使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法

    公开(公告)号:CN111448642A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201880079529.3

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 本发明提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法包括:在其上表面上设置有网部分的法拉第笼中准备蚀刻基板的步骤,所述基板具有设置在其一个表面上的金属掩模,所述金属掩模具有开口图案部分;通过使用等离子体蚀刻在蚀刻基板上形成第一图案区域的第一图案化步骤;以及在通过使用遮板遮挡网部分的至少一部分之后通过使用等离子体蚀刻在蚀刻基板上形成第二图案区域的第二图案化步骤。

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