公开(公告)号：CN118675794A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410291820.4

申请日：2024-03-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 鸦田泰介 ,  藤野望

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向一侧依次具备基材层(2)和透明导电层(3)。对于利用热机械分析装置测定的尺寸变化率，基材层(2)或透明导电性薄膜(1)在30℃以上且140℃以下之间具有峰。尺寸变化率为：在与厚度方向正交的面方向上，基材层(2)或透明导电性薄膜(1)在与165℃下加热处理60分钟后的热收缩率为最大的方向正交的方向上的尺寸变化率。透明导电层(3)含有原子序数比氩大的稀有气体原子。

公开(公告)号：CN115315758B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202180021801.4

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/04 ,  B32B9/00 ,  H01L31/0224 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/022 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备树脂薄膜(11)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)在与厚度方向(D)正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力，且在与厚度方向(D)和面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力。第二压缩残留应力相对于第一压缩残留应力的比率为0.82以下。

公开(公告)号：CN116848593A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013108.7

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B1/20

Abstract: 透明导电层(1A)含有原子序数比氩大的稀有气体。透明导电层(1B)的厚度超过40nm。对透明导电层(1A、1B)进行X射线衍射时的(440)面的峰的半值宽度超过0.27度。

公开(公告)号：CN116547139A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202280007620.0

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: B32B7/023

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)包含氧化锡比例不足10质量％的铟锡复合氧化物层。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第1电阻值R1与第2电阻值R2的差R1‑R2为1.5Ω/□以上。

公开(公告)号：CN115428100A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180029708.8

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  H05K9/00 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  B32B27/36 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00

Abstract: 透光性导电薄膜(10)沿着厚度方向依次具备树脂层(11)和透光性导电层(1)。透光性导电层(1)具有第一主面(2)、以及在第一主面(2)的厚度方向的一面侧隔着间隔相对配置的第二主面(3)。第一主面(2)或第二主面(3)接触树脂层(11)。透光性导电层(1)具有在面方向上延伸的单一层。透光性导电层(1)包含导电性氧化物。导电性氧化物含有氩和原子序数比氩大的稀有气体。

公开(公告)号：CN115298756A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021682.2

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 鸦田泰介 ,  藤野望 ,  鹰尾宽行

IPC: H01B5/14 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/52 ,  H05K9/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜的制造方法包括：准备工序，其准备透明基材(10)；以及成膜工序，其利用溅射法将透光性导电材料成膜在透明基材(10)上，形成非晶质的透光性导电层(20)。在成膜工序的溅射法中，使用包含原子序数比氩大的稀有气体的溅射气体，并且，在成膜气压为0.04Pa以上且0.9Pa以下的条件下，对透光性导电材料进行成膜。

公开(公告)号：CN115667573B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202180038168.X

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/023 ,  B32B9/00 ,  B32B37/14 ,  H01B5/14

Abstract: 透光性导电性片(1)的制造方法中，通过对多个靶(51)、(52)、(53)、(54)分别施加电力的多次溅射，于基材片(2)形成透光性导电层(3)。该方法具备下述工序：第一工序，对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟‑锡复合氧化物形成的第一靶(51)施加电力，于基材片(2)形成内侧层(6)；以及，第二工序，对由铟‑锡复合氧化物形成的第二靶(52)、由铟‑锡复合氧化物形成的第三靶(53)及由铟‑锡复合氧化物形成的第四靶(54)分别施加电力，于内侧层(6)形成外侧层(22)。第一靶(51)的电力密度P1相对于第二靶(52)、第三靶(53)及第四靶(54)的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下。

公开(公告)号：CN118782297A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202411017966.6

申请日：2021-03-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪。透光性导电层(20)中的压缩残余应力小于490MPa。

公开(公告)号：CN118737525A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410362670.1

申请日：2024-03-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田边凌祐 ,  竹安智宏 ,  藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14

Abstract: 一种透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(H)依次具备透明基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)具有100nm以上的厚度。透明导电层(20)从透明基材(10)侧起依次具有非晶质层(21)和结晶质层(22)。非晶质层(21)厚于结晶质层(22)。

公开(公告)号：CN118675795A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410291822.3

申请日：2024-03-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 鸦田泰介 ,  藤野望

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明涉及透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向一侧依次具备基材层(2)和透明导电层(3)。在与厚度方向正交的面方向上，透明导电性薄膜(1)的、在与165℃下加热处理60分钟后的热收缩率为最大的方向正交的方向上的、90℃以上且160℃以下的线膨胀系数αb与40℃以上且90℃以下的线膨胀系数αa的比(αb/αa)为3.50以上。在透明导电性薄膜的热收缩率为最大的方向上，透明导电层(3)的压缩应力小于710MPa。透明导电层(3)含有原子序数比氩大的稀有气体原子。