用于高k/金属栅工艺流程的自对准接触

    公开(公告)号:CN103299428B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201280004545.9

    申请日:2012-01-03

    Abstract: 本发明提供了一种半导体结构,包括具有位于半导体衬底的表面上的多个栅极堆叠14’的半导体衬底12。每个栅极堆叠从底部至顶部包括高k栅极电介质层42、功函数金属层44和导电金属46。间隔物22位于每个栅极堆叠的侧壁上,并且自对准电介质衬垫30存在于每个间隔物的上表面上。每个自对准电介质衬垫30的底表面存在于半导体金属合金28的上表面上。接触金属34位于相邻栅极堆叠之间并且通过自对准电介质衬垫30与每个栅极堆叠分隔开。结构也包括另一接触金属60,具有位于接触金属的上表面上并且与其直接接触的一部分以及位于一个栅极堆叠的导电金属上并且与其直接接触的另一部分。也公开了一种使用替换栅极和非替换栅极方案的形成半导体结构的方法。

    在替换金属栅极制造工艺中形成电熔断器的方法

    公开(公告)号:CN103210481B

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201180055002.5

    申请日:2011-08-16

    Abstract: 本发明的实施例提供一种形成电子熔断器或通常所称的电熔断器的方法。该方法包括在公共半导体衬底的顶部上一起形成多晶硅结构(201/200)和场效应晶体管(FET)结构,FET结构具有牺牲栅极电极(101);将至少一种掺杂剂注入到多晶硅结构(201)中,以至少在多晶硅结构的顶部部分中创建掺杂多晶硅层(211);使多晶硅结构和FET结构经受反应离子刻蚀(RIE)工艺,RIE工艺选择性地去除FET结构的牺牲栅极电极(101),同时掺杂多晶硅层基本不受RIE工艺影响;以及将包括掺杂多晶硅层的多晶硅结构转化成硅化物(902)以形成电子熔断器。

    流处理方法和实现流处理的分布式系统

    公开(公告)号:CN102904919B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201110214487.X

    申请日:2011-07-29

    Abstract: 本发明涉及流处理方法和实现流处理的分布式系统。本发明公开一种用于分布式系统的流处理方法,该分布式系统包括分配器和多个计算节点,该方法包括:响应于接收到分配器分配的数据块,所述计算节点调用对应的计算逻辑对所述数据块进行计算并产生计算结果;以及所述计算节点仅将与下一个数据块计算相关的部分所述计算结果传送给下一个数据块所在的计算节点。

    用于定位JAVA程序的瓶颈的方法和设备

    公开(公告)号:CN102222037B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201010150110.8

    申请日:2010-04-15

    CPC classification number: G06F11/3644 G06F11/302 G06F11/3089

    Abstract: 本发明涉及用于定位Java程序的瓶颈的方法和设备。提供了一种用于定位Java程序的瓶颈的方法,包括以下步骤:在对应于所述Java程序的Java进程中创建辅助线程,并将所述辅助线程挂接到在该Java进程中创建的Java虚拟机;在操作系统内核中插入探测器;所述探测器监视所述Java进程中的Java线程在操作系统内核中的状态并且响应于检测到Java线程被阻塞而向所述辅助线程发送信号;以及所述辅助线程响应于接收到来自操作系统内核的所述信号,从所述JVM中取回调用栈信息,并利用所取回的调用栈信息定位到所述Java程序的源代码中的引起所述阻塞位置。

    生成高可用性组的方法、设备及系统

    公开(公告)号:CN102055779B

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN200910207780.6

    申请日:2009-10-30

    Abstract: 公开了一种根据用户的高可用性(HA)需求生成HA组的方法、设备及系统。所述方法包括:依据对用户的HA需求进行HA需求分析的结果,检索可应用的HA模式;基于所检索到的HA模式,生成初始的HA组;对初始的HA组中的成员单元进行上下文重置,以得到初步配置的HA组;根据可从用户的HA需求中获得的HA组冗余度,针对初步配置的HA组生成基于成员单元的HA组变体;以及对所生成的HA组变体中的成员单元执行结构配置和属性配置,从而得到满足用户HA需求的HA组。通过利用所述方法、设备和/或系统,可以降低HA组配置的复杂度,并且实现了HA组的设计、构造和配置的自动化。

