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发明公开
成膜装置及成膜方法审中-实审

公开(公告)号：CN118510939A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202380016467.2

申请日：2023-04-27

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 长町学 , 安藤瞭汰 , 辰巳夏生 , 安东靖典

IPC: C23C16/27 , H05H1/46 , C30B29/04 , C23C16/505 , H01L21/205

Abstract: 一种成膜装置，包括：真空容器，配置有基材；天线，在所述真空容器内产生感应耦合型等离子体，且具有电相互串联连接的导体部件与电容元件；高频电源，向所述天线供给高频电流；以及气体供给机构，向所述真空容器内供给包含C、H及O的原料气体，通过等离子体CVD法在所述真空容器内的所述基材上形成碳系薄膜，所述等离子体CVD法使用了通过在所述天线流动高频电流而在所述真空容器内产生的感应耦合型等离子体。

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