-
公开(公告)号:CN113889440B
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202010625164.9
申请日:2020-07-01
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本申请实施例提供一种导热结构及其制作方法、导热系统、芯片封装结构和电子设备。通过导热结构中的第二有机材料向导热结构的外表面扩散,且向外扩散的第二有机材料在导热结构和发热元件之间和/或导热结构和散热器之间形成粘接层,粘接层将导热结构与发热元件相连和/或将导热结构与散热器相连,确保了导热结构与发热元件/散热器表面维持紧密接触,从而避免了导热结构在使用过程中与发热元件/散热器之间界面出现分层而导致发热元件超温的问题;另外,向外扩散的第二有机材料可以填充在导热结构与发热元件以及导热结构与散热器之间的局部微孔,改善导热结构的微观浸润性,从而降低界面接触热阻,减小了导热结构的应用热阻。
-
公开(公告)号:CN114760809B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202210265589.2
申请日:2022-03-17
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H05K7/20
Abstract: 本申请实施例提供一种碳材及其应用,该碳材在至少一个方向上的断裂伸长率≥5%,面内热扩散系数≥500mm2/s,碳材表面具有多个褶皱结构,碳材表面的1μm2单位面积内的褶皱结构的总长度在1μm‑500μm范围内。本申请实施例的碳材具有较高的断裂伸长率和面内热扩散系数,兼具高柔性和高热扩散性能,可以在可弯折电子设备中作为散热材料使用,满足可弯折电子设备的弯折和散热需求。本申请还提供了包含该碳材的散热模组、电子设备、电池系统和半导体结构。
-
公开(公告)号:CN115734557A
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN202110991016.3
申请日:2021-08-26
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H05K7/20 , H01F1/057 , H01F1/055 , H01F1/03 , C08L83/07 , C08K3/04 , C08K9/10 , C08K3/22 , C08K3/08 , C09K5/14
Abstract: 本申请提供一种电子设备,包括电子元件和设置在所述电子元件上的散热器。所述散热器朝向所述电子元件的表面设置有磁性层,所述磁性层含有永磁材料。复合导热材料结合在所述电子元件和所述散热器之间。所述复合导热材料包括有机基体和导热填料,所述导热填料分布在所述有机基体中,所述导热填料包括铁磁性颗粒。本申请还提供一种复合导热材料。散热器表面的磁性层与含有铁磁性颗粒的所述复合导热材料之间产生磁性吸附作用,降低通过点胶方式形成所述复合导热材料的过程中胶状的复合导热材料固化前出现溢胶垂流的概率。
-
公开(公告)号:CN108219139B
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN201711455687.8
申请日:2017-12-28
IPC: C08G77/06 , C08G77/04 , C08K9/06 , C08K3/04 , C08K7/00 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/38 , C08L83/04 , C09K5/14
Abstract: 本申请提供了一种官能化石墨烯,该官能化石墨烯是指表面接枝一个或多个活性分子的石墨烯,该活性分子包括多个端基官能团,该多个端基官能团包括至少两个活性官能团。由于该活性官能团能够和有机硅油中的分子发生化学反应,因此该官能化石墨烯能够比较均匀的溶于该有机硅油,进而使得利用该官能化石墨烯制备的聚有机硅氧烷具有良好的导热性能。另外,本申请还提供了该官能化石墨烯的制备方法和相应的聚有机硅氧烷。
-
公开(公告)号:CN102917574B
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201210410113.X
申请日:2012-10-24
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H05K7/20
CPC classification number: F28F3/00 , B23P15/26 , G06F1/20 , H01L23/373 , H01L23/3733 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , Y10T29/4935 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种导热垫、制造导热垫的方法、散热装置和电子设备。该导热垫包括:导热的片状基材,该片状基材在厚度方向上具有可压缩的多孔网状结构;和导热的涂覆层,该涂覆层由柔性的有机化合物形成,其中,该有机化合物填充在该片状基材的内部或覆盖在该片状基材的表面,或者该有机化合物填充在该片状基材的内部的同时覆盖在该片状基材的表面。本发明实施例的导热垫、制造导热垫的方法、散热装置和电子设备,通过采用柔性导热的有机化合物,填充或覆盖厚度方向上具有可压缩的多孔网状结构的导热片状基材,使得形成的导热垫在具有良好的压缩性能的同时,还具有良好的导热性能,从而能够提高电子设备的散热性能。
