电磁阀阀体耐压强度试验工装和测试方法

    公开(公告)号:CN118032333A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410192226.X

    申请日:2024-02-21

    Abstract: 本发明公开了一种电磁阀阀体耐压强度试验工装和测试方法。电磁阀阀体耐压强度试验工装包括进口端头、出口底座、支撑块、导向块、进口密封胶圈、进口挡圈、出口密封胶圈和出口挡圈,出口底座上设置有定位孔,进口端头上设置有与定位孔相对应的定位螺纹孔,待测阀体位于进口端头与出口底座之间,紧固螺栓穿过定位孔与定位螺纹孔相配合以固定待测阀体;进口端头上形成的密封槽内设有进口密封胶圈和进口挡圈;待测阀体的左侧出口端环形槽内自左向右依次设有出口密封胶圈、出口挡圈和支撑块,阀体的右侧进口端设有导向块。其能够保证阀体进出口充分密封,避免因工装锁固后对阀体产生夹紧压力造成阀体机械变形,保证阀体耐压强度试验的检验结果可靠性。

    基于Labview的高速图像采集方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117412157A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311258331.0

    申请日:2023-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于Labview的高速图像采集方法,包括配置器材,建立图像采集缓存空间并对图像采集缓存空间内存进行计算;抓取外界图像,并将其一毫秒内图像内存大小进行计算;根据计算结果与图像采集缓存空间内存大小之间进行关联计算;对图像采集缓存空间内存大小调整,设临时存储空间;判断采集图像状态,自动采集;生成采集像素集并通过临时存储空间进行缓存处理;每获取一帧图像缓存时,及时实时存储;对图像采集缓存空间内存大小阈值进行识别,更改状态;将图像还原出不同曝光时刻的图像;对图像进行二维转换并通过Labview板卡进行图像显示处理;对图像显示处理后停止拍摄,并清理空间。该方法处理效率高,能够高效保障图像质量。

    微波等离子体炬结构
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116437551A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310266751.7

    申请日:2023-03-15

    Abstract: 本发明公开一种微波等离子体炬结构,火炬基座为圆柱形腔体,底部中心形成有通孔,通孔靠近底部一侧的孔径最大且中间孔径最小;喷管固接至通孔的顶部,喷管内安装有分流筒,分流筒内安装有喷杆;中进气管固接在通孔的底部,边进气管固接在火炬基座一侧外壁上并沿切线方向延伸至圆柱形腔体内,耦合环套设并固定在喷管的外部并朝向同轴输入窗组件延伸;耦合环、边进气管和同轴输入窗组件的中心在同一高度上,炬帽装配至火炬基座上;内导体与耦合环连接,内导体外套设有绝缘瓷,同轴窗外壳安装在绝缘瓷外部并连接至火炬基座。其产生的微波等离子体饱满均匀,具有效率高、工作稳定和寿命长的特点,能够应用在对等离子体要求较高的场景中。

    用于镍系铁氧体与钨铜基板的焊接方法

    公开(公告)号:CN115770917A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202211657896.1

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本发明公开了镍系铁氧体与钨铜基板焊接领域的一种用于镍系铁氧体与钨铜基板的焊接方法,包括以下步骤:清洗镍系铁氧体和钨铜合金,在100‑150℃烘箱中烘干后,取出降至室温;将镍系铁氧体放入到真空镀膜设备中,在表面镀上金属过渡层;将钨铜合金放入到真空镀膜设备中,在表面镀上铜层;将镍系铁氧体和钨铜合金通过Sn‑Ag合金焊料在真空下进行钎焊,焊接温度为250‑300℃,升温速率为0.5‑3℃/min,保温5‑60min,然后自然冷却到室温。本发明的镍系铁氧体与钨铜合金的焊接方法,在300℃以下可以实现镍系铁氧体与钨铜合金的有效焊接,焊接层的剪切强度大于15MPa,解决了高温钎焊带来的铁氧体破裂以及性能衰减问题,同时降低了钎焊带来的应力问题。

    L波段下变频器
    35.
    发明公开
    L波段下变频器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114900132A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210441688.1

    申请日:2022-04-26

    Abstract: 本发明提供一种L波段下变频器,包括:本振模块,所述本振模块由相互独立的一本振模块和二本振模块组成,通过接收外部参考信号,输出本振信号至所述变频模块;射频输入模块,所述射频输入模块将输入的L波段射频输入信号通过开关切换至不同滤波器通道,再通过开关切换至中频输出模块;中频输出模块,所述中频输出模块与本振信号进行下变频变换后输出中频信号;控制模块,所述控制模块连接于所述本振模块,用以进行频率的控制和开关状态的反馈;电源模块,包括两路线性稳压芯片,线性稳压芯片和射频输入模块、中频输出模块、本振模块和控制模块相连接,实现L波段输入信号1410MHz~1510MHz,1610MHz~1710MHz通过下变频的方式输出220MHz~260MHz中频信号。

    一种小型化宽抑制带低通微带滤波器

    公开(公告)号:CN113285194A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110591881.9

    申请日:2021-05-28

    Abstract: 一种小型化宽抑制带低通微带滤波器,属于滤波器技术领域,该滤波器包括由下而上依次设置的接地层、介质基板和刻蚀电路层,刻蚀电路层包括信号输入端口、信号输出端口、多弯形谐振器和开路枝节模块,信号输入端口和信号输出端口处分别连接有多弯形谐振器,两个多弯形谐振器之间通过信号传输线相连,信号传输线的两侧分别设置开路枝节模块,本发明的有益效果是,本发明涉及的滤波器整体结构简单,尺寸小,加工成本低,具有通带损耗低且抑制带宽的特性,可以应用于要求滤除更广杂波的微波电路当中。

    一种P波段低噪声放大器的制作工艺

    公开(公告)号:CN109714009A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201811560615.4

    申请日:2018-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种P波段低噪声放大器的制作工艺,包括以下步骤:1、将元器件烧结到电路板上;2、将绝缘子和已表贴元器件的电路板烧结到壳体上;3、将滤波器烧结到壳体上;4、胶接芯片;5、在相应位置金丝键合;6、调试、测试、封盖、打标。采用上述技术方案,所述的P波段低噪声放大器输出功率高、增益高、低噪声、宽频带、高性能;经过本发明制造生产的P波段低噪声放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试,各项性能指标完全达到整机要求;该制造工艺流程科学、简便,生产的产品合格率较高,适合批量生产。

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