一种制备大面积镓离子源的装置

    公开(公告)号:CN221827827U

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202323402058.2

    申请日:2023-12-13

    IPC分类号: H01J37/08 C23C14/34 H01J37/32

    摘要: 本实用新型公开了一种制备大面积镓离子源的装置,涉及离子源技术领域。该装置包括外壳,外壳的侧壁上具有多个气孔;冷却底座,安装在外壳内,冷却底座的顶端开设有放置槽;安装壳,安装在放置槽的槽底;内磁钢,放置在安装壳内;外磁钢,数量为两个,两个外磁钢分别安装在冷却底座相对的两侧壁上;电源,与冷却底座、内磁钢以及两个外磁钢电连接。通过内磁钢与外磁钢的配合,产生平行于架金属块表面的磁场,然后通电加速电子,在通过气孔输入工作气体,产生等离子体,等离子体中离子和电子进一步溅射电离镓金属块产生纳米级镓金属离子,因此产生电等离子体速度非常快,使得本实用新型提供的制备大面积镓离子源的装置更便于制备大面积氮化镓薄膜。

    一种射频感应耦合线性离子源

    公开(公告)号:CN209676564U

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201822222482.1

    申请日:2018-12-28

    IPC分类号: H05H1/03 H05H1/10 H05H1/46

    摘要: 本实用新型属于离子束控制技术领域,具体涉及一种射频感应耦合线性离子源,包括离子源屏蔽外壳、射频耦合天线、用于传输射频功率并隔离放电室和天线室的电介质耦合窗、用于容纳放电等离子体的等离子体放电室侧壁、用于从等离子体放电室中抽取离子束的多栅极离子束引出系统、向放电室内提供初始电子和向离子束及基材中提供中和电子的射频中和器;它能在较大尺寸范围内产生高均匀性大面积窄长线状离子束流,适用于大面积基材的离子束清洗、刻蚀、薄膜沉积等工艺。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种射频感应耦合等离子体中和器

    公开(公告)号:CN207993797U

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201721863054.6

    申请日:2017-12-27

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 本实用新型属于低温等离子体技术领域,具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本实用新型包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极,该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合,降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射,减少放电等离子体中的杂质污染,同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染,提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性,具有结构简单、无电极污染、引出电子束洁净、寿命长、工作稳定、束流强度及能量易控等优点。