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公开(公告)号:CN102544368B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201210030512.3
申请日:2012-02-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法,该方法包括:在硅片上氧化制备二氧化硅绝缘层;对二氧化硅绝缘层进行OTS修饰;在修饰后的二氧化硅绝缘层表面上沉积生长有机半导体层;在有机半导体层表面上沉积生长一层金属氧化物半导体层;以及在金属氧化物半导体层表面上沉积生长一层金属电极。本发明的有机薄膜晶体管,具有性能高、工艺简单、重复性好,并且相对传统工艺制备的有机薄膜晶体管成本又明显降低。
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公开(公告)号:CN102340294B
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201010232788.0
申请日:2010-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明涉及一种四阶有源LC射频带通滤波器,属于集成电路设计技术领域。它基于CMOS工艺,采用了电流检测电阻和跨导的形式模拟电感耦合把两级二阶LC谐振器耦合成为四阶LC带通滤波器。该带通滤波器由连接方式相同、结构对称的两级二阶LC谐振电路、两个输入阻抗匹配电路、两个级间耦合电路以及两个输出阻抗匹配电路组成。本发明的射频带通滤波器不仅解决了二阶有源LC带通滤波器的带内平坦度较差的问题,而且可采用CMOS工艺进行片上集成,大大提高了集成度,为无线接收机的射频前端实现单片集成提供了一种可行方案。
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公开(公告)号:CN103219961A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201310123747.1
申请日:2013-04-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种带宽可调的运算放大器电路,该运算放大器电路包括偏置电路、全差分运算放大器主电路和共模反馈电路,其中:偏置电路,用于为全差分运算放大器主电路和共模反馈电路提供与温度和工艺无关的稳定的偏置电流;全差分运算放大器主电路,是两级放大的满摆幅输出结构,用于在偏置电流的作用下提供增益和所需的带宽,并向共模反馈电路输出共模电平;共模反馈电路,用于稳定全差分运算放大器主电路输出的共模电平至一个恒定的电压。本发明的带宽可调的运算放大器电路可以广泛应用于需要工作在多种带宽下的有源滤波器,跨阻放大器等射频和模拟集成电路中,具有功耗低,集成度高,适应多种不同负载情况,配置简单,工作稳定的优点。
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公开(公告)号:CN102916667A
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201110220592.4
申请日:2011-08-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种2dB步长的宽带可编程增益放大器。该放大器包括:采用源简并与电流模式相结合技术的可变增益放大器、采用全差分的源极跟随器结构的缓冲级、采用结构对称的全差分形式的R-2R梯形电阻结构的2dB电阻衰减器;所述可变增益放大器的输入端与第一差分输入信号、第二差分输入信号相连,输出端与所述缓冲级的输入端相连;所述缓冲级的输出端与所述2dB电阻衰减器的输入端相连;所述2dB电阻衰减器的输出端为差分信号输出端,所述差分信号输出端包括:第一差分信号输出端和第二差分信号输出端。本方案所提供的2dB步长的可编程增益放大器,在噪声性能不被恶化的前提下,具有较高的线性度,可有效减小信号的失真。
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公开(公告)号:CN102916666A
公开(公告)日:2013-02-06
申请号:CN201110219918.1
申请日:2011-08-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽带可编程增益放大器。该放大器包括:采用全差分源极跟随器结构的输入缓冲级、采用结构对称全差分形式的R-2R梯形电阻结构的1dB电阻衰减器以及采用源简并与电流模式相结合技术的可变增益放大器;所述输入缓冲级的输入端与第一差分输入信号、第二差分输入信号相连,输出端与所述1dB电阻衰减器的输入端相连;所述1dB电阻衰减器的输出端与所述可变增益放大器的输入端相连;所述可变增益放大器的输出端为差分信号的输出端,所述差分信号输出端包括:第一差分信号输出端和第二差分信号输出端。本方案所提供的宽带可编程增益放大器具有较高的线性度,可以有效减小信号失真。
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公开(公告)号:CN102723439A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201110076733.X
申请日:2011-03-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法。该存储单元利用富勒烯材料独特的分子结构,以单层富勒烯薄膜同时作为存储浮栅层和隧穿介质层,避免了在存储单元制备中采用金属或者金属氧化物,降低了器件的制备成本,提高的器件的柔性性能。
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公开(公告)号:CN102723437A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201110076540.4
申请日:2011-03-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的光存储单元、光存储器及其制备方法。本发明中,通过对有机场效应晶体管的有机半导体层中掺杂金属或金属氧化物纳米点存储层,光照时有机场效应晶体管中产生的载流子会存储到该纳米点存储层中,当光照撤掉后载流子依然存储在纳米点层中,不会消失,因此,回滞效应在光照撤掉后依然存在,从而开发了有机场效应晶体管在光存储器方面的应用。
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公开(公告)号:CN102340294A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN201010232788.0
申请日:2010-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明涉及一种四阶有源LC射频带通滤波器,属于集成电路设计技术领域。它基于CMOS工艺,采用了电流检测电阻和跨导的形式模拟电感耦合把两级二阶LC谐振器耦合成为四阶LC带通滤波器。该带通滤波器由连接方式相同、结构对称的两级二阶LC谐振电路、两个输入阻抗匹配电路、两个级间耦合电路以及两个输出阻抗匹配电路组成。本发明的射频带通滤波器不仅解决了二阶有源LC带通滤波器的带内平坦度较差的问题,而且可采用CMOS工艺进行片上集成,大大提高了集成度,为无线接收机的射频前端实现单片集成提供了一种可行方案。
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