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公开(公告)号：CN111988016B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202010695354.8
申请日：2020-07-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/36
Abstract: 高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，带有电阻和电阻‑电容双重反馈的第二跨导单元(2)，带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3)，以及带有二个偏压可调节端的偏置单元(4)组成。其中，第一跨导单元(1)，一方面，与第二跨导单元一起构成第一阻抗转换回路，另一方面，与偏置单元(4)一起构成第二阻抗转换回路，且第一阻抗转换回路与第二阻抗转换回路并联，增大了电感值；电阻损耗抵消单元提高了Q值；通过联合协同调谐偏置单元中的两个偏压可调节端和电阻损耗抵消单元中的一个偏压可调节端的偏压，可实现对有源电感在同一高频下Q峰值的独立调谐。
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公开(公告)号：CN111478680B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202010309140.2
申请日：2020-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/02
Abstract: 一种射频压控有源电感涉及集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，有源反馈电阻单元(5)，第一偏置单元(6)，第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元(2)构成主回路。第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)与有源反馈电阻单元(5)构成补偿回路。调节补偿回路的不同电压调制端，可补偿因调节主回路不同电压调制端引起的电感值和Q值的变化，进而实现高频下的Q值相对于电感值可独立调节和在调节电感值时Q值保持恒定的性能。补偿回路，一方面，增大了有源电感在高频下的Q值，另一方面与主回路配合，使得有源电感具有宽的工作频带，且在高频下具有高的电感值。
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公开(公告)号：CN109412553B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201811239562.6
申请日：2018-10-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 一种射频电感电路，由带有反馈模块的第一跨导单元(1)，带有反馈模块的第二跨导单元(2)，第一可调跨导单元(3)，第二可调跨导单元(4)以及电流镜反馈单元(5)组成。其中，带有反馈模块的第一跨导单元(1)与第一可调跨导单元(3)连接形成第一等效电感回路，带有反馈模块的第二跨导单元(2)与第二可调跨导单元(4)连接形成第二等效电感回路，第一等效电感回路和第二等效电感回路皆与电流镜反馈单元(5)连接，也与差分信号的输入端相连，使得新型射频电感电路具有高Q值、大电感值并可调谐，且在宽输入信号动态范围内Q值与电感值能保持恒定。
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公开(公告)号：CN112583356B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011198939.5
申请日：2020-10-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/02
Abstract: 一种能对性能进行多种重构的高频压控有源电感，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，第一反馈单元(5)，第二反馈单元(6)，第一偏置单元(7)。第一跨导单元(1)、第二跨导单元(2)和第一反馈单元(5)构成第一回路，第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)和第二反馈单元(6)构成第二回路。协同调节第一回路和第二回路的不同电压调制端，可实现在高频下大电感值、高Q值以及Q值相对于电感值可大范围独立调节；可对电感值进行大范围调谐且同时能保持Q值有较大值；可在不同频率下，同时保持Q峰值和电感值基本不变以及工作频带相对于电感值峰值可大范围独立调节的综合性能。
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公开(公告)号：CN114462232A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210097217.3
申请日：2022-01-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多层神经网络模型结构自适应的微波器件建模方法，属于微波器件建模领域，用于解决基于人工神经网络的微波器件建模中确定最优模型结构的问题。本发明提出一种基于多层神经网络模型结构自适应的微波器件建模方法，通过采用全新的多层神经网络模型结构，结合基于l1正则化的误差函数来训练该神经网络模型，实现了模型隐藏层层数和每个隐藏层中神经元个数的同时调节，最终获得最优的模型结构。本发明方法可以针对不同的微波建模问题，自适应获得不同的最优模型结构，可在实际使用中节省模型开发的时间，具有灵活和高效的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114373614A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210038799.8
申请日：2022-01-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01F27/42
Abstract: 一种高线性高频有源电感属于电路领域，包括可调正跨导单元(1)，可调高线性负跨导单元(2)，反馈单元(3)，等效负电容‑负电阻单元(4)共4个单元。可调正跨导单元(1)的输出端与反馈单元(3)的第一端连接，反馈单元(3)的第二端与可调高线性负跨导单元(2)的输入端连接，可调高线性负跨导单元(2)的输出端同时与可调正跨导单元(1)的输入端相连和等效负电容‑负电阻单元(4)并联。所述4个单元及其2个调节端(Vtune1和Vtune2)的分工合作，不但使得可调正跨导单元(1)中第一N型MOS晶体管(M1)的栅极实现自偏压，且使得该有源电感具有宽频带，高频下大电感值、Q值及其可调节性、高线性等综合性能。
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公开(公告)号：CN108768342B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201810555716.6
申请日：2018-05-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/46
Abstract: 本发明提供了一种射频集成有源电感包括：输入单元，频带调节单元，第一及第二偏置单元，第一及第二跨导单元。第一偏置单元为第一跨导单元提供直流偏置，第二偏置单元为第二跨导单元提供直流偏置。在有源电感的输入端，输入单元和第一跨导单元串联，使有源电感具有小的等效输入电容，进而有宽的工作频带；频带调节单元既与输入单元串联，也与第一跨导单元并联，通过调节频带调节单元，实现对有源电感工作频带的独立调节；第一跨导单元中MOS晶体管并联，使有源电感具有大的等效回转电容，进而有大的电感值；协同调节第一跨导单元和频带调节单元，实现有源电感在宽工作频带内电感值的调节。本发明适用于对电感有宽频带要求和在宽频带内对电感值有调节要求的电路。
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公开(公告)号：CN112688162A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011554812.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的注入电流大于第二垂直腔面发射激光器单元的注入电流；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，大于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，可在不改变各个垂直腔面发射激光器单元原有台面排布的基础上，实现在较大偏置范围内对垂直腔面发射激光器阵列中结温分布均匀性的有效改善，进而提高其输出光束质量。
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公开(公告)号：CN111446930A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010296951.3
申请日：2020-04-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F3/195
Abstract: 一种射频电感电路，由第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，频带拓展单元(4)以及第一可调偏置单元(5)，第二可调偏置单元(6)组成。其中，第一跨导单元(1)和第二跨导单元(2)构成第一回路，第一跨导单元(1)和第三跨导单元(3)构成第二回路。第一回路和第二回路并联，提高了总转换电容，增大了有源电感的等效电感值。第二回路中晶体管分别构成了负阻网络结构和负反馈网络，增大了有源电感的Q值和线性度。频带扩展单元(4)与电感电路的输入端连接，拓展了电感的工作带宽。本发明射频电感电路，不但具有宽频带与高线性，而且在高频区和高频区的任一频率下可同时具有高Q值和大电感值，且Q峰值可调谐。
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公开(公告)号：CN108010962B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201711227122.4
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有高特征频率‑击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N+埋层结构来显著提高N‑集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度，从而通过减小器件的集电区串联电阻来降低集电结空间电荷区延迟时间，达到提高器件特征频率的目的。所述晶体管采用p型超结层结构来改善集电结空间电荷区的电场分布，使得集电结空间电荷区电场分布趋于平缓，从而可以降低峰值电子浓度，抑制碰撞电离，达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，同时兼顾了器件的高频特性和高击穿特性，从而保持了高的特征频率‑击穿电压优值(fT×BVCEO)，可有效拓展功率异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
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