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公开(公告)号：CN113191133A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110438831.7
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京邮电大学 , 北京欢科科技有限公司
IPC: G06F40/194 , G06F16/35 , G06F16/65 , G06N3/12
Abstract: 本发明公开了一种基于Doc2Vec的音频文本对齐方法及系统，该方法包括：基于模拟退火遗传算法优化的AIC‑FCM进行门限阈值估计，将随书长音频切分为以句为维度的短音频，并将短音频进行语音识别输出以句为维度的短文本；基于Doc2Vec模型对电子书进行段落提取，得到以段落为维度的段落文本；基于阈值预测法的动态匹配方法对短文本以及段落文本进行文本相似度匹配，完成文本对齐。相比传统的音频文本对齐算法在长音频切分上更加接近理想切分结果，在对齐的效果上基本和Doc2vec持平且时间复杂度降低了35％左右。
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公开(公告)号：CN112307718A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011339681.6
申请日：2020-11-25
Applicant: 北京邮电大学 , 北京欢科科技有限公司
IPC: G06F40/117 , G06F16/84
Abstract: 本发明公开了一种基于文本特征和语法规则的PDF全自动标引系统及方法，系统配置解析层、事件分发层、功能实现层。该系统采用了事件驱动的方式，使用了观察者模式的架构，先通过解析PDF生成一个包含基础信息的XML中间文件，然后再使用文本特征以及语法特征分析等技术分析所有的PDF元素以完成全部自动标引过程；PDF全自动标引方法将整个工作流程分为了七个阶段，分别为元素提取阶段、块聚合阶段、行聚合阶段、图片标签识别阶段、标签匹配阶段、标引文件生成阶段和异常处理阶段，能够实现PDF文件的全自动解析、加标签、聚合并最终导出包含所有信息的结构化数据。本发明提高了系统的扩展性、PDF处理效率和内容利用深度，实现PDF的全自动标引。
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公开(公告)号：CN107085539A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710289907.8
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种云数据库系统以及云数据库资源动态调整方法。该系统包括：数据库集群、监控中心以及云平台资源池；其中，所述数据库集群用于向所述监控中心提供负载数据；所述监控中心，用于监控数据库集群的负载数据；根据所述负载数据，判断是否需要调整数据库集群内的资源；在需要调整资源后，与云平台资源池进行交互，以释放或者增加数据库集群内的资源；所述云平台资源池，用于分配资源或者回收资源。该系统能够自动对云数据库的资源根据实际需求进行自动的调整。
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公开(公告)号：CN102790878A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110403133.X
申请日：2011-12-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种视频编码的编码模式选择方法及装置，属于视频编码领域。所述方法包括：当前帧是I帧时，对当前I帧的增强层进行预测编码，得到帧内最优编码模式；当前帧不是I帧时，根据编码量化步长和当前帧的前一个I帧的图像的相对复杂度计算得到当前最佳编码模式的提前终止条件，如果当前最佳编码模式的率失真代价满足提前终止条件，则将当前待检验编码模式作为帧间最优编码模式。本发明分别针对帧间、帧内编码的模式选择进行了优化，帧间模式选择则使用前一个I帧的图像相对复杂度结合编码量化步长确定提前终止条件，能够快速选择编码模式，并且能够自适应编码参数变化，能够有效提高编码速度，保证编码效率。
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公开(公告)号：CN119814092A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411836528.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H04B7/0404 , H04B7/0456
Abstract: 本发明公开了一种基于改进斑马算法的稀疏阵列天线优化方法，用于降低稀疏阵列天线的峰值旁瓣电平，属于射频相控阵天线技术领域。本方法实现过程包括：首先在原始斑马优化算法的基础上，加入概率估计模型，将实数变量转换为二进制编码；其次引入了自适应T分布扰动策略以及动态选择策略，增强算法的全局搜索能力，避免其陷入局部最优，并有效提高了收敛速度；最后通过一定次数的迭代优化，得到最优解。为验证本方法的性能，本文进行了三组仿真实验，结果表明与其他优化算法相比，本方法能够在更少的优化时间内，得到更低的阵列天线峰值旁瓣电平，从而提高天线的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119786915A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411653916.