公开(公告)号：CN203630205U

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201320778327.2

申请日：2013-11-28

Applicant: 中国计量学院

Inventor： 董前民 ,  杨润光 ,  施勇峰 ,  陈亮 ,  杨琳 ,  张淑琴 ,  金尚忠

IPC: G01R19/165 ,  G01R15/04

Abstract: 一种基于分压电阻的输入欠压告警检测电路，包括运放U1和变压器T1，运放U1的正相端接隔离电路一的输出端、第二电阻R2的一端和第一电阻R1的一端，第二电阻R2的另端接地，第一电阻R1的另一端接VCC，运放U1的反相端接比较电压Verf，运放U1的输出端接PWM控制电路的输入端，PWM控制电路的输出端接N沟道MOS管Q1的栅极，N沟道MOS管Q1的源极接地，漏极接变压器T1的原线圈一端，变压器T1的原线圈另一端接VCC，隔离电路一的输入端接负载，本实用新型采用分压电阻的方式和以及隔离电路，使得负载单板能够检测到输入电压。

公开(公告)号：CN203406317U

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201320409751.X

申请日：2013-07-09

Applicant: 中国计量学院

Inventor： 罗东 ,  李辛 ,  杨艳敏 ,  董前民 ,  黄杰 ,  梁培

IPC: H01L33/06

Abstract: 本实用新型公开了一种高发光效率的GaN基LED芯片，主要由异质衬底层、n-GaN层、量子阱层、p-GaN层和金属纳米粒层组成；n-GaN层、量子阱层和p-GaN层构成核心芯片，核心芯片位于异质衬底层上，核心芯片最底层为n-GaN层，n-GaN层上为量子阱层，量子阱层上为由金属纳米粒子层和p-GaN层组成的复合层。该芯片提高了LED芯片发光效率，且结构简单，易于制备。

公开(公告)号：CN202735065U

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201220220468.8

申请日：2012-05-10

Applicant: 中国计量学院

Inventor： 陈志明 ,  邹世碧 ,  梁培 ,  董前民 ,  张丽

IPC: G01M11/02

Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能聚光镜聚光倍率测试装置，其包括：一个支撑底座，该支撑底座具有可升降调节的螺杆；两条水平导轨，该导轨固定于支撑底座上；一个二维移动支架，该二维支架相嵌于滑动导轨用于滑动；两个三维移动支架，该三维支架相嵌于导轨用于滑动；太阳光模拟器，硅光电池，聚光镜，信号处理系统。该装置采用太阳光模拟器为光源，硅光电池作为光电探测器件，将相应的光信号转换成电信号输出，聚光镜将太阳光模拟器发出的光汇聚，获得强度更强的光信号，信号处理系统接受聚光前的电信号和聚光后电信号，并对两电信号进行数据标定、数据处理，最后计算出太阳能聚光镜聚光倍率的大小。本实用新型采用导轨和移动支架，具有制作方便，操作简单，价格低廉，易于实现等优点。