电流谐振式感应逆变装置
    31.
    实用新型

    公开(公告)号:CN202475302U

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201220078372.2

    申请日:2012-03-05

    CPC classification number: Y02B70/1441

    Abstract: 本实用新型公开一种电流谐振式感应逆变装置,属于逆变设备技术领域,包括三相不可控整流电源,电解电容C1,不可控整流输出的正极端A、电解电容C1的正极端连接绝缘栅双极晶体管IGBT1和IGBT2的集电极,不可控整流电源的负极端B、电解电容C1的负极端连接绝缘栅双极晶体管IGBT3和IGBT4的发射极,绝缘栅双极晶体管IGBT1的发射极、绝缘栅双极晶体管IGBT3的集电极连接差模电感T1的输入端,绝缘栅双极晶体管IGBT2的发射极、绝缘栅双极晶体管IGBT4的集电极连接差模电感T1的另一输入端,差模电感T1的两个输入端为异名端,差模电感T1的两个输出端分别连接补偿电容C2和感应加热线圈T2的两端。有益效果是保证加热功率的同时简化电路结构,可以控制电源功率,进而实现温度的精确控制。

    一种IGBT短路故障快速保护电路

    公开(公告)号:CN210297240U

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201920970717.7

    申请日:2019-06-25

    Abstract: 本实用新型提供一种IGBT短路故障快速保护电路,包括短路检测电路,门逻辑电路和放大电路。利用发生短路时与正常开通状态相比,门极电压与集电极电压不同的变化状态进行短路故障检测,通过逻辑电路控制推挽放大电路,及时将IGBT关断。本实用新型能够提高短路故障检测速率,所需的短路检测器件及检测电路简单,容易实现。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路

    公开(公告)号:CN209250609U

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201822039694.6

    申请日:2018-12-05

    Abstract: 本实用新型提供一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路及方法,包括:逻辑电路,推挽放大器,栅压切换电路以及栅压检测电路。当发生二类短路时,栅极电压将会发生突变,形成较高的电压尖峰,本实用新型通过对栅极电压进行检测,当栅极电压上升到一定阈值时,将栅极驱动电压切换为较低值,根据栅极电压与短路电流呈正关系特性,其短路电流将会减小,从而减小短路对SiC MOSFET的冲击,提高器件的短路耐受能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种大功率NPC三电平逆变器短路电流在线检测系统

    公开(公告)号:CN208969188U

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201821617492.9

    申请日:2018-10-01

    Abstract: 本实用新型提供一种大功率NPC三电平逆变器短路电流在线检测系统,包括:di/dt检测单元,电流还原单元,短路检测单元,短路路径识别单元,电流状态显示单元。该系统在逆变器发生短路时仅需根据每相的正、负母线和负载电流以及电流变化速率即可迅速判断短路类别,识别故障线路,有助于分析短路故障原因。与现有的电流在线检测方法相比,该方法减少了电流检测单元,具有更好的实际可操作性,更强的检测功能和更低的检测成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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