一种防止金属镓滴融合的保护壳层结构及其制备方法和应用方法

    公开(公告)号:CN115156528B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202210606850.0

    申请日:2022-05-31

    IPC分类号: B22F1/17

    摘要: 本发明属于功能材料领域,具体为一种防止金属镓滴融合的保护壳层结构及其制备方法和应用方法。该保护壳层结构包括聚乙烯片和与聚乙烯片粘接在一起铜箔片,铜箔片与聚乙烯片的外接圆直径之比为1:10至1:2。本发明受到亲水‑疏水基肥皂分子的启发,利用铜与镓表面常温接触迅速形成铜镓合金产生强粘附而聚乙烯与镓不浸润的特性,设计出铜箔@聚乙烯的保护壳层结构,可以有效的避免液态金属镓液滴之间在酸/碱性溶液的聚合。

    一种防止金属镓滴融合的保护壳层结构及其制备方法和应用方法

    公开(公告)号:CN115156528A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210606850.0

    申请日:2022-05-31

    IPC分类号: B22F1/17

    摘要: 本发明属于功能材料领域,具体为一种防止金属镓滴融合的保护壳层结构及其制备方法和应用方法。该保护壳层结构包括聚乙烯片和与聚乙烯片粘接在一起铜箔片,铜箔片与聚乙烯片的外接圆直径之比为1:10至1:2。本发明受到亲水‑疏水基肥皂分子的启发,利用铜与镓表面常温接触迅速形成铜镓合金产生强粘附而聚乙烯与镓不浸润的特性,设计出铜箔@聚乙烯的保护壳层结构,可以有效的避免液态金属镓液滴之间在酸/碱性溶液的聚合。

    一种能驱动金属镓滴移动的壳层结构及其制备方法和应用方法

    公开(公告)号:CN115121795A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210606151.6

    申请日:2022-05-31

    IPC分类号: B22F1/17

    摘要: 本发明涉及功能材料领域,具体为一种能驱动金属镓滴移动的壳层结构及其制备方法和应用方法,壳层结构包括泡沫镍片和与泡沫镍片粘接在一起铜箔片,铜箔片与泡沫镍片的外接直径之比为1:1至1:2。与现有技术相比,本发明利用铜与镓表面常温接触迅速形成铜镓合金产生强粘附而泡沫镍与镓不浸润的特性,设计铜箔@泡沫镍壳层结构用以液态金属镓,该结构对静磁场响应十分显著,通过静磁场可以驱动金属镓液滴的移动。同时该结构内侧与液态金属镓表面具有强粘附力,但外侧与镓完全不浸润,可以有效的避免液态金属镓液滴之间在酸/碱性溶液的聚合。

    一种物理接触快速可逆变色的液态金属复合材料及其应用

    公开(公告)号:CN114150197B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202111333056.5

    申请日:2021-11-11

    发明人: 戴菡 赵俊凤 王政

    IPC分类号: C22C28/00 C09K9/00 C22C1/10

    摘要: 本发明属于功能材料技术领域,特别涉及一种物理接触快速可逆变色的液态金属复合材料及其制备方法和应用,这一种物理接触快速可逆变色的液态金属复合材料,包括镓和石墨。本发明无需外部激励源,仅通过物理接触就可以实现快速可逆变色。该材料为液态金属机器人的表面颜色伪装提供了新的有效技术手段,为低功耗液态金属显色材料的开发及产业化应用提供了新思路。本发明专利用简单的材料合成工艺,无特殊条件要求、操作容易、设备要求简单,易于规模化生产。

    一种基于等离子激元效应电场辅助Ag纳米线自身形貌修复方法

    公开(公告)号:CN106904570B

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201710130047.3

    申请日:2017-03-07

    IPC分类号: B82B3/00 B82Y30/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种基于等离子激元效应电场辅助金属Ag纳米线自身形貌修复方法,采用了Ag纳米线表面施加光照结合电场的工艺过程,利用简单的流体铺展工艺,通过原子力显微镜探针拨动,将Ag纳米线置于在银膜电极间,通过同时施加光照与电场对置于在银膜电极间的Ag纳米线样品进行表面修复,采用该技术可以修复位于银纳米表面深度达到10 nm左右的缺陷,修复后的Ag纳米线的表面形貌接近或达到原始形貌,为提高金属纳米结构缺陷修复精度与效率提供新的技术手段。

    基于湿法刻蚀硅表面镶嵌Ag纳米线陷光结构的制备方法

    公开(公告)号:CN107302040B

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201710480910.8

    申请日:2017-06-22

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0236

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 本发明涉及基于湿法刻蚀硅表面镶嵌Ag纳米线陷光结构的制备方法,本发明采用低功率超声分散的手段,在乙醇溶液中对Ag纳米线进行有效的分散;将分散好的Ag纳米线通过旋涂的方式均匀涂布于硅片的表面;通过退火的方式,提高Ag纳米线与硅片之间的接触。通过刻蚀液刻蚀,将Ag纳米线镶嵌入硅表面,制备出新型复合陷光降阻增效结构。该结构显著的增大Ag纳米线与硅表面的接触面积,同时在可见光频谱范围内极大的提升Ag纳米线在硅内的陷光能力。本发明的设计与制备工艺为提高硅薄膜太阳能电池与LED等器件的效率提供新的技术手段。