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    显示基板以及显示装置
    31.
    发明公开
    显示基板以及显示装置 有权

    公开(公告)号：CN108352138A

    公开(公告)日：2018-07-31

    申请号：CN201680061839.3

    申请日：2016-11-01

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

    IPC分类号： G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

    摘要： 阵列基板11b包括：多个输入端子部28；第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20，使第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a配设于多个输入端子部28与显示区域AA之间；多个端子布线部29，配设于第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20的上层侧而跨越第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a并且与多个输入端子部28连接；第二平坦化膜22，其配设于多个端子布线部29的上层侧且第二平坦化膜端部22a配设于比第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a靠输入端子部28侧；以及多个保护部30，配设于第二平坦化膜22的上层侧而分别覆盖多个端子布线部29中的与第二平坦化膜22非重叠的部分。

    显示装置
    34.
    发明授权
    显示装置 有权

    公开(公告)号：CN113287368B

    公开(公告)日：2024-02-06

    申请号：CN201980088682.7

    申请日：2019-01-17

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  神崎庸辅 ,  山中雅贵 ,  孙屹

    IPC分类号： G09F9/00

    摘要： 包括；第一树脂层(8)，在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜(17)中，以将沿着弯曲部(B)的延伸方向形成的狭缝(S)填埋的方式设置；以及多个第一引绕配线(18h)，设置在第一树脂层平行地延伸，在第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)之间，与第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)接触，并且以与各第一引绕配线(18h)的至少一部分重叠的方式设置有第一保护层(7a)。(8)上，与弯曲部(B)的延伸方向正交的方向互相

    显示装置和显示装置的制造方法
    35.
    发明公开
    显示装置和显示装置的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115428059A

    公开(公告)日：2022-12-02

    申请号：CN202080099716.5

    申请日：2020-04-20

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 神崎庸辅 ,  齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  孙屹

    IPC分类号： G09F9/30

    摘要： 本公开的显示装置具有：显示区域(2)，其包含薄膜晶体管；边框区域(F)，其包围上述显示区域；端子部(T)，其设置于上述边框区域；树脂层(8)，其设置在基材(7)的上方；无机绝缘层(9)，其设置在上述树脂层之上，具有开口部(10)；以及导电图案(11)，其在上述开口部(10)的上侧的位置以外的位置设置在上述无机绝缘层(9)之上。

    显示装置及其制造方法
    36.
    发明公开
    显示装置及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115398514A

    公开(公告)日：2022-11-25

    申请号：CN202080099144.0

    申请日：2020-04-09

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  神崎庸辅 ,  孙屹

    IPC分类号： G09F9/30

    摘要： 在显示区域内设置有非显示区域(N)，在非显示区域(N)中设置有贯通孔(H)，在非显示区域(N)中以包围贯通孔(H)的方式设置有多个内侧凸部(C)，各内侧凸部(C)的下层树脂层(8a)被形成于树脂基板层(10)的多个内侧狭缝(Sa)分离，多条显示用布线(14g)的一部分被贯通孔(H)断开，最靠显示区域侧的内侧狭缝(Sa)的底部的第一非显示导电层(34b)以与被贯通孔(H)断开的显示用布线(14g)中的靠贯通孔(H)侧的一个端部以及靠贯通孔(H)侧的另一个端部重叠的方式设置。

    显示装置
    38.
    发明公开
    显示装置 有权

    公开(公告)号：CN112740309A

    公开(公告)日：2021-04-30

    申请号：CN201880097809.7

    申请日：2018-09-21

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  神崎庸辅 ,  金子诚二 ,  孙屹

    IPC分类号： G09F9/30

    摘要： 由第一金属膜形成的第一金属层(14fa、14fb)沿着相邻的一对第三配线(18f、18g)呈岛状设置，使得与由相互平行地延伸由第一金属膜形成的多条第一配线(14d、14e)中的相邻的一对第一配线(14d、14e)，以及在与各第一配线(14d、14e)交叉的方向上相互平行地延伸的多条第三配线(18f、18g)中的相邻的一对第三配线(18f、18g)包围的区域重叠。

    有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板
    39.
    发明公开
    有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板 有权

    公开(公告)号：CN112655038A

    公开(公告)日：2021-04-13

    申请号：CN201880097155.8

    申请日：2018-09-06

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  神崎庸辅 ,  孙屹 ,  山中雅贵 ,  金子诚二

    IPC分类号： G09F9/00 ,  G09F9/30

    摘要： 在有源矩阵基板的制造方法中，形成基底无机绝缘膜的工序包括：在基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；通过第一灰化处理，在抗蚀剂的表面形成凹凸面的灰化处理工序；以及接着灰化处理工序，通过进行第二灰化处理和基底无机绝缘膜的蚀刻处理，使基底无机绝缘膜的表面粗面化的粗面化工序。在形成半导体膜的工序中，半导体膜的至少一部分仿照基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。

    半导体装置及其制造方法
    40.
    发明授权
    半导体装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108496244B

    公开(公告)日：2021-04-13

    申请号：CN201780008343.4

    申请日：2017-01-16

    申请人： 夏普株式会社

    发明人： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

    IPC分类号： H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

    摘要： 半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。