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公开(公告)号：CN105954824A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610319920.9
申请日：2016-05-13
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC classification number: G02B1/14 , C03C15/02 , C03C17/09 , C03C2217/283 , C03C2218/156 , G02B5/0808
Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀高反光的正面镜，包括玻璃基体与沉积在玻璃基底上的反光涂层，该反光涂层为非晶结构，涂层致密，组成为(Ti100‑xMex)yB100‑y，其中，0≤x≤25，50≤y≤80，Me包括Mo或Al；该正面镜具有反光率高、耐腐蚀、耐刮擦的优点。本发明还公开了该正面镜的制备工艺，工艺简单。
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公开(公告)号：CN104141107B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310174222.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种Al-Cu-N耐磨硬质涂层，由AlN晶体相和Cu晶体相组成，其中，Cu晶体相分散在AlN晶体中，Cu晶体相和AlN晶体相之间的界面以Cu-Al键键合；所述的Al-Cu-N耐磨硬质涂层由原子百分含量74.6%～89%Al和N以及11%～25.4%的Cu元素构成。本发明Al-Cu-N耐磨硬质涂层具有良好的硬度和优异的耐磨损性能，磨损率低于4.0×10-16m3/Nm，达到了高耐磨性的要求，可广泛用于模具、机械零件等领域。本发明还公开了一种Al-Cu-N耐磨硬质涂层的制备方法，采用反应磁控溅射方法，可操作性强，可控性好，易于工业化生产，具有广阔的应用前景和良好的经济效益。
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公开(公告)号：CN105063560A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510424508.9
申请日：2015-07-17
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用磁控溅射法制备电阻率分布均匀的AZO薄膜的方法，采用射频电源辅助直流电源的方式沉积AZO薄膜，设置射频电源功率PRF为50～400W，直流电源功率PDC为10～150W，并调节射频电源功率的比值fRF为0.38～0.98，以控制靶电压为60～150V，AZO薄膜的沉积速率不低于35nm/min，在常温下制备得到电阻率分布均匀的AZO薄膜。本制备方法，采用射频辅助直流的电源设备，通过调节射频电源与直流电源的功率，使得在靶电压小于150V的情况下，仍以较高的沉积速率(～40nm/min)沉积得到AZO薄膜；制备得到的AZO薄膜的电阻率较低，且分布均匀。
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公开(公告)号：CN104141107A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310174222.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种Al-Cu-N耐磨硬质涂层，由AlN晶体相和Cu晶体相组成，其中，Cu晶体相分散在AlN晶体中，Cu晶体相和AlN晶体相之间的界面以Cu-Al键键合；所述的Al-Cu-N耐磨硬质涂层由原子百分含量74.6%～89%Al和N以及11%～25.4%的Cu元素构成。本发明Al-Cu-N耐磨硬质涂层具有良好的硬度和优异的耐磨损性能，磨损率低于4.0×10-16m3/Nm，达到了高耐磨性的要求，可广泛用于模具、机械零件等领域。本发明还公开了一种Al-Cu-N耐磨硬质涂层的制备方法，采用反应磁控溅射方法，可操作性强，可控性好，易于工业化生产，具有广阔的应用前景和良好的经济效益。
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