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公开(公告)号：CN119325318A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411794697.4
申请日：2024-12-09
IPC: H10H29/30 , H10H29/855 , H10H29/01 , G09F9/33
Abstract: 本申请公开了一种显示面板及其制作方法，涉及显示领域，该显示面板包括：沿垂直于显示面板所在平面方向排布的第一阵列芯片、第二阵列芯片和第三阵列芯片；第一阵列芯片包括多个第一发光单元；第三阵列芯片位于第一阵列芯片的出光侧，第三阵列芯片包括多个第二发光单元，第三阵列芯片远离第一阵列芯片的一侧为显示面板的出光侧；第二阵列芯片位于第一阵列芯片和第三阵列芯片之间，用于为第一发光单元和第二发光单元提供显示驱动信号；第一发光单元所在层和第二发光单元所在层之间设置有光线处理层，光线处理层用于基于部分第一发光单元出射的光线形成第三颜色的光线出射。该显示面板可以实现更高的集成度、更高的性能、更高的可靠性及更低的功耗。
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公开(公告)号：CN119170630A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411679755.9
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件及其制作方法。本发明所设计的具有抗单粒子效应辐照能力的氮化镓器件，包括自下而上依次设置的衬底层、高阻层、背势垒层、氮化镓层、势垒层，以及设置在势垒层上的栅极、源极和漏极；其特征在于，所述氮化镓器件还包括单粒子辐照电荷引出电极，所述单粒子辐照电荷引出电极包括均匀布置在所述势垒层的顶面上的多个p型氮化镓块、在每个所述p型氮化镓块中部设置的欧姆金属柱以及用以连接各个分散的欧姆金属柱的互联金属片；通过单粒子辐照电荷引出电极能够为辐照感生空穴泄放至器件外部提供路径，提升了器件的抗辐照能力与可靠性。
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公开(公告)号：CN118944607B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411421681.9
申请日：2024-10-12
Abstract: 本发明提供了一种复位式电荷灵敏放大电路、数据信号的放大及复位方法，可以应用于放大电路技术领域。该复位式电荷灵敏放大电路包括：信号输入缓冲模块、信号输出放大模块和复位脉冲信号产生模块；信号输入缓冲模块与信号输出放大模块连接，信号输入缓冲单元的第一端与半导体辐射探测器电连接，信号输入缓冲单元的第二端与电压偏置单元电连接；信号输出放大模块与复位脉冲信号产生模块连接；复位脉冲信号产生模块包括电压比较单元、复位脉冲宽度调制单元和复位脉冲放大单元，电压比较单元的第一端与信号输出放大模块电连接，电压比较单元的第二端与复位脉冲宽度调制单元的第一端电连接，复位脉冲宽度调制单元的第二端与复位脉冲放大单元电连接。
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公开(公告)号：CN118944607A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411421681.9
申请日：2024-10-12
Abstract: 本发明提供了一种复位式电荷灵敏放大电路、数据信号的放大及复位方法，可以应用于放大电路技术领域。该复位式电荷灵敏放大电路包括：信号输入缓冲模块、信号输出放大模块和复位脉冲信号产生模块；信号输入缓冲模块与信号输出放大模块连接，信号输入缓冲单元的第一端与半导体辐射探测器电连接，信号输入缓冲单元的第二端与电压偏置单元电连接；信号输出放大模块与复位脉冲信号产生模块连接；复位脉冲信号产生模块包括电压比较单元、复位脉冲宽度调制单元和复位脉冲放大单元，电压比较单元的第一端与信号输出放大模块电连接，电压比较单元的第二端与复位脉冲宽度调制单元的第一端电连接，复位脉冲宽度调制单元的第二端与复位脉冲放大单元电连接。
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公开(公告)号：CN118571864B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411052943.9
申请日：2024-08-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/552 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种抗辐照氮化镓功率二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。采用上述制作方法制作的抗辐照氮化镓功率二极管，其与相关技术中的传统器件结构相比，通过将型氮化镓层分段间隔排列，在P型氮化镓层的间隔处以及P型氮化镓层和阳极欧姆金属层之间设置与下方氮化镓层直接接触的肖特基金属层。在反向偏置状态下，辐照产生的空穴能够经由P型氮化镓层的间隔处流动，并经由具有单向导电性的肖特基金属层高效地耗散至器件外部，解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生阳极区域空穴积聚而导致的抗辐照能力差的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117080255B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311343078.9
