一种硅酸钠的制备方法
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106829983B

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201710205184.9

    申请日:2017-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种硅酸钠的制备方法,包括以下步骤:(1)将含氟硅渣用水进行清洗,至pH值4.5以上,对清洗后的硅渣进行烘干处理,使得硅渣中的水分含量在2%以下;(2)将碳酸钠和含氟硅渣以一定的物料比进行混合,混合均匀后放入高温炉中,开启带有水吸收的负压系统,使反应体系形成‑0.01MPa的微负压,用水吸收含氟硅渣升温过程中逸出的含氟气体;高温炉升温至900℃,含氟硅渣中的氟逸出完毕;高温炉加热到1100℃‑1250℃,确保碳酸钠和硅渣的反应温度在1050℃‑1200℃之间;反应30min‑60min;待反应物冷却至室温后,取出固体硅酸钠,研磨得到粉状硅酸钠产品,硅酸钠的模数在2‑3之间。本发明的方法克服了含氟硅渣无法回收利用的缺点,制备能够满足磷矿选矿要求的、模数在2‑3之间硅酸钠。

    一种利用磷尾矿制备硝酸钙镁肥的方法

    公开(公告)号:CN104326771A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201410563330.1

    申请日:2014-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种利用磷尾矿制备硝酸钙镁肥的方法,具体工艺方案为:取一定量一定粒度的尾矿粉,加入一定量蒸馏水配成具有一定含固量的尾矿浆,逐步加入硝酸,在一定条件下反应,反应结束后过滤,向滤液中加入石灰或氢氧化钙将滤液pH值调为6.5~7,再次过滤,滤液经真空浓缩干燥等工序制得产品硝酸钙镁肥;本发明的有益效果:本发明以磷矿选矿厂废弃物资源磷尾矿为原料,充分利用其含有的钙、镁资源制备硝酸钙镁肥,实现了废弃物资源的合理利用,同时为选矿厂解决了废弃物堆存用地及环保污染难题,是一种经济效益好、环境污染少的绿色环保型工艺。

    萃余磷酸脱镁的工艺
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102583302A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210042661.1

    申请日:2012-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种萃余磷酸脱镁的工艺,它是按如下步骤进行:采用P2O5为40%~46%的萃余磷酸,进入净化段,净化段为一萃取塔(1),呈逆流运行;萃取剂从萃取塔(1)底部进入,萃余磷酸从萃取塔(1)顶部进入;脱镁酸从萃取塔(1)底部出来,萃余有机相从萃取塔(1)顶部出来;脱镁酸即达到所需要的镁含量;已接近饱和的萃余有机相进入再生塔(2)进行再生,萃余有机相从再生塔(2)底部进入,反萃取液I从再生塔(2)顶部进入,反萃取液Ⅱ从再生塔(2)底部出来,再生有机相从再生塔(2)顶部出来。采用本发明方法,不但能使Mg2+的浓度降到1%以下,而且使其得到全部利用,实现循环经济。

    一种固体正磷酸的生产方法

    公开(公告)号:CN101525128B

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN200910102507.7

    申请日:2009-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种固体正磷酸的生产方法,包括如下步骤:用质量百分比浓度为70%~85%的湿法磷酸或热法磷酸加入到浓缩装置中,4℃/min的速率升温至130~262℃,常压至-0.085MPa的压力条件下,浓缩1~2h,得到除水后的磷酸溶液质量百分比浓度大于99%;将除水后的磷酸溶液(质量百分比浓度大于99%)放入能够控制温度的反应器中,在温度为60~130℃和搅拌的条件下,加入过氧化氢为原料酸量的0.1~0.8%,反应8~30min,反应结束产物降至10~28℃后,加入正磷酸晶种,即得固体正磷酸。本发明工艺简单易工业化,生产成本低,生产率高,无返料的特点,产品便于包装和运输。

    一种真空结晶生产磷酸脲的方法

    公开(公告)号:CN101665453A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910102708.7

    申请日:2009-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种真空结晶生产磷酸脲的方法,包括:取质量百分比浓度为36~85%的磷酸加入到反应装置中,启动搅拌装置,转速为100~200RPM,加入磷酸量的0~0.012%活化剂和0~0.010%悬浮剂,以4℃/MIN的速率升温至60~100℃,加入磷酸与尿素的摩尔比为1.0~1.4的尿素,保持温度30~120MIN,关闭加热装置;在真空度为0.01~0.50MPA条件下,浓缩,时间为10~60MIN,得到含固量60~90%的磷酸脲晶浆溶液;在真空状态下,将温度降至30~40℃,关闭真空系统;分离、干燥得到磷酸脲产品。本发明结晶时间短、结晶器不易结垢、产品收率高、工艺简单且生产成本低。

