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公开(公告)号：CN110249410A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009510.1
申请日：2018-01-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , A·B·玛里克 , S·辛哈罗伊 , T·越泽
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/3213
Abstract: 本公开内容的实施例总体上关于集成电路的制造。更具体地，本文所述的实施例提供在基板上沉积硬掩模膜的技术。在一个实施例中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。方法包括通过在处理腔室中供应籽晶层气体混合物来在基板上形成籽晶层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物来在籽晶层上形成包括钨、硼和碳的过渡层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应主要沉积气体混合物来在过渡层上形成包括钨、硼和碳的块体硬掩模层。
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