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公开(公告)号：CN103163927A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110427650.0
申请日：2011-12-19
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本申请公开了一种电压调整电路，包括一运算放大器、一驱动管、一反馈电阻，还包括一PMOS管、一NMOS管；所述驱动管的栅极接所述运算放大器的输出，所述驱动管的源漏一端接外部电压，所述驱动管的源漏另一端作为调整电压输出端并接所述PMOS管的源极，所述PMOS管的栅极接地，所述PMOS管的漏极接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管的栅极接所述调整电压输出端，所述NMOS管的源极接所述反馈电阻的一端，所述反馈电阻的另一端接地，所述运算放大器的正、反输入端分别接参考电压及所述NMOS管的源极同所述反馈电阻的连接端。本申请的电压调整电路，能实现电压调整电路输出的调整电压对数字逻辑器件的工艺自适应。
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公开(公告)号：CN103138566A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110377080.9
申请日：2011-11-23
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明公开了一种单电荷泵输出多种高压的控制电路；包括：第一级A的输入信号VDD，输出信号OUT1；第二级B的输入信号OUT1，输出信号OUT2；输出信号OUT1和OUT2上分别有对地GND的负载电容C1和C2；正高压电荷泵还包括：三个N型晶体管M1、M2、M3和一个电阻R1；N型晶体管M2和M3组成自偏置低压选择电路，输出信号NET1的电压为输出信号OUT1和OUT3其中最低的电压；N型晶体管M1的漏极、栅极、源极和衬底分别接信号OUT3、OUT2、OUT1和NET1；N型晶体管M2的漏极、栅极、源极和衬底分别接信号NET1、OUT3、OUT1和NET1；N型晶体管M3的漏极、栅极、源极和衬底分别接信号NET1、OUT1、OUT3和NET1；电阻R1的两端分别接输出信号OUT3和地GND，输出信号OUT3作为第一级的输出，第二级的输出是OUT2；N型晶体管M1作为导通开关，控制OUT3和OUT1的导通与否。本发明使得多个高压信号建立时间先后关系不依赖于各自的输出负载大小。
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公开(公告)号：CN101630532A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810043634.X
申请日：2008-07-17
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
CPC classification number: G11C16/28 , G11C7/062 , G11C7/14 , G11C2207/063
Abstract: 本发明公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，包括基准电流产生电路，用于给灵敏放大器主体电路提供温度系数可以设定的基准电流；和主体电路，用于比较基准电流和存储单元电流，区分0存储单元和1存储单元。本发明还公开了灵敏放大器的实现方法，包括增加电流基准电路，采用不同比例混合正比绝对温度电流与恒定电流的方式，产生正温度系数、负温度系数或零温度系数的基准电流输入主体电路；在主体电路偏置电流的镜像支路中加入存储单元选择管，以构成源极抑制电路，从而使偏置电流随着电源电压和工艺变化而变化，起到了增益补偿作用。本发明的灵敏放大器具备工艺、电源电压和温度的自动补偿，且具有动态高速的性能。
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公开(公告)号：CN101459420A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094511.4
申请日：2007-12-14
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H03K17/24
Abstract: 本发明公开了一种防掉电数据暂存电路，包括电源电路，为所述控制电路和存储电路供电；控制电路，输出WR2E信号；存储电路，包含一个或多个存储单元，每个所述存储单元中第一D触发器的同相输出端连接到第二D触发器的D输入端，WR2E信号由第二D触发器的时钟端输入，第二D触发器的同相输出端作为防掉电数据暂存电路的输出端。本发明还公开了一种防掉电数据暂存方法，当发生掉电时，由电源电路对所述控制电路和存储电路供电，所述控制电路控制所述存储电路将外接电路的数据锁存。本发明通过电源电路对控制电路和存储电路供电，由存储电路对数据进行锁存，抑制了电源尖峰对于芯片输出的影响，大大缩短了芯片输出的恢复时间，并且确保了输出的准确性。
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公开(公告)号：CN101458986A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094446.5
申请日：2007-12-13
