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31.

实用新型
具有渐缩热传递层的相变存储器装置有权

公开(公告)号：CN221979463U

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202323355568.9

申请日：2023-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宗学 , 黄昶智 , 王郁雯 , 宋福庭

IPC: H10N70/20 , H10B63/10 , G11C13/00

Abstract: 本实用新型提供一种具有渐缩热传递层的相变存储器装置，包括第一电极及第二电极的存储器装置位于第一介电层的上方。加热器层在侧向上位于第一电极与第二电极之间。热传递层位于加热器层的上方。热传递层包括位于第一电极与加热器层之间的第一渐缩区。相变层位于热传递层的上方且自第一电极的顶表面在侧向上延伸至第二电极的顶表面。相变层包括位于第一电极的上方的第一侧向区及直接位于热传递层的第一渐缩区的上方的第一台阶区。相变层具有沿着第一台阶区的第一厚度及沿着第一侧向区的第二厚度。第一厚度与第二厚度之间的差小于20％。本实用新型可以改善存储器的效能。

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