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公开(公告)号：CN101705501B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910241498.X
申请日：2009-12-04
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 本发明涉及的是液晶显示、太阳能电池制造等行业中所需的ITO靶的制造，尤其涉及ITO靶材背面金属化的方法。本发明的目的，是通过将ITO靶材需要进行背面金属化的地方浸没至电解液中作为阴极进行电解来实现的。本发明的方法简单，仅需要电解的方法就能使ITO靶材背面金属化，然后通过钎焊实现ITO靶材组件的生产，整个过程中不会引入镍、铜、银等金属离子，既简化了ITO靶材背板焊接工艺，也有利于ITO废靶的回收。
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公开(公告)号：CN101984101A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010562543.4
申请日：2010-11-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22B34/12
Abstract: 本发明是一种高纯钛的生产方法，涉及冶金、化工领域，包括以下步骤：将经过提纯的TiCl4液体加热并以氩气控制TiCl4的流量，将金属镁加热并以氩气控制金属镁蒸气的流量；将经过计量的TiCl4气体和镁蒸气送入加热到600～1200℃的反应器内进行反应，得到金属钛和氯化镁；将氯化镁及金属钛从反应器的底部及中间部位分别取出；氯化镁进行熔盐电解得到金属镁和氯气；金属镁返回还原过程，氯气用于生产TiCl4从而实现工艺过程的闭路循环；将金属钛用1％的盐酸、去离子水反复清洗、干燥、包装，得到高纯钛。本发明的优点在于：金属镁是以气相的形式参与反应，原料镁含有的杂质不会进入产品中去，因此产品的纯度更高；本发明所述方法可以连续生产，因此生产成本更低。
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公开(公告)号：CN101575697B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910086165.4
申请日：2009-06-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于功能材料领域，涉及一种Al、F共掺杂的ZnO基透明导电薄膜及其制备方法。其特征是包括以下步骤：1)首先制作ZAFO靶材，利用AlF3、Al2O3和ZnO粉体，经过均匀混合后，分别制成不同F含量的ZAFO靶材；ZAFO靶材中含有0.5～3.0wt％的Al，0.82～3.28wt％的F，其余为ZnO；2)将制作好的ZAFO靶材，安装在射频磁控溅射沉积设备真空室内，用机械泵、分子泵把真空室的真空度抽到压强小于3×10-3Pa，同时将基片温度加热到25℃～500℃；通过调节沉积工艺参数，采用射频磁控溅射在基片上制备ZAFO透明导电薄膜。本发明简化了镀膜工艺，改善了薄膜的导电性和可见光透过率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101705501A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910241498.X
申请日：2009-12-04
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 本发明涉及的是液晶显示、太阳能电池制造等行业中所需的ITO靶的制造，尤其涉及ITO靶材背面金属化的方法。本发明的目的，是通过将ITO靶材需要进行背面金属化的地方浸没至电解液中作为阴极进行电解来实现的。本发明的方法简单，仅需要电解的方法就能使ITO靶材背面金属化，然后通过钎焊实现ITO靶材组件的生产，整个过程中不会引入镍、铜、银等金属离子，既简化了ITO靶材背板焊接工艺，也有利于ITO废靶的回收。
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公开(公告)号：CN101701340A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910238428.9
申请日：2009-11-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25C1/24
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明涉及从使用过的ITO(铟锡氧化物)溅射靶材或制造ITO靶材时产生的ITO边角料等ITO靶材废料中回收金属铟锡的方法。本发明将ITO废料进行电解来回收金属铟锡合金，特别是将ITO废料作为阴极直接进行电解来得到铟锡合金。电解过程可以在任何能够实现阴、阳极反应宏观上分开进行的电化学的装置中进行。方法简单，回收率高。
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公开(公告)号：CN209555335U
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201920002715.9
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种冶炼镁、钙、锶、钡的装置，属于冶金技术领域。该装置包括内罐、外罐、强化换热装置和水冷结晶器，外罐的直径大于内罐直径且内外罐均为单端封闭的结构，同时内外罐的开口方向相反，内罐沿着轴向在中心设置强化换热装置，内罐和外罐的一端设置水冷结晶器，另一端为焊接位置。该装置中热量是从外罐和内罐同时向球团料传输，因此传热效率更高。而且由于内罐也起到热量传输的作用，还原过程中温度最低的地方已经从传统结构的中心管附件位置转移到了内罐与外罐之间的位置，因此在相同加热时间的条件下本实用新型所述装置可以降低还原周期，在相同还原程度的前提下，则可以提高还原率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN219297617U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202320473451.1
申请日：2023-03-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种镁钙冶炼机械化装置，属于有色金属冶炼的技术领域。镁钙冶炼机械化装置包括还原罐、预煅烧桶和内套，内套的内部设置有纵向加强板，内套的顶部开设有一开口，内套的两端和中间设置有若干隔板，每个隔板上开设有若干通孔，内套的端部设置有挂钩。本实用新型通过上述装置结构设置，不仅能够可以实现快速装料、快速取出还原渣，而且显热用于白云石、石灰石的预煅烧能够有效减少煅烧过程的能耗；且还原渣显热利用过程能够与金属镁、钙冶炼过程实现高度同步利于工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN209508364U
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201920002718.2
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种改进型金属镁、钙冶炼用还原罐的冷却段，属于冶金技术领域。该冷却段包括结晶器、真空管和密封垫，冷却段尺寸为还原罐尺寸的1.0～3.0倍，结晶器位于冷却段中部，冷却段管壁开口连接真空管，冷却段管壁靠近末端盖板处和结晶器内通入冷却水，盖板和冷却段之间设置密封垫，结晶器为径向平板式结构，结晶器边距离冷却段外壁为10-15mm。该冷却段设计有利于粉尘的沉降、减少固体颗粒在金属中的夹杂；改善了金属产物的结晶状态，尤其可以通过条件结晶器中冷却介质的调节来调节金属蒸汽-结晶面的温度，从而调整气相的过饱和度、得到所需要的金属产物的相貌，提高金属的纯度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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