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公开(公告)号：CN101158725A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710177970.9
申请日：2007-11-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于介电颗粒和金属线的温度可调负折射器件及制备方法，该器件由多块层叠的聚四氟乙烯模板、介电陶瓷颗粒、金属线以及温控装置组成；每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列，介电陶瓷颗粒和金属线交替嵌入圆孔内形成介电陶瓷颗粒阵列和金属线阵列。该器件能使电磁波在某一频段发生磁谐振表现出各向同性负磁导率，同时也表现出负介电常数，从而实现负的折射率。利用温度对介电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现其负磁导率的可调控性，从而实现负折射率的可调节。本发明为左手材料赋予了智能特性，并将应用于可调带通滤波器、可调负折射率平板透镜、可调隐身器件等光电器件和通讯领域。
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公开(公告)号：CN1050244C
公开(公告)日：2000-03-08
申请号：CN98102187.5
申请日：1998-05-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种用于压电器件激振的新型驱动电源，包括由光耦隔离，电压比较，积分器，放大器，开关晶体管电路组成的高压快速开关电路和由脉宽调制原理制作的直流稳压电源电路。本发明的突出优点是输出可快速跟随控制信号的变化，满足快速响应性，可以输出300伏的脉冲电压，方波脉冲的前后沿可调，负载电流8mA，可以广泛用于压电材料的各个应用领域及对电源有较高电压要求和开关脉冲控制的其他技术领域。
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公开(公告)号：CN114910838B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110183910.8
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第一表面，并与第一电极层间隔设置，且靠近第一端设置。第三电极层设置于第二表面，并靠近第二端设置，第三电极层在第一电介质层的正投影和第一电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第二结构电容。第四电极层设置于第二表面，并与第三电极层间隔设置，且靠近第一端设置，第四电极层在第一电介质层的正投影和第二电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第三结构电容。第三谐振电路的一端与第二电极层远离第一端的一端电连接，第三谐振电路的另一端与第一电极层远离第二端的一端电连接。
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公开(公告)号：CN114910840B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110183918.4
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层和输出匹配电路。第一电极层设置于第一电极层的第一表面。第二电极层和第三电极层相对间隔设置于第一电极层的第二表面。第二电极层与第一电极层部分重叠。第三电极层与第一电极层部分重叠。输出匹配电路连接于所述第一电极层与第二电极层之间。输出匹配电路还用于与信号采集装置连接。输出匹配电路用于调节信号采集装置两端的阻抗值和谐振频率，以直接取出检测信号，减小与其他线圈配合引起的耦合伪影和噪声，检测信号质量较高，图像质量较高。
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公开(公告)号：CN117448905A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311288772.5
申请日：2023-10-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种摩擦辅助电化学沉积修复装置，包括：配位单元，包括用于固定待修复工件的绝缘夹具、设置在所述待修复工件的待修复区域外围的转动保持架和设置在转动保持架上的若干绝缘滚动体，待修复工件和转动保持架分别作为电化学沉积过程的阳极和阴极；电源，用于在待修复工件与转动保持架之间形成电场；驱动加载单元，设置在配位单元一侧，通过与绝缘滚动体的相对运动驱动转动保持架产生周向旋转运动，并使绝缘滚动体与待修复工件的待修复区域间形成滚动摩擦；电镀液供给单元，用于为待修复工件的待修复区域提供电镀液。本公开利用摩擦辅助的方法，实现了损伤部位的精准修复，且修复精度及尺寸精度高，可达微米量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114910851A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183928.8
申请日：2021-02-10
IPC: G01R33/36
Abstract: 本申请涉及基于二极管的非线性响应MRI图像增强超构表面器件，具体为磁场增强组件和磁场增强器件，磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第四电极层和第一开关控制电路。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第二电极层和第四电极层设置于第二表面。第一电极层分别与第二电极层和第四电极层在第一电介质层的正投影具有重叠部分。第一开关控制电路的两端分别与第一电极层和第二电极层连接。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。第一开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段能够有效降低磁场增强对人体的不良影响，同时能够消除磁场增强组件干扰射频发射场的图像的伪影。
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公开(公告)号：CN114910847A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183930.5
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层，具有相对设置的第一表面与第二表面。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第二表面，靠近第一端设置。第一电极层在第一电介质层的正投影与第二电极层在第一电介质层的正投影部分重叠形成第一结构电容，第一结构电容靠近第一电介质层的中部。第三电极层设置于第二表面，靠近第二端，第三电极层与第二电极层间隔设置，第三电极层在第一电介质层的正投影位于第一电极层在第一电介质层的正投影中。第四电极层设置于第一表面，靠近第一端，第四电极层与第一电极层间隔设置。第四电极层在第一电介质层的正投影位于第二电极层在第一电介质层的投影中。
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公开(公告)号：CN114910844A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183924.X
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三电极层。第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层包括第一子电极层、第二子电极层和连接于第一子电极层和第二子电极层之间的第一连接层。第二电极层和第三电极层宽度相等且相对间隔设置于第二表面。第二电极层、第一电介质层和第一子电极层构成第二结构电容。第三电极层、第一电介质层和第二子电极层构成第三结构电容。第一连接层的宽度小于第一子电极层的宽度。检测部位被所述第一电极层覆盖的区域减小，第一电极层的屏蔽效果减弱，反馈信号的传输能力增强，信号质量提高。
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公开(公告)号：CN114910840A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183918.4
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层和输出匹配电路。第一电极层设置于第一电极层的第一表面。第二电极层和第三电极层相对间隔设置于第一电极层的第二表面。第二电极层与第一电极层部分重叠。第三电极层与第一电极层部分重叠。输出匹配电路连接于所述第一电极层与第二电极层之间。输出匹配电路还用于与信号采集装置连接。输出匹配电路用于调节信号采集装置两端的阻抗值和谐振频率，以直接取出检测信号，减小与其他线圈配合引起的耦合伪影和噪声，检测信号质量较高，图像质量较高。
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公开(公告)号：CN114910837A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110183927.3
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，在射频发射阶段，由于所述第二结构电容上的压差较大，所述第二开关控制电路导通。所述第二外接电容被短路。只有所述第三外接电容连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间。通过设置合适的所述第三外接电容可以降低或避免所述磁场增强组件所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。通过所述第三外接电容可以使在使用所述磁场增强组件时和使用所述磁场增强组件前，磁共振系统中的受测区域磁场强度相同。因此在射频发射阶段，磁共振系统中的受测区域的磁场强度保持前后一致，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。
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