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公开(公告)号:CN113387699B
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202110818358.5
申请日:2021-07-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , B64G1/58 , F27D1/00
Abstract: 本发明涉及高熵陶瓷技术领域,尤其涉及一种高熵REMgAl11O19陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法,通过采用两步法的方式合成目标产物,即首先合成高熵REAlO3前驱体陶瓷和MgAl2O4前驱体陶瓷这两种前驱体,再以上述两种前驱体为原料合成高熵REMgAl11O19陶瓷,可以降低反应激活能,从而降低合成温度,使高熵REMgAl11O19的煅烧温度降低,从而降低能耗,使其可在一般的马弗炉中进行煅烧,满足大批量工业化生产的要求,降低成本。
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公开(公告)号:CN113233876B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202110515323.4
申请日:2021-05-12
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种高发射率高熵陶瓷材料及其制备方法和应用,属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明在La的晶格位置同时引入五种不同掺杂比例的稀土元素,增加了LaMgAl11O19价带顶与导带底之间的杂质能级数量,减小了禁带宽度,有利于杂质能级中的电子吸收红外光的能量向导带跃迁,进而提升相应波段的光谱发射率;本发明在LaMgAl11O19陶瓷材料中引入可以变价的Pr、Ce或Eu元素,当其价态发生变化时能增加体系中自由电子浓度(例如Pr3+向Pr4+变价),从而促进自由载流子对红外光的吸收,也有利于光谱发射率的提高。本发明提供的陶瓷材料在3μm~5μm红外波段的光谱发射率>0.85,具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN113185277B
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202110515203.4
申请日:2021-05-12
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种高热稳定性陶瓷材料及其制备方法和应用,属于高熵陶瓷材料技术领域。本发明基于高熵陶瓷的熵稳定效应,在LaMgAl11O19中引入La半径差异较大的重稀土元素(Tb、Dy、Ho和Er),可以进一步增大晶格畸变程度,在实现陶瓷高熵化得到最大构型熵的基础上,进一步提高体系的熵值,使体系热稳定性最大化,从而得到高热稳定性陶瓷材料。本发明通过两段升温并且每段升温速率逐渐减慢以及两段降温并且每段降温速率逐渐加快的方式进行烧结,所制备的陶瓷材料物相纯净,而且在高温下进行长时间热处理后相结构仍保持稳定,无第二相产生,表面无微裂纹,具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN114230339A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202210048214.0
申请日:2022-01-17
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C23C28/04
Abstract: 本发明提供了一种稀土钽酸盐高熵陶瓷材料及其制备方法和应用,属于高温热防护陶瓷材料技术领域。本发明提供的稀土钽酸盐高熵陶瓷材料,化学式为RETa3O9,所述RE为稀土元素,所述稀土元素包括Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb和Tm中的五种以上。本发明在钽酸盐中同时引入五种以上稀土元素,能够调节钽酸盐的晶格畸变程度,增强其声子散射,保证所述稀土钽酸盐高熵陶瓷材料具有相稳定性高且热导率低的特点,在热障涂层材料领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN113387699A
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN202110818358.5
申请日:2021-07-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , B64G1/58 , F27D1/00
Abstract: 本发明涉及高熵陶瓷技术领域,尤其涉及一种高熵REMgAl11O19陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法,通过采用两步法的方式合成目标产物,即首先合成高熵REAlO3前驱体陶瓷和MgAl2O4前驱体陶瓷这两种前驱体,再以上述两种前驱体为原料合成高熵REMgAl11O19陶瓷,可以降低反应激活能,从而降低合成温度,使高熵REMgAl11O19的煅烧温度降低,从而降低能耗,使其可在一般的马弗炉中进行煅烧,满足大批量工业化生产的要求,降低成本。
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公开(公告)号:CN113004029A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN202110378611.X