    一种由钛白渣制备片状磷酸铁的方法

    公开(公告)号:CN110894066A

    公开(公告)日:2020-03-20

    申请号:CN201911416764.8

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种由钛白渣制备片状磷酸铁的方法,它是采用水热法技术,以钛白渣、磷酸、氨水为原料,在特定反应条件下制备片状磷酸铁。本发明的方法主要包括两方面内容:一是钛白渣除杂精制高纯硫酸亚铁,二是由硫酸亚铁采用水热法制备片状磷酸铁。本发明通过原料预处理将钛白渣净化除杂得到高纯硫酸亚铁,然后和磷酸、氨水等在水热条件下反应制备磷酸铁,变废为宝,不仅解决了传统钛白粉生产企业固废处理难的环保问题,还得到了经济价值高的磷酸铁产品,因此本发明所述技术具有绿色、环保、低成本等优势,具有极大的工业应用价值。

    一种气体膜分离装置
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110882610A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN202010008838.0

    申请日:2020-01-06

    Abstract: 本发明公开了一种气体膜分离装置。该装置包括:上盖板,下盖板,上下盖板上有错流隔板;上下盖板间设置了多个腔体,腔体间有分离膜片和支撑筛板;腔体有进气口和出气口;前述的上下盖板可以压紧腔体形成密闭装置;所述的盖板,腔体和支撑板由树脂材料加工而成。本发明可以采用并联的方式安装以增加处理量,也可以采用串联的方式,在盖板间增加腔体和分离膜片和支撑板,提高分离效果。本发明具有结构简单,易组装,气体阻力小,耐强腐蚀。

    一种利用萃余磷酸制备铝合金表面化学抛光液的方法

    公开(公告)号:CN103849874B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201410074130.X

    申请日:2014-03-03

    Abstract: 本发明公开了一种利用萃余磷酸制备铝合金表面化学抛光液的方法。该方法将萃余磷酸加热脱碳后加入硅酸钠脱氟反应1~3h;经脱碳、脱氟处理后加入硫酸脱钙,将产生的沉淀过滤除去,取滤液在50~300℃、真空度-0.05~0.1MPa条件下浓缩;然后向其中加入1%~2%浓硝酸,同时加入分散剂、增光剂、缓蚀剂后制备而得。利用此法制备的铝合金表面化学抛光液产品抛光效果好,尤其是对纯铝工件的表面抛光更平整、光滑、色泽明亮。本发明降低了生产成本,还解决了湿法净化磷酸副产物萃余酸的废酸污染,提高了萃余磷酸的产品附加值,在体现了其经济价值的同时也减少了环境污染,是一种经济效益好、环境污染少的绿色环保型生产工艺。

    一种利用磷石膏制备活性硅酸钙的方法

    公开(公告)号:CN104876232A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510256926.1

    申请日:2015-05-20

    Abstract: 本发明公开了一种利用磷石膏制备活性硅酸钙的方法,它是以湿法磷酸生产过程中的副产物磷石膏为原料,经过原料预处理、反应合成、过滤、活化等工艺步骤制备而成。本发明方法消耗大量磷石膏制备具有更高附加值的活性硅酸钙产品,不仅创造了一定的经济效益,还解决了长期困扰磷化工行业发展的磷石膏固废物的处理难题,变废为宝。所生产的硅酸钙产品活性高,具有极强的吸附性能和补强性能,可作为填充剂广泛的应用于造纸、橡胶、塑料行业。

    一种利用微乳液法制备纳米级碘化亚铜的方法

    公开(公告)号:CN104291373A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410559819.1

    申请日:2014-10-21

    CPC classification number: C01G3/04 B82Y30/00 C01P2004/64

    Abstract: 本发明一种利用微乳液法制备纳米级超细碘化亚铜的方法,以磷矿伴生碘资源回收工艺中的中间产物含碘吸收液为原料,制备出一维结构的超细碘化亚铜超细颗粒,工艺主要包括微乳液制备、原料预处理、反应合成、过滤、洗涤、干燥等工序;本发明的有益效果:碘化亚铜是一种用途非常广泛的化工试剂,经济附加值高,目前国内外虽然有不少学者成功制备出碘化亚铜超细颗粒,但都在实验室条件下制备的,工艺条件要求苛刻,难以大规模工业化推广,本方法,原料价廉易得,通过加入微乳液体系控制碘化亚铜的颗粒尺寸,经检测粒度大小为50nm~100nm,属于纳米级别材料,能很好的应用在光电子器件的制备领域。

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