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公开(公告)号：CN103855305B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410103363.8
申请日：2014-03-19
Applicant: 北京科技大学 , 中国科学院化学研究所
IPC: H01L51/40
Abstract: 一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法，属于半导体材料器件领域。其特征是利用含氟石墨烯作为修饰层，采用有机半导体材料作为半导体层，制备底栅底电极结构（BGTC）的有机场效应晶体管的制备方法。该制备方法中含氟石墨烯可以提高器件的性能。所制备的含氟石墨烯修饰层的三异丙基硅乙炔取代的并四苯并噻吩（TIPSEthiotet）和并五苯器件具有高的光响应性和光敏感性。
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公开(公告)号：CN103242360B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310181817.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用。该含硫原子的并五苯衍生物的结构式如式Ⅰ-1或式Ⅰ-2所示。本发明提供的合成路线简洁高效；原料简单易得；合成方法具有普适性，可以推广应用到含各种取代基的线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物合成中；该类化合物是具有较大的π-共轭平面，很好的溶解性可用于溶液法制备高迁移率的OFET器件；该类化合物具有较低的最高占用分子轨道能级（HOMO），空气中稳定性好，有利于得到空气中稳定的高迁移率和高开关比的OFET器件；以本发明的实施例线形可溶性含硫原子的并五苯衍生混合物ADT-TES为有机半导体层制备的OFET的迁移率（μ）和开关比较高（μ最高为2.3×10-4cm2V-1s-1，开关比大于104），在OFET中具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN105237746A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510725844.7
申请日：2015-10-29
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二并吡咯酮(DPP)与萘酰亚胺单元构建的聚合物半导体材料及其制备方法与应用。该聚合物的结构如式I所示。本发明还提供了式I化合物的制备方法。本发明提供的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性，可以推广应用到其他NDT化合物的合成。以本发明NDT为有机半导体层制备的OFET在空气中可测得较高的双极性迁移率(空穴和电子μ最高值约为0.01cm2/V·s)，在OFET中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103242360A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310181817.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用。该含硫原子的并五苯衍生物的结构式如式Ⅰ-1或式Ⅰ-2所示。本发明提供的合成路线简洁高效；原料简单易得；合成方法具有普适性，可以推广应用到含各种取代基的线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物合成中；该类化合物是具有较大的π-共轭平面，很好的溶解性可用于溶液法制备高迁移率的OFET器件；该类化合物具有较低的最高占用分子轨道能级（HOMO），空气中稳定性好，有利于得到空气中稳定的高迁移率和高开关比的OFET器件；以本发明的实施例线形可溶性含硫原子的并五苯衍生混合物ADT-TES为有机半导体层制备的OFET的迁移率（μ）和开关比较高（μ最高为2.3×10-4cm2V-1s-1，开关比大于104），在OFET中具有一定的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101260241A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810104711.8
申请日：2008-04-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于有机材料领域，特别涉及具有O态和P态的细菌视紫红质－明胶或PVA薄膜的制备。其特征是：选用分子量在30,000～70,000的分析纯明胶或分子量在22,000～26,000的分析纯PVA作为高分子成膜载体，将明胶或PVA溶解于Tris或磷酸盐－柠檬酸缓冲溶液中得到明胶或PVA溶液，再将野生型细菌视紫红质—BR的悬浮液与明胶或PVA溶液充分混合，得到均匀的混合物；将此混合物铺展于石英或K7光学玻璃表面，经成膜干燥，得到表面光洁平整、BR分布均匀、各处光密度均匀的细菌视紫红质－明胶或PVA薄膜。这种表面光洁平整、BR分散均匀、各处光密度均匀的BR－明胶或BR－PVA薄膜，可以应用于空间光调制器、全息记录、模式识别和信息存储等领域。
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公开(公告)号：CN1776483A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510086996.3
申请日：2005-11-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种能实现宽波反射的液晶偏振片制造方法，属于液晶显示技术。具体制造工艺为：混合液晶：由一种螺距随温度变化的胆甾相液晶、可光聚合单体及光引发剂的混合而成。将按上述成分混配好的液晶注入未作表面处理或作沿面取向处理的液晶盒或薄膜中，液晶处于透明的平面织构状态，混合体系仍处于胆甾相的状态下，进行紫外照射，使光可聚合单体交联成高分子网络，照射后升温或降温至使用温度，得到宽波段的液晶偏振片。本发明的优点在于：可以实现宽波段的反射液晶偏振片，并且这种偏振片的反射宽度随使用温度的不同而不同，因此可以应用在一些需要利用温度自行调节反射波段的场合，如节能的玻璃等，且加工设备简单。
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公开(公告)号：CN1752776A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510086722.4
申请日：2005-10-26
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 杨槐 , 肖久梅 , 何万里 , 马征 , 耿君 , 张立培 , 魏强 , 原小涛 , 李克轩 , 石琳 , 高瑾 , 曹晖 , 高建勋 , 王丽萍 , 杨穆 , 海明潭 , 王戈
Abstract: 本发明提供了一种反射式圆偏振光偏振片的制备方法，属于偏振片技术领域。将玻璃态液晶、可光聚合单体、光引发剂、阻聚剂等混合均匀，成膜或制成粉末覆于基板表面；通过具有不同中心反射波长的邻近玻璃态液晶膜或者粉末之间的分子扩散建立介晶基元的浓度梯度，在一定温度下采用适当工艺对其进行取向，获得介晶基元的螺旋排列结构和螺距梯度分布。通过冷却固定介晶基元的螺旋排列结构和螺距梯度分布，然后在玻璃态液晶的玻璃化转变温度以下对上述膜进行辐照交联，获得光学性能稳定和力学性能适宜的具有分子螺旋排列结构和螺距梯度分布的液晶反射式圆偏振光偏振片。优点在于：成膜工艺简单、成熟，容易实现规模生产。
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公开(公告)号：CN103613121B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310562449.2
申请日：2013-11-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种油溶性氧化铟氧化锡纳米微粒及气敏薄膜的制备方法，属于半导体材料领域。其特征是利用金属有机前驱体分解法制备氧化铟氧化锡及锡掺杂氧化铟纳米微粒并用甩膜法制备薄膜，所用金属有机前驱体为相应金属的乙酰丙酮化合物。该制备方法的原料易得、操作简单，有利于产品的大规模工业化生产。所制备的氧化铟氧化锡半导体纳米薄膜具有结构均一性和性能稳定性，发光性能良好，用该薄膜制备的原型器件具有很好的气敏特性。
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公开(公告)号：CN103855305A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410103363.8
申请日：2014-03-19
Applicant: 北京科技大学 , 中国科学院化学研究所
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/428 , H01L51/44 , H01L2251/301
Abstract: 一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法，属于半导体材料器件领域。其特征是利用含氟石墨烯作为修饰层，采用有机半导体材料作为半导体层，制备底栅底电极结构（BGTC）的有机场效应晶体管的制备方法。该制备方法中含氟石墨烯可以提高器件的性能。所制备的含氟石墨烯修饰层的三异丙基硅乙炔取代的并四苯并噻吩（TIPSEthiotet）和并五苯器件具有高的光响应性和光敏感性。
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