-
公开(公告)号:CN104085875A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201410250726.0
申请日:2014-06-06
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高密度碳纳米管阵列的制备方法,包括:步骤101、在一基底的表面生长第一碳纳米管阵列;步骤102、对所述第一碳纳米管阵列进行蒸汽收缩处理,使所述第一碳纳米管阵列中碳纳米管之间的间隙变小而形成多个孔洞,以使的所述基底的部分表面从所述孔洞裸露出来;步骤103、在所述基底裸露出来的所述部分表面生长第二碳纳米管阵列;步骤104、重复步骤102和步骤103使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管之间的间隙不断变小,以获得所述高密度碳纳米管阵列。采用本发明实施例所述的方法制得的碳纳米管阵列不仅密度大,而且密度分布均匀。
-
公开(公告)号:CN103367275A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310288650.6
申请日:2013-07-10
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/373
CPC classification number: F28D9/0087 , H01L23/373 , H01L23/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明实施例提供了一种界面导热片,包括基材和碳纳米线,所述基材具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面,所述基材的所述第一表面和所述第二表面均设置有所述碳纳米线,所述碳纳米线呈阵列排布,其中,所述基材包括柔性复合金属薄膜,或者所述基材的材质包括柔性石墨和焊料合金中的至少一种,所述柔性复合金属薄膜为表面涂覆有镍、银或金的柔性金属薄膜,该界面导热材料具有良好的导热性能,可拾取及贴放,易于工业化生产和使用。本发明实施例还提供了一种界面导热材料的制备方法,产量高、成本低且产品质量易于控制。本发明实施例还提供了一种散热系统。
-
公开(公告)号:CN102569223A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201210007075.3
申请日:2012-01-11
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/367 , H05K7/20
CPC classification number: H05K7/209 , H01L23/36 , H01L2924/0002 , H05K7/2039 , H01L2924/00
Abstract: 一种功率器件绝缘散热结构及电路板、电源设备,该功率器件绝缘散热结构包括功率器件、绝缘陶瓷片以及散热器;所述功率器件为片状结构,所述绝缘陶瓷片为氧化铝陶瓷片;所述散热器上设置有散热器引脚,所述散热器引脚用于机械连接电路板;所述功率器件、绝缘陶瓷片以及散热器在横向上依次固定;其中,所述功率器件的发热面与绝缘陶瓷片的一面通过第一绝缘导热胶粘接固定;所述绝缘陶瓷片的另一面与所述散热器的接触散热面通过第二绝缘导热胶粘接固定。该功率器件绝缘散热结构占用空间小,可以显著提升电源产品的功率密度。
-
公开(公告)号:CN102163491A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201010613953.7
申请日:2010-12-27
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种集成有电容特性的柔性绕组、电感及其制作方法。柔性绕组包括:第一金属层、介质薄膜和具有瞬间自我恢复特性的第二金属层;所述第一金属层和所述第二金属层分别设置在所述介质薄膜的两侧表面,构成所述柔性绕组的薄膜电容结构;所述第一金属层与所述第二金属层分别作为所述薄膜电容结构的电极。所述电感的绕组由所述柔性绕组围绕磁芯进行缠绕形成。柔性绕组的制作方法包括:在介质薄膜的一侧表面上设置第一金属层,在另一侧表面上蒸镀一层具有瞬间自我恢复特性的第二金属层;将上述结构进行压合,得到具有第一金属层、介质薄膜和第二金属层的柔性绕组。
-
公开(公告)号:CN117334648A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202311330231.4
申请日:2020-06-11
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/535 , H01L21/50
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:基底层;导热层,被布置在所述基底层上方,用于在所述导热层内传导来自所述导热层上方或下方的热量;以及导电柱,被布置为贯穿所述基底层和所述导热层,其中所述导电柱与所述导热层电绝缘。通过设置导热层,该半导体装置可以降低局部热点效应。
-
-
-
-
-
-
-
-
-