公开(公告)号：CN203481212U

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201320259491.2

申请日：2013-05-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大泷笃史 ,  大山茂

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/34 ,  B23K1/00 ,  B23K1/0012 ,  B23K1/19 ,  B23K20/023 ,  B23K20/04 ,  B23K2101/14 ,  B23K2103/10 ,  B23K2103/14 ,  B23K2103/18 ,  B23K2103/26 ,  F28F21/084 ,  F28F21/087 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型提供一种冷却器以及半导体模块，该冷却器具有使Ni层(3)、Ti层(5)和Al层(6)接合一体化为层压状的层压材料(2)，该Ni层(2)具有用于使被冷却体(16)通过软钎焊而接合的上表面(3a)且由Ni或Ni合金形成，该Ti层(5)配置在Ni层(3)的下表面侧且由Ti或Ti合金形成，该Al层(6)配置在Ti层(5)的下表面侧且由Al或Al合金形成。层压材料(2)的Al层(6)的下表面与冷却器主体(10)的冷却面(10a)经由硬钎焊材料层(12)而接合。