公开(公告)号：CN102132414A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980132615.7

申请日：2009-08-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  川岛浩和 ,  井上一吉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C22C30/04 ,  C22C30/06 ,  C23C14/165 ,  C23F1/20 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 场效应型晶体管，其特征在于，在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、半导体层的保护层、源电极和漏电极，源电极和漏电极借助半导体层连接，栅电极和半导体层之间有栅极绝缘膜，在半导体层的至少一面侧具有保护层，半导体层是含有In原子、Sn原子和Zn原子的氧化物，并且Zn/(In+Sn+Zn)所示的原子组成比率为25原子％以上75原子％以下，Sn/(In+Sn+Zn)所示的原子组成比率小于50原子％。