公开(公告)号：CN1240610C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200310121092.0

申请日：2003-12-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  田洪涛

IPC: C01B21/06

Abstract: 涉及一种激光诱导下GaN P-型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌，将Zn/GaN预热，激光辐照，用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属，光刻形成电极，退火。对中、强型p-型掺杂的GaN基材料和弱p型掺杂的GaN样品制备欧姆接触均有效。对于弱p-型掺杂的GaN样品：当采用Ni/Au双层金属接触时，比接触电阻可达2.10×10-4Ωcm2；当采用Zn/Au双层金属接触时，比接触电阻可达4.75×10-4Ωcm2。能制备比接触电阻低p-GaN欧姆接触，且能在原有p-GaN的表面形成P+P高低发射结，有助于提高GaN基结型器件的注入效率。可用于GaN基材料的各种器件的P-型欧姆接触制备，可降低结型器件的正向工作电压，提高发光效率。

公开(公告)号：CN1554576A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200310121093.5

申请日：2003-12-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  田洪涛

IPC: C01B21/06

Abstract: 涉及激光诱导下的GaN P－型有效掺杂制备方法。其步骤为在GaN样品表面淀积金属锌薄层，将Zn/GaN样品预热，用固体激光器辐照Zn/GaN样品的表面，将样品表面剩余的锌腐蚀掉，经去离子水清洗烘干。其设备便宜、方法简单、工艺兼容。在大气环境下进行，不需昂贵的高温炉和真空设备，仅需要淀积Zn的设备和激光辐照。淀积Zn和激光辐照工艺简便，不必进行复杂的MOCVD生长、离子注入、两种元素共同掺杂等技术，与常规的器件工艺兼容。P－型有效掺杂效果明显。

公开(公告)号：CN1554575A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200310121092.0

申请日：2003-12-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  田洪涛

IPC: C01B21/06

Abstract: 涉及一种激光诱导下GaN P－型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌，将Zn/GaN预热，激光辐照，用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属，光刻形成电极，退火。对中、强型p－型掺杂的GaN基材料和弱p型掺杂的GaN样品制备欧姆接触均有效。对于弱p－型掺杂的GaN样品：当采用Ni/Au双层金属接触时，比接触电阻可达2.10×10－4Ωcm2；当采用Zn/Au双层金属接触时，比接触电阻可达4.75×10－4Ωcm2。能制备比接触电阻低p－GaN欧姆接触，且能在原有p－GaN的表面形成P+P高低发射结，有助于提高GaN基结型器件的注入效率。可用于GaN基材料的各种器件的P－型欧姆接触制备，可降低结型器件的正向工作电压，提高发光效率。

公开(公告)号：CN1118159C

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN99119122.6

申请日：1999-09-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  夏德昊 ,  刘宝林 ,  陈松岩

IPC: H04B10/12

Abstract: 涉及一种用于计算机以太网通信的100Mbps光纤收发器，采用CSMA/CD方式，执行IEEE802.3u标准，设两块执行芯片U1、U2，光信号经光纤接口接光纤信号收发模块，收发模块的电转换输出经第一块执行芯片U1的解码—电阻组—第二块执行芯片U2的编码后，从双胶线接收端经耦合器接至RJ45接口，RJ45接口的发射端接耦合器，并经第二块执行芯片U2的解码—电阻组—第一块执行芯片U1的编码后，接收发模块，并从收发模块的LED再经光纤接口向网络发射光信号。印刷电路板设电源、接地等4层。

公开(公告)号：CN110335935B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201910516923.5

申请日：2019-06-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  杨星 ,  陈佳超 ,  李扬

IPC: H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种近紫外激发单芯片全光谱LED及其制备方法。本发明以近紫外芯片作为单芯片激发光源，将Sr1.95Eu0.05(BO3)0.25(PO4)0.75Cl的蓝色荧光粉与LiCaPO4:Eu2+或(Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2+青色荧光粉、(Sr,Ba)2SiO4:Eu2+绿色荧光粉和CaAlSiN3:Eu2+红色荧光粉按一定比例配比混合，激发后可实现近紫外光激发的高显指高光效的全光谱白光发射，其显色指数超过95，具有非常广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN111434749B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201910027505.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郑淞生 ,  陈佳超 ,  陈朝 ,  沈宏勋 ,  王明 ,  史傲迪