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01F7/00 , G01R31/303
Abstract: 本发明公开了一种磁场发生装置，一对磁极相对设置，固定安装在场发生器基座上端面的两端侧；一工作平台，设置在所述极的中间位置；一耐温隔板，设置在所述工作平台上端面，所述耐温隔板的中间位置设有一测试插座；一耐温导气管，可拆卸地罩设所述测试插座，该耐温导气管的顶部可与热量发生系统的端口连接，热量发生系统的端口、耐温导气管和耐温隔板组成一个可以改变温度的腔体，耐温导气管的外壁与磁极的两极面不接触。本发明能够产生全温度范围内测试所需的高分辨率磁场，适用于对线性霍尔传感器芯片进行测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101207383A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610147412.3
申请日：2006-12-18
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种模数转换器结构，它具有面积小，功耗低的功能。该结构在主体电路内包括采样保持电路和级处理电路，其中级处理电路由Stage(1)～Stage(9)九个电路组成，采样保持电路由放大器、采样电容CS1和CS2、自举开关BS1和BS2、普通互补金属栅氧化物开关SS1、SS2、SS3、SS4、SS5构成；Stage(1)～Stage(9)中的每个电路均由放大器、电容Ci1～Ci4、开关阵列Si1～Sif、比较器Com11和Com12以及判决逻辑电路D1构成；其中i＝1～9，Si1～Sif包括Si1～Si9以及Sia～Sif共计十五个开关，其中，采样保持电路和Stage(1)电路共用一个放大器，Stage(i)电路和Stage(i+1)电路共用一个放大器，其中i＝2、4、6、8。
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公开(公告)号：CN101127241A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200610030118.4
申请日：2006-08-16
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G11C16/08
Abstract: 本发明公开了一种用于低压EEPROM的字线电压切换电路，由低压至中压的电平转换电路、高压本征NMOS晶体管和高电压反馈上拉电路组成；该电路采用通用的电平转换电路实现低压至中压的切换，再通过高压本征NMOS晶体管传至字线输出端，实现EEPROM读取时低压至中压的切换；编程时，通过高电压反馈上拉电路又实现了低压至高压的切换。本发明的电路结构简单，有利于节约版图面积，生产成本低。
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公开(公告)号：CN1787231A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410089223.6
申请日：2004-12-08
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
Inventor： 王楠
IPC: H01L29/861 , H01L27/00
Abstract: 本发明公开了一种后备电源用隔离二极管，利用Deep－Nwell构成NPN BJT的寄生结构，在该结构中，Deep Nwell和P+作为二极管的正端，NW作为二极管的负端。本发明寄生漏电小，适用于IC卡类产品使用。
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公开(公告)号：CN1787111A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410089226.X
申请日：2004-12-08
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
Inventor： 王楠
Abstract: 本发明公开了一种利用压控振荡器控制功耗的电荷泵，用一个正向二极管D2、一个反向二极管D1与一个MOS晶体管MN1串联后串接在电荷泵的输出端，所述MOS晶体管MN1通过镜像结构与基准电流源电流进行比较，比较输出电压VB用于控制电荷泵的输入频率。本发明有效改善了电荷泵实际工作时的功耗。可以应用在各类EEPROM或Flash EEPROM电路中。
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公开(公告)号：CN1627537A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200310109230.3
申请日：2003-12-10
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/866
Abstract: 本发明公开了一种嵌位二极管结构，在Pwell或Nwell上形成扩散区，通过阱包围二极管及隔离氧化区边缘，利用阱间的高BV，来达到隔离嵌位二极管的目的。本发明可使电压控制电路的面积缩小，减小二极管BV的时间依存性，可以使BV电压值稳定、均匀，减小生产偏差。工艺上易于实现，成本低。适用于半导体集成电路及分离元器件，在EEPEOM或者Flash电路中可以取代稳压电路(BGR)。
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