-
公开(公告)号:CN108649041B
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN201810336841.8
申请日:2018-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体为一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法。本发明的芯片封装结构,包括:具有上下两个凹槽的基板;芯片贴合在底部凹槽中;顶部凹槽中注入有塑模材料;第一引线柱若干根,分设于基板底部凹槽内侧;第二引线柱若干根,分设于芯片四周,第一引线柱与第二引线柱一一对应,且两者贴合;以及封装用光学玻璃。本发明通过带有凹槽的基板将芯片黏合至底部凹槽中,所得结构相比传统的四方无引脚扁平封装可减少25%的体积;利用铜柱作为接合垫取代传统的引线框架,使基板制造与成型在一步工艺完成,从而满足高密度封装要求;本发明制作成本较低,比晶圆级封装和3D封装更具实际应用价值。
-
公开(公告)号:CN109273468A
公开(公告)日:2019-01-25
申请号:CN201811033738.2
申请日:2018-09-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体为一种三维硅通孔结构CMOS图像传感器及其制备方法。本发明方法包括:在制作在硅衬底上的CMOS图像传感器芯片层的周围形成作为支架的聚合物腔壁;将聚光源玻璃与聚合物腔壁上表面相互粘合,形成空气腔;将硅衬底减薄处理至预设厚度,并进行应力消除;在硅衬底上形成浅沟槽和通孔,制作电极;将聚光源玻璃和彩色滤光片进行粘合;制作硅通孔插入层;将CMOS图像传感器芯片层和硅通孔插入层进行互连。本发明能够快速高效地实现三维封装集成;本发明通过聚合物来支撑粘合聚光源玻璃层形成空气腔,能够有效保护CMOS图像传感器;器件能够在小尺寸的情况下提高对光的吸收能力,从而提高灵敏度。
-
公开(公告)号:CN115084249A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210609915.7
申请日:2022-05-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/43 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/445 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种柔性二维铁电神经突触晶体管及其制备方法。该柔性二维铁电神经突触晶体管包括:柔性衬底;栅极,其为有机导电聚合物薄膜,形成在所述柔性衬底上;栅介质层,其为有机铁电聚合物薄膜,形成在所述栅极上;沟道,其为二维半导体薄膜,形成在所述栅介质层上;源极和漏极,其为有机导电聚合物薄膜,形成在所述沟道两侧,在不同弯折状态下实现神经突触特性模拟,获得稳定的神经突触短时程可塑性,用于高度耐弯曲的可穿戴神经形态计算电子设备。
-
公开(公告)号:CN110265547B
公开(公告)日:2020-12-22
申请号:CN201910512415.X
申请日:2019-06-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体为一种基于CMOS后端工艺的柔性3D存储器的制备方法。本发明包括以下步骤:提供柔性衬底;利用硬掩膜,采用低温溅射方法生长第一电极;在第一电极上形成阻变功能层;利用硬掩膜,采用低温溅射方法生长第二电极;在第二电极上形成阻变功能层;交替重复上述两步骤,形成具有多层阻变功能层的柔性3D存储器,其中,位于各层的第一电极的位置不相重叠,位于各层的第二电极的位置不相重叠,并且位于顶层的第二电极形成后,不再形成阻变功能层。本发明简化了工艺过程,降低了成本;制备过程全采用CMOS后端生产工艺,为柔性3D存储器的进一步发展应用提供基础。
-
公开(公告)号:CN108649041A
公开(公告)日:2018-10-12
申请号:CN201810336841.8
申请日:2018-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体为一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法。本发明的芯片封装结构,包括:具有上下两个凹槽的基板;芯片贴合在底部凹槽中;顶部凹槽中注入有塑模材料;第一引线柱若干根,分设于基板底部凹槽内侧;第二引线柱若干根,分设于芯片四周,第一引线柱与第二引线柱一一对应,且两者贴合;以及封装用光学玻璃。本发明通过带有凹槽的基板将芯片黏合至底部凹槽中,所得结构相比传统的四方无引脚扁平封装可减少25%的体积;利用铜柱作为接合垫取代传统的引线框架,使基板制造与成型在一步工艺完成,从而满足高密度封装要求;本发明制作成本较低,比晶圆级封装和3D封装更具实际应用价值。
-
-
-
-