公开(公告)号：CN112279301A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011169934.X

申请日：2020-10-28

Applicant: 燕山大学

Inventor： 聂安民 ,  康梦克 ,  向建勇 ,  牟从普 ,  柳忠元 ,  田永君

IPC: C01G41/00 ,  C01G37/00

Abstract: 本发明公开了一种厘米级2H相CrS2‑WS2水平异质结的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域，包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，在氩气保护下，进行加热硫化反应，通过一步化学气相沉积法制备得到厘米级2H相CrS2‑WS2水平异质结；本发明所述的方法步骤简单，操作方便，合成速度快而且成本低廉，制备得到的2H相CrS2‑WS2水平异质结结晶性良好。

公开(公告)号：CN102249231A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010179344.5

申请日：2010-05-20

Applicant: 燕山大学

Inventor： 柳忠元 ,  向建勇 ,  田永君 ,  刘少存 ,  张洋 ,  陈灿坤 ,  胡文涛 ,  王鹏 ,  温福昇 ,  何巨龙 ,  于栋利 ,  徐波

IPC: C01B31/30 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种过渡族金属碳化物纳米粉体的室温制备工艺与方法。该工艺方法主要是采用球磨的方法，将过渡族金属的粉末和一定量含碳的有机溶剂混合，经过一定时间的球磨后，获得晶粒尺度(10nm左右)分布均匀的过渡族金属碳化物纳米粉体。