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由支流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，金属梁MEMS开关，金属梁的金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和金属地组成。金属梁的金属锚点连接到共面波导金属地，右上侧的直流端口通过直流偏置线连接到共面波导金属地，左上侧的直流端口通过直流偏置线连接到金属电极，可以通过在左侧的直流端口输入不同直流电压来控制金属梁的抬起与吸附到电极的状态，分别对应开关的导通与断开状态；本发明设计的并联MEMS开关工作与103.33G‑170G之间，保证断开状态隔离度高于33.67dB；导通状态插入损耗低于0.8dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单。
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公开(公告)号：CN119674507A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411626091.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波极化和方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。其由对称的矩形辐射贴片，位于辐射贴片上的半圆缺陷、四分之一圆缺陷、矩形枝节加载，正交双向馈电网络，T型功分馈电网络，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变匹配结构，介质基板，金属地背板组成。当T型功分馈电网络上的单侧MEMS开关导通时，能量流向该侧的辐射单元，可实现向左或向右的波束倾斜效果。当两侧的MEMS均导通时，辐射方向图指向Z正轴，无波束偏转，据此可实现左中右三个方向的方向图可重构功能。当正交双向馈电网络上的开关闭合时，长线的尺寸可实现90°的相位延迟，两个正交的简并模合成圆极化波，覆盖完整半功率波束宽度。
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公开(公告)号：CN119651142A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411626063.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于RF MEMS开关控制的单极子方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。由单极子辐射单元，位于其左右两侧的寄生单元，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变微带线，介质基板，金属地背板组成。当寄生单元上的MEMS开关导通时，寄生单元长度略小于单极子辐射单元，寄生单元起到引向器作用。当MEMS开关关断时，一级引向单元由断口处一分为二，其长度远小于单极子辐射单元，且终端开路产生回流，削减抵消二级引向单元的效果。当一侧开关下拉时，方向图向闭合开关一侧发生波束偏转，可调偏转角度可达41°，增益可达6.14dB，波束宽度约90°，当两侧开关均断开时，波束偏转为0°，方向图指向正Z轴，增益为5.15dB。
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公开(公告)号：CN118763393A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410833051.6
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种D波段宽波束磁电偶极子天线，属于射频前端器件领域。该宽波束磁电偶极子天线由四个中心对称的电偶极子贴片、四组磁偶极子金属化通孔、梯形耦合馈电结构、微带线耦合馈电结构、介质基板、金属地、微带侧馈匹配端口和共面波导‑微带转换匹配端口组成。当通过任意一种方式进行馈电时，同时激励起电偶极子和磁偶极子的电磁辐射，调整其相对位置使二者辐射方向图得以合成，该天线单元具有宽波束高增益的特征。天线采用单层板设计，无复杂馈电网络，结构简单、制造方便，采用金属化通孔等效磁偶极子单元，降低剖面，平面微带结构可以实现快速印刷制造。
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公开(公告)号：CN118017220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410320344.4
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器，属于射频前端器件领域。该基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器由粗调、细调移相单元组成。移相单元由两个单刀四掷开关、相位延时线、输入输出端口组成。当某条相位延时线前后端两个单刀四掷开关的对应触点均接触闭合，且其余触点断开时，该移相单元由单刀四掷开关选通此条相位延时线，信号通过该线产生相位延时。利用MEMS技术设计的线性移相器在太赫兹频段具有插入损耗较小的特征，该移相器在中心频率处S11参数在‑10dB以下，S21参数在‑1.6dB附近波动；结构简单、制造方便，相对于传统半导体开关移相器，设计结构简单，稳定可靠，且可以采用玻璃基工艺制造。
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