一种基于硅基衬底的纳米整流天线

    公开(公告)号:CN104966745B

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201510217779.7

    申请日:2015-04-30

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明一种基于硅基衬底的纳米整流天线。所述的整流天线为纳米天线与金属‑绝缘体‑金属二极管组成的一体化结构,天线的左右臂分别为金属I和金属II,中间为绝缘层。将设计的纳米整流天线分别置于不同的衬底上,通过采用三维电磁场数值计算方法,计算了不同入射光波长下,整流天线的局域场强度和输出功率,最后计算出相应的光电转换效率。本发明发现的理论规律如下,随着衬底折射率的增加,共振波长发生红移,最大场增强系数和光电转换效率也逐渐增大。该理论计算为整流天线电池的实验制备和生产应用提供了设计思想,有利于新能源技术的绿色低成本发展。

    一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法

    公开(公告)号:CN104878355A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510219988.5

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法,在衬底上旋涂正胶,利用电子束曝光技术,制作一个正方形掩膜窗口。利用磁控溅射镀膜技术在掩膜窗口内,在额定的背底真空条件下,以80~150watt的功率,0~5sccm的氧气流量,30~100sccm的氩气流量,的速度溅射制备金属氧化物薄膜。并利用丁酮试剂经过加热、超声,完成剥离。测试结果表明,采用此发明可获得表面粗糙度为1nm,厚度范围为3~10nm,氧钛比可调控范围为1.40~1.93,含三种价态钛。本发明可实现对纳米介质层面积、表面粗糙度、厚度、氧化程度的调控,为进一步制备性能优异的金属-介质-金属型整流器提供关键材料。

    一种基于隧穿二极管的纳米天线

    公开(公告)号:CN104836018A

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201510217922.2

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 本发明一种基于隧穿二极管的纳米天线,包括左臂、右臂以及整流器;所述左臂与右臂为镜像结构;左臂与右臂交叉成蝴蝶结形状,左臂与右臂中间夹有整流器,且三者一体成型;所述左臂与右臂的辐射体形状为三角形或扇形或锥形;所述整流器为金属-绝缘体-金属型隧穿整流器;所述纳米天线左臂材质选取Au、Pt、Ag、Cu、Al、Ni、V、Cr和W中的任意一种;所述纳米天线右臂材质选取Ni、Ti、V、Ta、Nb、Co、Al、Cu和W中的任意一种。该仿真模拟对整流天线的实验制备、特别是为解决天线系统与整流器的匹配问题提供了理论指导,有利于提高天线的光电响应强度,从而促进其应用。

    收发共用时延校正器
    35.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206524840U

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201720171998.0

    申请日:2017-02-24

    Abstract: 收发共用时延校正器,包括开关单元以及接收耦合器、发射耦合器;开关单元包括三个开关和三组衰减器,所述的三个开关分别记为开关Ⅰ、开关Ⅱ、开关Ⅲ;接收耦合器、发射耦合器分别安装在有源天线的接收和发射通道上;开关单元对外提供3个射频接口分别记为接收端、发射端和校正天线端;其中,开关Ⅱ采用单刀双掷开关,开关Ⅱ的不动端串联一组衰减器后作为校正天线端口连接校正天线;开关Ⅱ的一个动端串联开关Ⅲ、一组衰减器后作为发射端与接收耦合器连接;开关Ⅱ的另一个动端串联一组衰减器、开关Ⅰ后作为接收端与发射耦合器连接。

    一种用于红外能量转换的纳米天线

    公开(公告)号:CN204577575U

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201520186809.8

    申请日:2015-03-30

    Abstract: 本实用新型一种用于红外能量转换的纳米天线包括左臂、右臂以及整流器;所述左臂与右臂为镜像结构;左臂与右臂交叉成蝴蝶结形状,左臂与右臂中间夹有整流器,且三者一体成型;所述左臂与右臂的辐射体形状为三角形或扇形或锥形;所述整流器为碳纳米管整流器或硅整流器或硒整流器或金属-半导体二极管整流器或金属-绝缘体-金属二极管整流器或金属-绝缘体-绝缘体-金属二极管整流器或金属-绝缘体-半导体二极管整流器。本实用新型发现的理论规律如下,随着天线的增加,共振波长发生明显的红移,且峰位处的局域场强度和感应电流逐渐增大;同时适当地增加天线的厚度、并降低两臂尖端的有效间距等有利于获得更强的局域场强度和更大的输出电流。

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