公开(公告)号：CN107129291B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710453159.2

申请日：2017-06-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 严密 ,  霍骅鑫 ,  金佳莹 ,  白国华 ,  包大新

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种具有高频低温度系数低损耗MnZn软磁铁氧体材料及其制备方法，该材料以Fe2O3：68wt％～72wt％、ZnO：5wt％～9wt％、MnO：余量为主成分，通过一次球磨、一次烧结、二次配料、二次球磨、造粒、压制成型、二次烧结等步骤制备而成。本发明的创新性在于通过合适的成分配比，离子复合掺杂与替代和材料制备技术，形成了无畴壁结构，抑制了畴壁共振，得到的MnZn功率铁氧体最高可以在5MHz的频率下工作，且该材料具有较高温度稳定性和较低功率损耗。

公开(公告)号：CN107352992A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710537797.2

申请日：2017-07-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 严密 ,  白国华 ,  霍骅鑫 ,  姜银珠 ,  金佳莹 ,  王小雨 ,  马天宇

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64 ,  H01F1/36

CPC classification number: C04B35/2658 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3418 ,  H01F1/36

Abstract: 本发明提供了一种宽频宽温低损耗锰锌铁氧体的粉末粒度控制方法。通过控制锰锌铁氧体预烧粉的烧结温度以及冷却方式，实现对锰锌铁氧体预烧粉粒度的控制，从而实现宽温宽频低损耗的目的。本发明的创新性在于采用高预烧温度，使预烧粉获得较高的铁氧体百分比，对预烧粉在高温进行快淬，提高预烧粉活性，砂磨预烧粉使其粒度达到纳米级别，而后进行低温烧结，从而获得宽频宽温低损耗的锰锌铁氧体。

公开(公告)号：CN104073660B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410248001.8

申请日：2014-06-05

Applicant: 浙江大学 ,  宁波兴德磁业有限公司

Inventor： 严密 ,  白国华 ,  吴琛

IPC: H01F1/147

Abstract: 本发明公开了一种流延成型制备金属软磁复合材料的方法。其主要步骤为：1）将钝化剂和溶剂按照钝化剂质量分数为0.1%-5%混合起来得到钝化液，将钝化液和磁性金属粉末按照质量比为0.01-1混合，搅拌，烘干，得到钝化粉；2）将钝化粉和有机溶剂，分散剂，粘结剂，增塑剂混合，搅拌均匀，并经过筛网过滤，除泡，制备得均匀弥散的浆料；3）流延成型；4）干燥，固化处理。本发明的优点是利用流延法制备的金属软磁复合材料具有电阻率高，饱和磁通密度较传统铁氧体高的特点。利用较成熟的流延工艺使薄膜金属软磁复合材料的生产工艺简单化，成本降低，在薄膜电感等电子器件的制备中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN104036906B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201410247678.X

申请日：2014-06-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吴琛 ,  白国华 ,  严密

IPC: H01F1/16 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种金属软磁复合材料的流延温等静压复合成型制备方法。1）将钝化剂和溶剂混合起来得到钝化液，将钝化液和磁性金属粉末混合，搅拌，烘干，得到钝化粉；2）将钝化粉和有机溶剂，分散剂，粘结剂，增塑剂按照一定的比例混合，搅拌均匀，并经过筛网过滤，除泡，制备得均匀弥散的浆料；3）流延成型；4）素坯温等静压压制。利用流延温等静压复合成型方法制备的金属软磁复合薄膜将固化和等静压工序简化为一道工序，电阻率高，机械强度好，密度和饱和磁通密度有很大提高。结合较成熟的流延工艺和温等静压工艺，使金属软磁复合材料的生产工艺简单化，成本降低，性能优异，在薄膜电感等电子器件的制备中有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105575771A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510931283.6

申请日：2015-12-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吴琛 ,  白国华 ,  严密

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开了一种掺杂磁性半导体梯度材料制备方法。其主要步骤为：1)将氧化物半导体粉末和磁性氧化物粉末按照磁性氧化物粉末摩尔百分数为0％～25％混合起来进行烧结，得到不同磁性元素含量的靶材；2)将不同磁性元素含量的靶材置于多靶脉冲激光沉积系统中，并放置基片，腔体真空度抽到高于5×10-5torr，室温下在基片上沉积具有不同磁性元素掺杂量的磁性半导体多层膜；3)对上述多层膜在200～700℃温度下进行热处理。本方法制备的磁性半导体薄膜不仅具有传统磁性半导体的磁性和半导体性质，而且在垂直于薄膜表面的方向上具有磁性梯度，通过多层膜中磁性元素的掺杂量调节磁性梯度制备具有垂直各向异性的磁性半导体。