申请日：2023-10-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种具有冲击能量释放能力的GaN HEMT晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。晶体管包括自下而上依次设置的衬底层、氮化镓层、势垒层和栅极结构，势垒层两外侧的氮化镓层顶面分别设置有源极和漏极，栅极结构靠近源极一侧设置，栅极结构包括p型氮化镓层、介质层、欧姆金属柱和肖特基金属层；欧姆金属柱包括部分埋入势垒层内部的主柱、以及设置于主柱左右两侧的第一副柱和第二副柱；主柱的埋入端底面与氮化镓层顶面接触，另一端面与肖特基金属层底面接触；第一副柱相比于第二副柱在势垒层内部的最大埋入深度要浅，形成非对称栅极结构。本发明通过设计一种非对称多集成的栅极结构，解决由于开关过程中冲击能量无法释放引起的击穿问题。
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公开(公告)号：CN113937174B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111196401.5
申请日：2021-10-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于选区离子注入的新型碳化硅基横向PN结极紫外探测器，包括从下到上依次相接的N型欧姆接触下电极、N型衬底和低掺外延层，低掺外延层为N型低掺外延层或P型低掺外延层；当为N型低掺外延层时，N型低掺外延层表面通过选区离子注入形成P型阱区域，P型阱区域上设有P型欧姆接触上电极，P型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极；当为P型低掺外延层时，P型低掺外延层表面通过选区离子注入形成N型阱区域，N型阱区域上设有N型欧姆接触上电极，N型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极。本发明有效提升了探测器在极紫外波段的探测效率，同时显著提高了辐照稳定性以及温度稳定性。
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公开(公告)号：CN117080255A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311343078.9
申请日：2023-10-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种具有冲击能量释放能力的GaN HEMT晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。晶体管包括自下而上依次设置的衬底层、氮化镓层、势垒层和栅极结构，势垒层两外侧的氮化镓层顶面分别设置有源极和漏极，栅极结构靠近源极一侧设置，栅极结构包括p型氮化镓层、介质层、欧姆金属柱和肖特基金属层；欧姆金属柱包括部分埋入势垒层内部的主柱、以及设置于主柱左右两侧的第一副柱和第二副柱；主柱的埋入端底面与氮化镓层顶面接触，另一端面与肖特基金属层底面接触；第一副柱相比于第二副柱在势垒层内部的最大埋入深度要浅，形成非对称栅极结构。本发明通过设计一种非对称多集成的栅极结构，解决由于开关过程中冲击能量无法释放引起的击穿问题。
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公开(公告)号：CN114843337A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210478107.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法。所述双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管包括异质结构以及源电极、漏电极、主栅电极和副栅电极；所述异质结构包括沟道层以及形成在沟道层上的势垒层，所述沟道层和势垒层之间形成有二维电子气；所述主栅电极和副栅电极分别设置在所述势垒层的主栅电极区域和副栅电极区域，所述势垒层副栅电极区域具有凹槽结构，所述副栅电极的局部设置在所述凹槽结构，所述副栅电极与所述二维电子气形成肖特基二极管。本发明实施例提供的双栅结构氮化镓高电子迁移率晶体管，实现了器件第三象限导通能力和栅极可靠性的提升，提高了器件的高可靠、高能效工作能力。
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公开(公告)号：CN111564487B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010423278.5
申请日：2020-05-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件及其制备方法，基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN或GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和厚绝缘栅介质层；厚绝缘栅介质层上刻蚀或腐蚀有源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域之间设有栅极区域，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅电极，源电极、漏电极和栅电极一步成型，并一起经历欧姆电极的合金化退火工艺。本发明基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件，源极、漏极、栅极同时蒸发同样的金属叠层，一步成型，大大简化了工艺制程，节省了成本，并且得到了高性能的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件；可以应用于高效功率开关以及射频器件中。
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