电子发射元件及使用其的成像装置

    公开(公告)号:CN100422866C

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200480010842.X

    申请日:2004-04-13

    CPC classification number: G03G15/0291

    Abstract: 电子发射元件(11),由在上部电极(16)和下部电极(13)之间的半导体层(14)构成,其特点在于,上述半导体层(14)的半导体表面上具有吸附有机化合物的有机化合物吸附层(15)。在此,上述半导体层(14)由硅或者多晶硅构成,其可部分或者全部多孔质。另外,被吸附的上述有机化合物,非环烃可以为至少结合醛基的化合物或者具有不饱和键的非环烃。结果,可提供在大气压中或者低真空中均可稳定工作的电子发射元件以及使用其的成像装置。

    离子生成装置以及离子迁移率分析装置

    公开(公告)号:CN114624327B

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202111439750.5

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 提供一种能够使用电子发射元件生成正离子的离子生成装置。本发明的离子生成装置具备:电子发射元件、对置电极以及控制部,所述电子发射元件包括:下部电极;表面电极;以及配置于所述下部电极与所述表面电极之间的中间层,所述对置电极以与所述表面电极相对的方式配置,所述控制部设置成:对所述表面电极、所述下部电极或者所述对置电极施加电压,使得在生成正离子的正离子模式下,所述表面电极的电位高于所述下部电极的电位以及所述对置电极的电位。

    分析装置
    37.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112098499B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202010549864.4

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明的分析装置包括:电子发射元件、检测部、电场形成部、静电栅电极和控制部,所述电子发射元件设置为具有下部电极、表面电极以及中间层,且在电子发射元件和静电栅电极之间的离子化区域内由发射的电子直接或间接地生成阴离子,静电栅电极被设置为控制阴离子向静电栅电极和检测部之间的漂移区域的注入,检测部被设置为检测通过上述电位梯度在漂移区域可移动的阴离子,控制部被设置为在下部电极和表面电极之间施加脉冲电压,且设置为在脉冲电压为导通的时间内向静电栅电极施加电压,以使静电栅电极将阴离子注入漂移区域。

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