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明涉及发光材料领域，尤其涉及一种近紫外激发暖白光荧光粉及其制备方法和应用。本发明提供的近紫外激发暖白光荧光粉的化学式为Na2‑xAl2B2O7:xEu，且0＜x≤0.48，本发明提供的荧光粉分别在360nm、365nm、385nm和395nm激发下均可以同时发射445nm蓝光、595nm和612nm的红光，蓝光和红光混合可实现白光。本发明还提供了上述技术方案所述近紫外激发暖白光荧光粉封装得到的LED荧光粉，本发明提供的LED荧光粉具有色温低、发光效率高、白光色纯度高的特点。

公开(公告)号：CN110335935A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910516923.5

申请日：2019-06-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  杨星 ,  陈佳超 ,  李扬

IPC: H01L33/50

Abstract: 本发明涉及一种近紫外激发单芯片全光谱LED及其制备方法。本发明以近紫外芯片作为单芯片激发光源，将Sr1.95Eu0.05(BO3)0.25(PO4)0.75Cl的蓝色荧光粉与LiCaPO4:Eu2+或(Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2+青色荧光粉、(Sr,Ba)2SiO4:Eu2+绿色荧光粉和CaAlSiN3:Eu2+红色荧光粉按一定比例配比混合，激发后可实现近紫外光激发的高显指高光效的全光谱白光发射，其显色指数超过95，具有非常广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN108085004B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711405544.6

申请日：2017-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  杨星 ,  陈佳超 ,  李扬

IPC: C09K11/86 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/774 ,  H01L33/504 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明公开了一种用于三基色暖白光LED的蓝色荧光粉及其制备方法。以碳酸锶(SrCO3)、无水氯化铵(NH4Cl)、硼酸(H3BO3)、三氧化二铕(Eu2O3)和磷酸二氢铵(NH4H2PO4)为原料，在还原气氛中固相烧结法，得到化学式为Sr(2‑x)Eux(BO3)y(PO4)(1‑y)Cl，其中0.001≤x≤0.1、0.001≤y≤0.5的蓝色荧光粉。与CaAlSiN3：Eu2+红色荧光粉和(SrBa)2SiO4:Eu2+绿色荧光粉按一定比例配比可实现近紫外光激发高显指高光效的暖白光发射，具有非常广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN108085004A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711405544.6

申请日：2017-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  杨星 ,  陈佳超 ,  李扬

IPC: C09K11/86 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/774 ,  H01L33/504 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明公开了一种用于三基色暖白光LED的蓝色荧光粉及其制备方法。以碳酸锶(SrCO3)、无水氯化铵(NH4Cl)、硼酸(H3BO3)、三氧化二铕(Eu2O3)和磷酸二氢铵(NH4H2PO4)为原料，在还原气氛中固相烧结法，得到化学式为Sr(2-x)Eux(BO3)y(PO4)(1-y)Cl，其中0.001≤x≤0.1、0.001≤y≤0.5的蓝色荧光粉。与CaAlSiN3：Eu2+红色荧光粉和(SrBa)2SiO4:Eu2+绿色荧光粉按一定比例配比可实现近紫外光激发高显指高光效的暖白光发射，具有非常广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105070777B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510458709.0

申请日：2015-07-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  郑将辉 ,  蔡丽晗 ,  杨星

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/055 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种无稀土下转换太阳能电池及其制备方法，该无稀土下转换太阳能电池从下到上依次设置有铝背电极层、P型硅层、N+型硅层、铝或银栅线电极，硅金字塔绒面层以及纳米下转换颗粒层，所述纳米下转换颗粒层的纳米颗粒为纳米钒酸盐。该无稀土下转换太阳能电池的制备方法包括：1)通过水热法、溶胶凝胶法、共沉淀法制备纳米钒酸盐；2)通过有机溶剂分散纳米颗粒；3)通过提拉法、旋涂法将纳米颗粒涂覆在硅金字塔绒面表面以形成纳米下转换颗粒层；4)在一定温度下，将样品电池在恒温干燥箱中烘干。该无稀土下转换太阳能电池具有光电转换效率高、工艺简单且成本低的优点。