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公开(公告)号:CN205508826U
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201620147905.6
申请日:2016-02-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/10
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件领域,提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件,所述HEMT器件包括:层叠设置的衬底、缓冲层、i-GaN层、栅介质层和钝化层,i-GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形;包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极;包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极;包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极,栅电极的截面呈“Z”字形,栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方,下平面位于阶梯形下层的上方;依次穿过钝化层和栅介质层、且与源电极接触的源电极焊盘;依次穿过钝化层和栅介质层、且与漏电极接触的漏电极焊盘。本实用新型能减小栅极开启沟道的长度,降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。
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公开(公告)号:CN208142227U
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201820687877.6
申请日:2018-05-04
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L41/053 , H01L41/08 , H01L41/113 , H01L41/27 , H01L41/317 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本实用新型属于纳米发电机技术领域,提供了一种Spiro‑MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机。纳米发电机结构包括氧化锌纳米线阵列、氧化锌籽晶层、Spiro‑MeOTAD有机涂覆层、导电基底、上电极、引线和封装层。导电基底作为发电机的下电极,氧化锌纳米线阵列生长在覆盖有氧化锌籽晶层的导电基底上,Spiro‑MeOTAD有机涂覆层覆盖于氧化锌纳米线表面,形成PN结结构;氧化锌纳米线阵列上方设有上电极,上电极和导电基底用两根引线引出作为电流电压的输出端,最后整个器件用封装层包裹。本实用新型PN结压电式纳米发电机结构简单紧凑、制备工艺简单、并采用特殊方式使输出性能得到大幅提高。
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公开(公告)号:CN2793100Y
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200420012615.8
申请日:2004-10-19
Applicant: 吉林大学 , 大连理工大学 , 沈阳市超高真空应用技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/02
Abstract: 本实用新型涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的低压金属有机化学气相淀积设备。设备由气体输运系统、反应室(101)、与反应室相联的衬底样品预处理室(102)、控制系统、尾气处理系统等部分构成。与反应室相联的衬底样品预处理室(102)由衬底样品预处理室由预处理室外壁(21)、样品托盘架(22)、样品台(23)、预处理室抽气孔(24)、等离子发生器(25)、等离子发生器装置法兰(26)、衬底样品预处理室与反应室的连接闸板阀(27)、闸板阀法兰(28)、磁力传送杆(29)、磁套(30)、传送杆法兰(31)等部件构成。本实用新型的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性,有利于p型或高阻掺杂。
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