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公开(公告)号：CN107315877A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710508574.3
申请日：2017-06-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开一种预测功率器件结温的方法及系统，方法包括：获取被测器件的积分结构函数曲线；根据被测器件的封装形式、封装材料、积分结构函数曲线的起点确定第一芯片层；根据积分结构函数曲线中对应第一芯片层的曲线段的斜率对第一芯片层进行分层，得到各热等效层及对应的热阻值；根据各热等效层及对应的热阻值建立被测器件的芯片层的热等效分层模型，以预测被测器件的结温。本发明对芯片层建立热等效分层模型时，采用的是热等效分层结构，而不是物理性的分层，因此，热等效分层模型可准确表征功率半导体器件中芯片层的热分布特性，该模型能精确预测功率器件的结温，而且建立该热等效分层模型的方法适用于一切功率半导体芯片，便于实施和推广。
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公开(公告)号：CN106291309A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610843104.8
申请日：2016-09-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法。与现有技术相比，所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极；集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽，固定框架的内部侧壁上设置有限位凸台；集电极、被测芯片子模组、PCB板和发射极顺次叠放在固定框架内，且限位凸台嵌入在集电极限位凹槽和发射极限位凹槽内。本发明提供的一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法，可以限制测试单元内各部件的纵向位移而只存在轴向位移，不仅利于对被测芯片子模组进行随时拆卸和压力加载，还能保证在多次测试过程测试单元内各部件的位置相对固定。
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公开(公告)号：CN214011423U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202023065025.X
申请日：2020-12-18
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT器件的多应力作用测试系统。所述系统包括：直流电流源、电流测试支路开关、直流电压源、电压测试支路开关和多个并联的测试支路；测试支路包括测量电流支路和被测器件支路；测量电流支路包括串联的测量电流源和测量电流开关；被测器件支路包括多个被测IGBT器件，相邻两个被测IGBT器件通过串并联转换电路连接；各测试支路均通过一个电流测试支路开关与直流电流源连接；各测试支路均通过一个电压测试支路开关与直流电压源连接。本实用新型解决了测试准确性低、金钱成本高、时间成本高的问题。
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公开(公告)号：CN212622913U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202020917871.0
申请日：2020-05-27
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型涉及一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统。压接型功率半导体器件，将每一半导体芯片的栅极分别连接于PCB板的接口端子上，以便于对压接型功率半导体器件中的每一半导体芯片的结温进行测量，进而提高温度分布测量的准确性。压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，通过采用时序驱动电路使得待测压接型功率半导体器件进行周期开断，以模拟压接型功率半导体器件在不同工况下的发热情况。且通过与测量支路开关的时序配合，能够实现各半导体芯片的结温分布的时序准确测量，突破了现有测量方法仅能获得各半导体芯片平均结温的局限性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209326856U
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201920369339.7
申请日：2019-03-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本实用新型提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208207142U
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201820853898.0
申请日：2018-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型公开了一种3000A半导体器件的功率循环试验系统。该系统包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；控制柜与焊接式半导体器件测试柜或压接式半导体器件测试柜电连接；控制柜内的电源放置区设置3000A直流电源；水冷系统与测试柜管道连接；焊接式半导体器件测试柜内设置多组待测焊接式半导体器件组，每组所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；压接式半导体器件测试柜内设置多组待测压接式半导体器件组，每组待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件。本实用新型可同时测试三个以上数量的半导体器件，测试效率高；能够满足对不同封装形式的器件的测试的需求；操作简单。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206161787U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621073265.5
申请日：2016-09-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型提供了一种功率半导体芯片测试单元，所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极；集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽，固定框架的内部侧壁上设置有限位凸台；集电极、被测芯片子模组、PCB板和发射极顺次叠放在固定框架内，且限位凸台嵌入在集电极限位凹槽和发射极限位凹槽内。与现有技术相比，本实用新型提供的一种功率半导体芯片测试单元，可以限制测试单元内各部件的纵向位移而只存在轴向位移，不仅利于对被测芯片子模组进行随时拆卸和压力加载，还能保证在多次测试过程测试单元内各部件的位置相对固定。
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公开(公告)号：CN209803218U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920500961.7
申请日：2019-04-15
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本实用新型公开了一种压接型IGBT器件芯片电流在线测量系统，该系统包括：积分电路和至少两组PCB板，每组PCB板上设置有多个电流测量线圈，凸台从电流测量线圈中穿过，凸台电流等于芯片电流，电流测量线圈包括线圈骨架、第一导线和第二导线，第一导线一端和积分电路第一输入连接，第一导线环绕线圈骨架均匀缠绕成线圈绕组，第一导线另一端和第二导线一端连接，第二导线另一端和积分电路第二输入连接，积分电路根据电流测量线圈的电压信号确定芯片中的电流，本实用新型提出的在线测量系统能够集成在器件内部，实现对压接型IGBT器件中所有芯片中的电流同时在线测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209372256U
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201920369577.8
申请日：2019-03-22
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本实用新型公开了一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，包括接触式测温元件(10)和从上到下依次连接的集电极(1)、子模组、PCB板(8)和发射极(9)；所述子模组从上至下依次包括上钼片(2)、芯片(3)、下钼片(4)和银垫片(5)；所述下钼片(4)开有凹槽，所述下钼片(4)开有凹槽的一面与所述芯片接触；所述接触式测温元件(10)，置于所述凹槽内，与所述芯片(3)接触，输出端连接所述PCB板(8)。本实用新型钼片凹槽的设置使得接触式测温元件免受应力的影响，使得接触式测温元件得以在压接型半导体器件中应用，可以准确获得各芯片结温分布。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209249451U
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201920151824.7
申请日：2019-01-29
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型公开了一种压接型IGBT的封装结构。该装置包括第一支撑片、散热装置、弹性元件、铜片和IGBT芯片结构；第一支撑片设置在散热装置上，用于支撑安装于压接型IGBT的封装结构上的电子器件；散热装置设置在第一支撑片与铜片之间，用于对IGBT芯片结构散热；弹性元件贯穿设置在散热装置内部，弹性元件一端与第一支撑片连接，另一端与铜片连接；弹性元件用于补偿IGBT芯片结构因发热产生的压力差；铜片设置在散热装置与IGBT芯片结构之间，铜片用于将IGBT芯片结构产生的热量传递至散热装置，还用于将弹性元件的弹力传递至IGBT芯片结构。本实用新型的装置，在实现IGBT芯片表面压力均匀分布的同时能有效的降低芯片表面温度，具有提高IGBT芯片寿命的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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