    在替换金属栅极制造工艺中形成电熔断器的方法

    公开(公告)号:CN103210481A

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201180055002.5

    申请日:2011-08-16

    Abstract: 本发明的实施例提供一种形成电子熔断器或通常所称的电熔断器的方法。该方法包括在公共半导体衬底的顶部上一起形成多晶硅结构(201/200)和场效应晶体管(FET)结构,FET结构具有牺牲栅极电极(101);将至少一种掺杂剂注入到多晶硅结构(201)中,以至少在多晶硅结构的顶部部分中创建掺杂多晶硅层(211);使多晶硅结构和FET结构经受反应离子刻蚀(RIE)工艺,RIE工艺选择性地去除FET结构的牺牲栅极电极(101),同时掺杂多晶硅层基本不受RIE工艺影响;以及将包括掺杂多晶硅层的多晶硅结构转化成硅化物(902)以形成电子熔断器。

    用于数据中心的诊断故障事件的方法及装置

    公开(公告)号:CN102143008A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201010105002.9

    申请日:2010-01-29

    CPC classification number: G06F11/07

    Abstract: 公开了一种用于数据中心的诊断故障事件的方法,包括:监控在数据中心内是否发生故障事件;如果发生故障事件,则确定在发生故障事件的节点中正在执行的业务逻辑;基于与数据中心对应的管理模型,选择与该业务逻辑的执行过程有关的日志文件,其中管理模型反映数据中心的业务逻辑的部署和应用依赖性;以及根据所述日志文件,对故障事件进行诊断。该方法使用管理模型以选择与业务逻辑的执行过程有关的日志文件,并将业务逻辑的信息以及应用之间的依赖关系写入日志文件中,能够自动、快速、准确地对故障事件进行诊断。还公开了相应的用于数据中心的诊断故障事件的装置。

    用于运行虚拟机镜像的方法和系统

    公开(公告)号:CN102033755A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200910174129.3

    申请日:2009-09-30

    CPC classification number: G06F9/45558 G06F2009/45575

    Abstract: 本发明公开了一种用于在宿主主机中运行虚拟机镜像的方法和系统,其中方法包括:接收虚拟机镜像部署请求;向存储服务器发送复制虚拟机镜像部署请求涉及的虚拟机镜像的请求;接收部分虚拟机镜像,该部分虚拟机镜像至少包括操作系统内核、分区信息和文件索引信息;通过运行接收的部分虚拟机镜像在宿主主机中启动虚拟机;截获虚拟机中运行程序的文件操作请求;获取文件操作请求所涉及的文件。利用本发明,由于只需要传输较小的部分虚拟机镜像,便能正常运行程序,因而大大降低了对网络带宽的占用。同时,由于以应用驱动进行文件的复制,仅从存储服务器的虚拟机镜像中复制必要的文件,因而大大降低了对网络带宽的占用。

    用于内存泄漏诊断的方法和装置

    公开(公告)号:CN101615143A

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200810131740.3

    申请日:2008-06-27

    CPC classification number: G06F11/366 G06F11/3636

    Abstract: 一种诊断内存泄露的方法和装置。所述方法包括:跟踪应用程序在虚拟机上运行过程中的对象分配,从而获取对象的分配路径和分配时间;记录每个对象的分配路径和分配时间;为每个对象赋予一个与一条分配路径相对应的唯一的ID;基于每个对象的与分配该对象的分配路径相对应ID,确定其每个对象所属的路径;针对每条分配路径整理由它分配的、并且还没有被回收的对象并根据这些对象的分配时间计算该路径所分配同一类对象的“年龄代数”;根据每条路径分配的、并且存活的同类对象的年龄代数对路径进行排序;以及对分配路径的排序数据进行分析,排序越高的分配路径,越有可能是引入内存泄漏。据此,可能存在内存泄漏的分配路径被挑选、报告给用户进行分析。本发明还涉及一种执行上述方法的装置。

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