公开(公告)号：CN110004459A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910348894.6

申请日：2019-04-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  李婉青 ,  陈志成 ,  项曙光 ,  胡鑫

IPC: C25B3/04 ,  C25B1/00 ,  C25B11/06 ,  B01J27/047

Abstract: 本发明公开了一种驱动二氧化碳还原的异质结光阳极及其制备方法和应用，其是首先通过水热法合成WO3纳米片阵列，然后采用二次水热法在WO3纳米片表面生长Bi2S3纳米材料，从而获得用于驱动CO2还原的WO3/Bi2S3异质结光阳极。与原始的WO3光阳极相比，本发明所构建的WO3/Bi2S3异质结光阳极表现出更优异的光电化学性能和光电催化能力。

公开(公告)号：CN108155029A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711472612.0

申请日：2017-12-29

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  晋华东 ,  操梦雅 ,  李盼盼 ,  李婉青 ,  陈志成

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/46

CPC classification number: Y02E60/13 ,  H01G11/86 ,  H01G11/24 ,  H01G11/46

Abstract: 本发明公开了一种三元金属氧化物纳米结构超级电容器电极的制备方法，其是首先通过水热法制备MoO3，然后再通过其制得三元Zn3Mo2O9纳米圆环薄片材料，最后将Zn3Mo2O9作为活性物质与导电物质、粘合剂混合制得电极。本发明方法制备的Zn3Mo2O9电极比电容高达1184.6F g-1，是目前基于此材料在相同测试条件下公开报导的最高值；且电极在1000次恒流充放电后比电容的保持率仍可达到71.3％，电容保持率较高。

公开(公告)号：CN108155028A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711470090.0

申请日：2017-12-29

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李国华 ,  操梦雅 ,  李盼盼 ,  晋华东 ,  李婉青 ,  陈志成

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  C01G39/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其是首先通过两步水热法合成不同尺寸大小的类花状MoS2纳米球，然后将其作为活性物质与导电物质、粘合剂混合制得高比电容的电极。本发明所得电极比电容可达到932F g-1，是目前基于此材料在相同测试条件下公开报道的最高值，且电极在1000次恒流充放电后比电容的保持率仍可达到78％。