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公开(公告)号:CN104767491B
公开(公告)日:2018-05-01
申请号:CN201510005164.8
申请日:2015-01-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 金良守
CPC classification number: H03F1/0211 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F2200/516 , H03F2201/3215
Abstract: 本发明提供一种能实现小型化和低功耗化、并能改善三阶互调失真特性的放大器。放大器(10)包括:包含第一背栅极端(B1)的第一FET(M1);包含第二背栅极端(B2)的第二FET(M2);包含第三背栅极端(B3)的第三FET(M3);用于向第一背栅极端(B1)施加电压的第一电源端子(PT1);用于向第二背栅极端(B2)施加电压的第二电源端子(PT2);以及用于向第三背栅极端(B3)施加电压的第三电源端子(PT3)。第一至第三电源端子(PT1至PT3)采用能对第一至第三电源端子(PT1至PT3)设定不同电压的结构。
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公开(公告)号:CN107785641A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201710586004.6
申请日:2017-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 金良守
IPC: H01P5/12
Abstract: 提供能进行双向检波的双向耦合器,包括:一端与第一端口连接,另一端与第二端口连接的主线路;与主线路电磁耦合的副线路;一端被接地的第一电阻器;一端被接地的第二电阻器;将副线路的一端与第一电阻器的另一端或第三端口连接的第一开关;将副线路的另一端与第二电阻器的另一端或第三端口连接的第二开关;以及设置于副线路的一端和第一开关之间或设置于副线路的另一端和第二开关之间的第三电阻器,对输入信号进行检波时,第一开关将副线路的一端与第一电阻器的另一端电连接,第二开关将副线路的另一端与第三端口电连接,对反射信号进行检波时,第一开关将副线路的一端与第三端口电连接,第二开关将副线路的另一端与第二电阻器的另一端电连接。
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公开(公告)号:CN105023852A
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201510181750.8
申请日:2015-04-16
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/49506 , H01L23/49541 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L24/48 , H01L2224/05599 , H01L2224/29139 , H01L2224/32245 , H01L2224/48177 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85005 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制高次谐波产生的半导体封装。本发明的半导体封装(101)包括:开关IC(10),该开关IC(10)具有配置有电极(11)的IC上表面(10b)和未配置有电极的IC下表面(10a),且用于高输出;连接端子(12),该连接端子(12)形成于从向开关IC(10)的厚度方向进行投影的投影区域(25)起向侧方偏移的位置;引线(13),该引线(13)电连接电极(11)与连接端子(12);以及模塑树脂部(14),该模塑树脂部(14)覆盖IC上表面(10b)和引线(13),并覆盖连接端子(12)的与引线(13)相连接的一侧的面(12b)。连接端子(12)的与引线(13)相连接的一侧的面(12b)的相反侧的面(12a)没有被模塑树脂部(14)覆盖而露出。IC下表面(10a)没有被金属覆盖。
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