层叠体、成膜方法及成膜装置

    公开(公告)号:CN113243043A

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN201980082989.6

    申请日:2019-11-18

    Abstract: 本发明为一种层叠体,其包含晶体基板与半导体膜,所述半导体膜设置在该晶体基板的主表面上,且含有掺杂剂并包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主要成分,所述氧化物半导体中所包含的Si浓度为5.0×1020cm‑3以下,所述半导体膜的电阻率为150mΩ·cm以下。由此,可提供一种层叠体,该层叠体包含适于半导体器件用途的低电阻的具有刚玉结构的半导体。

    高效率太阳能电池及高效率太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN110073499A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201680090769.4

    申请日:2016-11-15

    Abstract: 本发明是一种太阳能电池,其特征在于具备:备有具有第1导电型的半导体基板、且在该半导体基板的第1主表面、有与前述第1导电型相反的导电型即第2导电型的发射领域,接在前述发射领域的射极电极,具有前述第1导电型的基极领域,接在前述基极领域的基极电极,与防止前述发射领域与前述基极领域的电性短路的绝缘膜的太阳能电池,前述绝缘膜是由聚酰亚胺所构成;前述绝缘膜在TOF-SIMS(飞行式二次离子质谱)法将Bi5++离子以加速电压30kV被0.2pA照射时的C6H11O2检出计数为100以下。由此,可以提供耐天候性佳、具有高光电变换特性的太阳能电池。

    高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池

    公开(公告)号:CN109844961A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201680090007.4

    申请日:2016-10-14

    Abstract: 本发明是一种太阳能电池的制造方法,具有:准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法,其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板,测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤,基于被测定的位置关系,对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板,在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此,提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移,且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。

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