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公开(公告)号：CN103972022B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410167541.3
申请日：2014-04-24
Applicant: 复旦大学 , 中国环境监测总站 , 聚光科技(杭州)股份有限公司
Abstract: 本发明属于质量分析仪器的技术领域，具体为一种含高阶场成分的线性离子阱。本发明的线性离子阱由两对不同的横截面为梯形与圆弧组合图形的柱状电极围绕着一中心对称轴合围而成；相邻的两根电极形状不同，相对的电极形状完全相同；梯形为等腰梯形，圆弧与梯形的两腰相切，切点为梯形的两个顶点，该顶点为梯形较短的底边与两腰的交点。两对电极不同之处在于该圆弧的圆心角或半径不同，梯形的底角或高也相应不同，由于两对电极的不对称性而引入较多高阶场成分，如八极场、十二极场等。一定量高阶场成分的引入有利于提高质量分析的性能。本发明可以用于离子存储，也可以用于质量分析。本发明引入高阶场成分具有加工简单，成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN105632544A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410584291.3
申请日：2014-10-27
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储器，包括多个存储单元、行、列控制器，存储单元包括U型磁性轨道、第一及第二开关单元、读写装置，U型磁性轨道包括第一及第二端口、第一及第二存储区域，第一及第二存储区域分别位于第一及第二端口与U型磁性轨道底部的第一及第二端之间，同一列第一端口接收第一驱动电压；同一列第二端口接收第二驱动电压；行控制器连接同一列的第一及第二开关单元以控制其通断；同一列第一及第二开关单元还分别连接至U型磁性轨道底部第二端及第一端；同一列第一及第二开关单元还接收第三驱动电压，以驱动第一或第二存储区域的磁畴移动；读写装置用于对磁畴执行读操作或写操作。本发明提高存储密度和降低功耗。
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公开(公告)号：CN105469820A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410307494.8
申请日：2014-06-30
IPC: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储装置、磁性存储阵列结构及其驱动方法，涉及计算机领域，解决了现有技术中直线型磁性存储轨道的面积收益低的问题，从而提高了磁性存储轨道的数据存储量。该磁性存储装置包括：第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和隧道型巨磁电阻效应TMR读写磁头；沿第一方向设置的第一磁性存储轨道和沿第二方向设置的第二磁性存储轨道，第一磁性存储轨道的一端和第二磁性存储轨道的一端相连；其中，TMR读写磁头沿第一方向贯穿第二磁性存储轨道设置，或者，TMR读写磁头沿第三方向贯穿第二磁性存储轨道设置，TMR读写磁头的自由层为第二磁性存储轨道，第一方向为非第二磁性存储轨道所在平面的任一方向。
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公开(公告)号：CN103903954B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410090932.X
申请日：2014-03-13
Applicant: 复旦大学 , 中国环境监测总站 , 聚光科技(杭州)股份有限公司
IPC: H01J49/02
Abstract: 本发明属于质量分析仪器技术领域，具体为线性离子阱。该线性离子阱由横截面为梯形和圆弧组合形状的四个柱状电极两两对称地围绕一中心对称轴所构造而成，也称之梯形圆弧柱状电极离子阱；四根柱状电极合围成一空间，并且外切于一个半径为r0的圆；其中，每对柱状电极的横截面为梯形和圆弧组合形状，圆弧朝向中心对称轴；柱状电极的中心处开有凹槽，供离子弹出；所述梯形和圆弧组合形状中，梯形为等腰梯形，圆弧与梯形的两腰相切，切点为梯形的两个顶点，该顶点为梯形较短的底边与两腰的交点。该形状的电极较接近双曲面电极，通过优化，可获得较高的质量分析性能。且电极的制造较简单。
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公开(公告)号：CN105244043A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410330469.1
申请日：2014-07-11
CPC classification number: G11C11/161 , G11B5/02 , G11C11/15 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1697 , H01L27/228 , H01L43/02
Abstract: 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105225689A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410306848.7
申请日：2014-06-30
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储器及其制造方法，涉及计算机领域，以解决现有技术中在一定的空间范围内只能存在一条磁性存储轨道的问题，提高了数据的存储密度。磁性存储器包括：至少一个绝缘层和至少两个磁性存储层，相邻两个磁性存储层之间设置有绝缘层；其中，磁性存储层内形成有至少一条第一U型磁性存储轨道和至少一条第二U型磁性存储轨道，至少一条第一U型磁性存储轨道和至少一条第二U型磁性存储轨道之间形成有电性绝缘层。本发明提供的磁性存储器用于数据的存储。
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公开(公告)号：CN104575582A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310496705.2
申请日：2013-10-21
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度、降低功耗和制造成本。其中，一种存储单元包括：梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域和梳柄，第一存储区域和第二存储区域包括两个以上存储条；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动。
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公开(公告)号：CN117994213A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410098808.1
申请日：2024-01-24
Applicant: 复旦大学附属华山医院
IPC: G06T7/00 , G06T7/11 , G06T7/194 , G06T7/62 , G06T7/90 , G16H30/40 , G06V10/764 , G06V10/82 , G16H50/20
Abstract: 一种基于三维人脸重建的斑秃评估方法、装置及存储介质。本发明公开了一种基于三维人脸重建方法，该方法包括：获取不同角度的人脸图像、通过人脸图像构建三维人脸重建网络模型、获得整个头发纹理的UV展开图、对包含整个头发纹理的UV展开图进行分割并找出斑秃区域、根据斑秃区域的面积计算斑秃区域占据整个头部区域面积的比例，得到对斑秃的评估结果。该方法通过使用三维人脸重建的方法，能够将患者多张角度的照片映射在同一UV图上，既能够方便医生进行标注，也可以将患者斑秃的情况转换成一个数值结果，定量地评估患者的斑秃情况，解决了现有技术中存在的医生无法定量衡量患者斑秃情况的问题。
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公开(公告)号：CN105225676B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201410314629.3
申请日：2014-07-03
Abstract: 本发明的实施例提供一种数据读写方法及装置，涉及通信领域，解决了现有技术中进行读操作后新型存储介质中的数据遭到破坏导致丢失的问题，进而保证了新型存储介质中数据的完整性。该方案包括：接收驱动电流，所述驱动电流用于驱动所述新型存储介质处于可读写状态；从所述新型存储介质中读出第一数据；将所述驱动电流的方向置反；将所述第一数据写回至所述新型存储介质。
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公开(公告)号：CN105096963B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410173016.2
申请日：2014-04-25
CPC classification number: G11C11/1675 , G11B5/012 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11C11/16 , G11C19/0841
Abstract: 本发明实施例提供一种写装置及磁性存储器，写装置包括：第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区，第一信息存储区与信息缓存区之间存在第一区域，第二信息存储区和信息缓存区之间存在第二区域，第一信息存储区、第二信息存储区和信息缓存区采用第一磁性材料构成，第一区域和第二区域采用第二磁性材料构成，第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能；第一信息存储区，用于向信息缓存区写入第一数据；第二信息存储区，用于向信息缓存区中写入第二数据；信息缓存区，用于缓存从第一信息存储区或第二信息存储区写入的数据，并将缓存的数据写入磁性存储器的一个磁畴中。能够保证磁性存储器的写入的稳定性。
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