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公开(公告)号：CN107634231B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201710800567.0
申请日：2017-09-07
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/88 , H01M8/0258 , H01M8/1004 , H01M12/06
Abstract: 本发明公开了一种质子交换膜燃料电池的制备方法，特别涉及一种硅基一体化质子交换膜燃料电池的制备方法。采用二氧化硅微/纳米球等作为模板，双气流同时通入刻蚀气体SF6与辅助气体O2等，通过电感耦合等离子刻蚀机进行深硅刻蚀，得到三维硅微/纳米柱阵列。通过结构优化，如引入导电层和划片处理等，即可作为质子交换膜燃料电池的流场。基于上述硅基流场，进一步集成气体扩散层和催化层，实现了一体化硅基质子交换膜燃料电池的构建。该燃料电池制备方法简单，和现有的硅基半导体工艺相兼容，并且功率密度较高，在微/纳机电系统的电源供应等领域有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN111785838A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010609420.5
申请日：2020-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种有机无机杂化钙钛矿粉末及其制备方法和应用，该方法主要步骤为：取组分1和组分2进行混合，溶于配位溶剂中，搅拌至全部溶解，得到混合溶液；将混合溶液加热、持续搅拌，使混合溶液反应，析出得有机无机杂化钙钛矿晶体；最后将有机无机杂化钙钛矿晶体，过滤、真空干燥，即得有机无机杂化钙钛矿粉末。本发明配位溶剂为二乙醇甲醚、二丙醇甲醚、二丁醇甲醚、乙醇胺和甲酯类中的一种，利用配位溶剂与金属离子之间的弱相互作用，可以改善钙钛矿材料溶解性，形成稳定性良好的前驱体，实现不同组分的有机无机杂化钙钛矿粉末高通量合成，所制得的粉末结构稳定性良好，可用于可控制备平整的膜层，进而达到提高所制备相应器件效率的目的。
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公开(公告)号：CN110635039A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910774695.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种钝化钙钛矿的方法包括：制备钙钛矿前驱体溶液；将基底退火，其中所述基底含电子传输层；将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底上并加热，以生成钙钛矿薄膜；以及在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层，得到经环状醚修饰的钙钛矿薄膜。本发明提出以N-甲基吡咯烷酮制备、环状醚钝化修饰钙钛矿层的方法，其工艺简单，以本发明方法制备的钙钛矿所组装的太阳能电池的效率高，重复性好，稳定性也有明显提升。
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公开(公告)号：CN107482121B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201710646981.0
申请日：2017-08-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁场调控的钙钛矿薄膜的制备方法，属于太阳能电池技术领域。主要步骤包括：通过易于实现产业化的成膜工艺，采用碘化铅(lead(Ⅱ)iodide,PbI2)和甲胺碘(CH3NH3I)的混合溶液，在制备过程中引入一定频率和强度的旋转磁场，再经过热处理，即可获得致密光滑、均匀性良好的钙钛矿晶体薄膜。在不采用真空设备、手套箱等条件下，本发明的方法同样能够制备光滑致密的钙钛矿薄膜，具有低成本、可大面积制备的优势。通过本方法获得的钙钛矿晶体薄膜作为光吸收材料应用在薄膜太阳能电池中，所制备的电池器件效率高、稳定性好，这对于实现高效率钙钛矿太阳能电池的低成本制备和产业化具有重要价值。
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公开(公告)号：CN117355199A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311404453.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 厦门大学 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化锡薄膜的制备方法及钙钛矿光电器件，其中氧化锡可来自氧化锡纳米颗粒、氧化锡溶胶分散液及制备的氧化锡前驱体；可通过旋涂、刮涂、喷涂、狭缝涂布、卷对卷印刷等方式沉积，并使用低温处理得到氧化锡薄膜，低温处理可通过气体吹扫或真空闪蒸技术进行；其中气体吹扫可通过气枪、气刀、气体喷头等气吹设备进行；气体可使用氮气，惰性气体等保护气体。本发明提供的氧化锡薄膜制备方式，依靠于低温技术，能够快速获得均匀的氧化锡薄膜。无需加热的气体吹扫和真空闪蒸可用于多种场景，薄膜的稳定性与重复性提升，该技术可放大用于大面积光伏器件/模组或者其他光电器件中电子传输层的制备。
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公开(公告)号：CN116705944A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310669158.7
申请日：2023-06-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种极化诱导电子阻挡层(Electron‑Blocking Layer，EBL)的Micro LED芯片外延结构，其包括由下至上的衬底、n型半导体层、多量子阱层、极化诱导的电子阻挡层和p型半导体层，所述极化诱导的半导体层由p型AlxGa1‑xN层和p型Aly1Iny2Ga1‑y1‑y2N层组成，其中p型AlxGa1‑xN层设于多量子阱层上，p型Aly1Iny2Ga1‑y1‑y2N层设于p型AlxGa1‑xN层上。本发明采用极化诱导EBL结构作为Micro LED的电子阻挡层能够有效调控载流子的注入与溢出，使得能带更加匹配，从而提高电子与空穴在阱内复合效率；能够提高电致发光(EL)强度，内部量子效率，最终提高Micro LED芯片在高电流密度注入下整体的效率与发光水平。
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公开(公告)号：CN110635039B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910774695.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种钝化钙钛矿的方法包括：制备钙钛矿前驱体溶液；将基底退火，其中所述基底含电子传输层；将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底上并加热，以生成钙钛矿薄膜；以及在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层，得到经环状醚修饰的钙钛矿薄膜。本发明提出以N‑甲基吡咯烷酮制备、环状醚钝化修饰钙钛矿层的方法，其工艺简单，以本发明方法制备的钙钛矿所组装的太阳能电池的效率高，重复性好，稳定性也有明显提升。
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公开(公告)号：CN111017868A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911148319.8
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用，所述制备方法包括：在一硅片表面旋涂光刻胶；采用光刻方法在所述硅片表面形成特定尺寸的点样区；采用溶液法在含点样区的所述硅片表面自组装微纳米球；对沉积了微纳米球的所述硅片进行刻蚀，使所述点样区形成微纳米结构阵列；去除所述硅片表面的所述光刻胶；且去除所述硅片表面的所述微纳米球。本发明阵列结构硅基点阵的制备方法所制得的硅基点阵在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或者光电探测器中的应用。本发明的硅基点阵在物理、化学、能源、催化、生命科学及信息等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN111017867A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911148305.6
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备网络结构硅基点阵的方法，包括：在硅基底上表面自组装微纳米球阵列；在具自组装微纳米球阵列的所述硅基底表面旋涂前驱体溶液；将所述硅基底放置在退火炉中退火，以在所述硅基底表面形成微纳米碗阵列结构；以等离子刻蚀技术对所述经退火的具有微纳米碗阵列结构的硅基底进行刻蚀，形成微纳米葫芦状阵列结构；将所述硅基底进行掩膜光刻以制备点样区再制成靶板。本发明所提供的网络结构硅基点阵能够提高质谱的分辨率，在催化、生物检测、光电探测等领域具有广泛的潜在应用。
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