申请日:2021-04-08
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/16 , C04B35/447 , C04B35/48 , C04B35/622 , C23C26/00
Abstract: 本发明属于耐高温陶瓷涂层技术领域,具体涉及一种具有双层结构的耐高温陶瓷涂层及其制备方法和应用。本发明提供的具有双层结构的耐高温陶瓷涂层包括设置在基体表面的硅酸盐陶瓷层和设置在硅酸盐陶瓷层表面的磷酸盐陶瓷层。本发明提供的耐高温陶瓷涂层以硅酸盐陶瓷层为底层,硅酸盐陶瓷层与基体具有较好的结合性能,能够有效提高涂层的附着能力,以磷酸盐陶瓷层为面层,磷酸盐陶瓷层具有优异的耐高温性能,能够有效提高材料的耐高温性能,延长基体在高温工作环境中的使用寿命,同时本发明提供的具有双层结构的耐高温陶瓷涂层具有较好的稳定性,且成本较低、适合大批量生产,能够应用于耐高温材料中。
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公开(公告)号:CN112921265A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN202110025994.2
申请日:2021-01-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高温抗氧化耐烧蚀硼化锆基致密涂层的制备方法,属于抗氧化耐烧蚀涂层制备技术领域。先采用喷雾造粒技术将ZrB2、SiC、TaSi2、PVA和去离子水的混合浆料进行团聚造粒,然后采用感应等离子球化技术对造粒后的粉体进行致密化处理,最后采用低压等离子喷涂技术将致密化后的粉体喷涂在C/C复合材料的表面形成ZrB2‑SiC‑TaSi2涂层。所述方法通过在ZrB2‑SiC喷涂粉体中添加TaSi2,并采用低压等离子喷涂技术制备TaSi2掺杂ZrB2‑SiC涂层,可以有效提高涂层的致密度和结合强度,从而使所制备的涂层具有更好的抗氧化耐烧蚀性能,满足C/C复合材料对抗氧化耐烧蚀涂层需面临更高温度、更长时间的服役要求。
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公开(公告)号:CN107200578A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201710358025.2
申请日:2017-05-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/495
CPC classification number: C04B35/495 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/5463 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567
Abstract: 本发明涉及一种Sr2YTaO6热障涂层材料的制备方法,属于新材料领域。所述材料中Y为镧系元素,所述方法为:将干燥原料SrCO3、Y2O3和Ta2O5粉每分钟300转~500转的转速球磨5h~8h;用小于等于0.5h去除无水乙醇,得到干燥的粉体;放入坩埚中以1℃/min~10℃/min的升温速度加热至700℃~900℃,煅烧6h~10h后冷却,得到煅烧后的粉体;在研钵中碾磨,并用250目~300目的筛子筛粉,将筛好的粉体直接煅烧或在模具中进行定型后再煅烧;以1℃/min~10℃/min的升温速度加热至1300℃~1600℃,煅烧8h~12h,煅烧后冷却,得到所述材料。
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公开(公告)号:CN107032788A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710417480.5
申请日:2017-06-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种亚微米级稀土锆酸盐陶瓷块体材料的制备方法,属于无机非金属材料技术领域。利用稀土元素氧化物的硝酸溶液和氧氯化锆的水溶液在过量氨水中发生的化学共沉淀反应,得到前驱体粉体;将所得的前驱体粉体进行预煅烧,再利用放电等离子烧结技术进行烧结,得到所述稀土锆酸盐陶瓷块体材料。本发明所述方法利用放电等离子烧结技术的烧结温度低、加热时间短的优势抑制晶粒长大,且致密度达到92%以上;而且该方法工艺简单,制备周期短,不用添加烧结助剂,可以得到高纯相的陶瓷材料。
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公开(公告)号:CN119707311A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411944748.7
申请日:2024-12-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种溶胶‑凝胶室温制备光学减反射膜的方法,属于光学减反射膜/溶胶凝胶技术领域。本发明提供了一种溶胶凝胶氧化物光学减反射薄膜低温结晶的制备方法,氧化物薄膜在低温氧等离子体处理过程中,反应性离子和自由基扩散进入薄膜中,对凝胶中的有机官能团进行氧化,促进了凝胶的进一步缩合和致密化,形成了高密度的金属‑氧‑金属(M‑O‑M)网络。另外,等离子体中高能量的电子为氧化物中原子的有序化排列提供了额外的能量,促进了晶化。因此,对于结晶活化能低的氧化物,在等离子体处理过程中实现晶化,实现光学减反射膜功能。
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