足特高频频段的应用需求。

公开(公告)号：CN119692282A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411828501.9

申请日：2024-12-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张岱南 ,  张欧文 ,  蒋昊 ,  王中锐 ,  齐晓娟

IPC: G06F30/373 ,  G06F30/27 ,  G06N3/049 ,  G06N3/088

Abstract: 本发明涉及人工智能技术领域，具体涉及一种STDP神经网络无监督在线学习电路及方法；电路包括前神经元、后神经元、光电忆阻器、长时抑制模块和长时增强模块，前神经元和后神经元均用于，发射脉冲；长时抑制模块用于，减小光电忆阻器的权值；长时增强模块用于，增大光电忆阻器的权值；光电忆阻器用于，进行脉冲传递和权值调整；方法包括：对比前神经元与后神经元的发射脉冲的发射顺序，调整光电忆阻器的突触权值；通过引入光调控，解决了传统电路传递脉冲和调整忆阻器权值无法同时进行的问题；实现下降电路结构和控制信号的复杂度，有利于提高电路集成度和降低功耗。

公开(公告)号：CN118284324A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410350846.1

申请日：2024-03-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  孙驰 ,  王慧丽 ,  钟智勇 ,  张岱南 ,  张怀武 ,  唐晓莉 ,  白飞明

IPC: H10N70/20 ,  G06N3/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种具有忆阻与学习行为的类脑计算纳米振荡器，属于类脑计算技术领域。该纳米振荡器包括衬底、纳米振荡单元、离子调控单元和电极单元；其中，纳米振荡单元位于衬底之上，离子调控单元位于纳米振荡单元之上、且与纳米振荡单元垂直，电极单元位于衬底之上、与纳米振荡单元的两侧连接；纳米振荡单元包括依次设置的重金属薄膜、铁磁性薄膜和反铁磁性绝缘体薄膜；离子调控单元包括依次设置的离子调控层和上电极。本发明将学习、记忆、谐振行为集成到一个器件上，开发了一种新型的类脑器件，推动了类脑计算与人工智能的发展；自旋电子学为具有极大潜力的下一代微电子元器件，该器件可与自旋电子学器件集成，用于计算、微波信号发生器等功能器件。

公开(公告)号：CN117964360A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410068516.3

申请日：2024-01-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊亮晨 ,  廖宇龙 ,  李元勋 ,  李颉 ,  向全军 ,  张岱南

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于微波介电陶瓷材料领域，具体提供一种基于姜泰勒效应改善锌镁钛微波陶瓷性能的方法，使制备得到的锌镁钛微波介电陶瓷材料具有低的介电损耗和低的谐振频率温度系数，适合于制造性能优异的陶瓷基板。本发明采用Zn0.7Mg0.3TiO3体系，通过引入Mn元素，使材料发生姜泰勒效应，晶体结构发生畸变，阻碍离子迁移，增强了陶瓷的结构稳定性；最终，本发明利用姜泰勒效应改善了Zn0.7Mg0.3TiO3微波陶瓷的介电性能，获得了介电常数为20.689，Q×f＝50807.9，谐振频率温度稳定系数为‑22.3ppm/℃的微波介电陶瓷材料，有望用于制造陶瓷基板。

公开(公告)号：CN117383927A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311456132.0

申请日：2023-11-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘奎 ,  张岱南 ,  雷奕达 ,  李颉 ,  刘成 ,  廖宇龙 ,  张怀武

IPC: C04B35/462

Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种LTCC用Li3Mg2TiO5F微波介质陶瓷材料及其制备方法，应用于无线通信技术微波介质基板、集成基板、微波天线和微波滤波器等领域。本发明通过LiF与Li2Mg2TiO5形成Li3Mg2TiO5F固溶体陶瓷材料，有效抑制锂挥发以及四价钛离子的还原，并将烧结温度降至银电极熔点以下，实现700℃～950℃的低温烧结，从而满足LTCC的应用；同时，本发明提供的微波介质陶瓷材料还具有优异的微波介电性能：相对介电常数εr为13.0～15.0，品质因数Q×f为110000GHz～160000GHz，谐振频率温度系数τf为‑15～‑40ppm/℃，为微波电子元器件向高频化、轻量化、便携化发展提供了一种有效的解决方案。

公开(公告)号：CN116858798A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310615440.7

申请日：2023-05-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张岱南 ,  张代玉 ,  李迈迈 ,  廖宇龙 ,  文天龙 ,  张怀武

IPC: G01N21/3504

Abstract: 本发明属于气体浓度检测技术领域，具体为一种微弱光电信号检测电路及气体浓度检测系统。所述微弱光电信号检测电路，是利用ADA4627这一特定型号的运算放大器具有6.1nV/#imgabs0#的低噪声和200μV超低失调电压、1μV/℃超低失调漂移、5pA超低偏置电流等特性，配合依次连接的跨阻放大、二级放大以及窄带通滤波形成的三级放大，能够在对微弱光信号进行处理的同时，有效降低噪声系数、提升信号强度。整个微弱光电信号检测电路适用范围宽，可检测微弱光范围为几百nW到几μW。所述气体检测系统采用该微弱光电信号检测电路后，能够满足二氧化碳气体浓度探测器低噪声、高精度、低功耗、快速响应探测要求。